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一种非易失性存储设备的操作方法，所述方法包括：从外部设备接收编程命令；响应于编程命令确定操作模式；当操作模式为表面贴装技术(SMT)模式时，执行初始编程操作，其中多个存储单元通过多个步骤被编程以形成第一阈值电压分布；以及当操作模式为正常模式...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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