闪存的操作电压修调电路和方法技术

本发明专利技术公开了一种闪存的操作电压修调电路中，存储单元都采用双分离栅浮栅器件，两个浮栅分别形成一个存储位；对选定存储位进行编程时，对应的控制栅线连接控制栅编程电压，靠近存储位的位线连接源编程电压。操作电压修调电路包括：第一电荷泵，控制端连接多位第一数字信号，输出端输出大小由第一数字信号控制的源编程电压。第二电荷泵，控制端连接多位第二数字信号，输出端输出大小由第二数字信号控制控制栅编程电压。两个存储位编程时的第一和第二数字信号分别通过对多个存储单元的对应的存储位进行快编程测试得到，使两个存储位编程时的源编程电压和控制栅编程电压独立设置。本发明专利技术还提供一种闪存的操作电压修调方法。本发明专利技术能提高编程效率。明能提高编程效率。明能提高编程效率。

【技术实现步骤摘要】
闪存的操作电压修调电路和方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种闪存(flash)的操作电压修调电路。本专利技术还涉及一种闪存的操作电压修调方法。

技术介绍

[0002]如图1所示，是现有闪存的存储单元的剖面结构示意图；现有闪存包括多个存储单元(cell)101，由多个所述存储单元101组成阵列单元301，由多个所述阵列单元301排列形成闪存的阵列结构。各所述存储单元101都采用分离栅浮栅器件。
[0003]如图1所示，所述分离栅浮栅器件包括：对称的第一源漏区205a和第二源漏区206，位于所述第一源漏区205a和所述第二源漏区205b之间的多个分离的具有浮栅104的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构之间的第二栅极结构103；所述第一栅极结构中具有位于所述浮栅104顶部的控制栅105。
[0004]所述分离栅浮栅器件为双分离栅浮栅器件，所述第一栅极结构的数量为两个，分别用标记102a和102b表示，两个所述第一栅极结构的浮栅分别作为一个存储位，图1中，分别采用存储位
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存的操作电压修调电路，其特征在于，闪存包括多个存储单元；各所述存储单元都采用双分离栅浮栅器件；所述双分离栅浮栅器件包括：对称设置的第一源漏区和第二源漏区，位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间的二个分离的具有浮栅的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构之间的第二栅极结构；所述第一栅极结构中具有位于所述浮栅顶部的控制栅；沟道区位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间且被各所述第一栅极结构和所述第二栅极结构所覆盖，各所述第一栅极结构和所述第二栅极结构分别控制所覆盖的所述沟道区的区域段，两个所述第一栅极结构所覆盖的所述沟道区的区域段的长度具有偏差；各所述第一栅极结构的所述控制栅连接到对应的控制栅线，所述第一源漏区和所述第二源漏区连接到对应的位线；两个所述第一栅极结构的所述浮栅分别形成一个存储位；对选定的所述存储位进行编程时，所述存储位对应的所述控制栅线连接控制栅编程电压，靠近所述存储位的所述位线连接源编程电压；令靠近所述第一源漏区的所述存储位为第一存储位以及靠近所述第二源漏区的所述存储位为第二存储位；操作电压修调电路包括：第一电荷泵，所述第一电荷泵的控制端连接多位第一数字信号，所述电荷泵的输出端输出所述源编程电压，所述源编程电压的大小由所述第一数字信号控制；第二电荷泵，所述第一电荷泵的控制端连接多位第二数字信号，所述电荷泵的输出端输出所述控制栅编程电压，所述源编程电压的大小由所述第二数字信号控制；所述第一存储位编程时的所述第一数字信号和所述第二数字信号通过对所述闪存中多个所述存储单元的所述第一存储位进行快编程测试得到，所述第二存储位编程时的所述第一数字信号和所述第二数字信号通过对所述闪存中多个所述存储单元的所述第二存储位进行快编程测试得到，使所述第一存储位编程时的所述源编程电压和所述控制栅编程电压的设置独立于所述第二存储位编程时的所述源编程电压和所述控制栅编程电压的设置，以消除两个所述第一栅极结构所覆盖的所述沟道区的区域段的长度偏差对编程效率的影响并从而同时提高所述第一存储位和所述第二存储位的编程效率。2.如权利要求1所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：两个所述第一栅极结构的宽度通过光刻定义，两个所述第一栅极结构所覆盖的所述沟道区的区域段的长度具有光刻工艺带来的偏差。3.如权利要求1所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：所述操作电压修调电路还包括：第一数据选择器和第二数据选择器；所述第一数据选择器的输入端连接第三数字信号和第四数字信号，控制端连接选择信号，输出端输出所述第一数字信号，所述第一数据信号为从所述第三数字信号和所述第四数字信号中选择的一个信号；所述第二数据选择器的输入端连接第五数字信号和第六数字信号，控制端连接所述选择信号，输出端输出所述第二数字信号，所述第二数据信号为从所述第五数字信号和所述第六数字信号中选择的一个信号。4.如权利要求3所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：当对所述第一存储位进行编程时以及进行所述快编程测试时，所述选择信号使所述第一数据信号选择所述第三数
字信号以及使所述第二数字信号选择所述第五数字信号；当对所述第二存储位进行编程时以及进行所述快编程测试时，所述选择信号使所述第一数据信号选择所述第四数字信号以及使所述第二数字信号选择所述第六数字信号。5.如权利要求4所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：在所述闪存中，各所述存储单元的所述第一存储位和所述第二存储位通过所述控制栅线的地址的奇偶来区分。6.如权利要求5所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：在所述快编程测试中，同时对多个所述存储单元对应的存储位进行编程测试。7.如权利要求6所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：在进行所述第一存储位对应的所述快编程测试时，在测试过程中不断调整所述第三数字信号和所述第五数字信号的值以调整所述源编程电压和所述控制栅编程电压的大小，直至良率满足要求；在进行所述第二存储位对应的所述快编程测试时，在测试过程中不断调整所述第四数字信号和所述第六数字信号的值以调整所述源编程电压和所述控制栅编程电压的大小，直至良率满足要求。8.如权利要求1所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：所述双分离栅浮栅器件为N型器件，所述第一源漏区和所述第二源漏区都由N+区组成，所述沟道区为P型掺杂；或者，所述双分离栅浮栅器件为P型器件，所述第一源漏区和所述第二源漏区都由P+区组成；所述沟道区为N型掺杂。9.一种闪存的操作电压修调方法，其特征在于，闪存包括多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：