声表面波谐振器、MEMS设备制造技术

技术编号:38480531 阅读:10 留言:0更新日期:2023-08-15 16:58
本申请涉及谐振器技术领域,公开一种声表面波谐振器,包括:压电衬底,用于声电换能;压电衬底的外表面设置有叉指电极结构;叉指电极结构,通过施加电压以激励声电换能;叉指电极结构包括两个汇流条和垂直连接汇流条的多个电极指;第一活塞部,设置在有效区域靠近连接部的边缘;有效区域为电极指中属于有效孔径的区域;连接部为第一活塞部所处电极指连接的汇流条;第二活塞部,设置在各电极指的末端所处区域;第二活塞部与第一活塞部的俯视形状不同。这样,能够使得声波在声表面波谐振器的不同区域具有更大的声速差,从而更好地抑制声表面波谐振器的横向模式杂波,进而改善声表面波谐振器的声学性能。本申请还公开一种MEMS设备。备。备。

【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振器、MEMS设备


[0001]本申请涉及谐振器
,例如涉及一种声表面波谐振器、MEMS设备。

技术介绍

[0002]通常,声表面波谐振器由压电衬底和设置在压电衬底上的叉指电极结构构成。叉指电极结构包括彼此相互平行的两个汇流条和分别垂直连接两个汇流条的多个电极指。其中,两个汇流条连接的电极指相互交替设置呈叉指状,且各电极指之间存在一定的间隙,用于形成电压差。但是仅仅具有压电衬底和叉指电极结构的声表面波谐振器存在很强的横向模式杂波。

技术实现思路

[0003]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。
[0004]本专利技术实施例提供一种声表面波谐振器、MEMS设备,以抑制声表面波谐振器的横向模式杂波。
[0005]在一些实施例中,声表面波谐振器,包括:压电衬底,用于声电换能;压电衬底的外表面设置有叉指电极结构;叉指电极结构,通过施加电压以激励声电换能;叉指电极结构包括两个汇流条和垂直连接汇流条的多个电极指;第一活塞部,设置在有效区域靠近连接部的边缘;有效区域为电极指中属于有效孔径的区域;连接部为第一活塞部所处电极指连接的汇流条;第二活塞部,设置在各电极指的末端所处区域;第二活塞部与第一活塞部的俯视形状不同。
[0006]在一些实施例中,第一活塞部的俯视形状与第二活塞部的俯视形状为相对设置的梯形。
[0007]在一些实施例中,第一活塞部的俯视形状与第二活塞部的俯视形状为大小不同的矩形。
[0008]在一些实施例中,第二活塞部远离电极指的末端边缘预设波长。
[0009]在一些实施例中,第一矩形长度是第二矩形长度的预设倍数;第一矩形长度是第一俯视形状中与电极指平行的矩形边的长度;第一俯视形状为第一活塞部的俯视形状;第二矩形长度是第二俯视形状中与电极指平行的矩形边的长度;第二俯视形状为第二活塞部的俯视形状。
[0010]在一些实施例中,压电衬底由铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、氮化铝、氧化锌或压电陶瓷制成。
[0011]在一些实施例中,叉指电极结构由钛、铬、银、铜、钼、铂、钨和铝中的一种或多种金属构成。
[0012]在一些实施例中,第一活塞部由钛、铬、银、铜、钼、铂、钨和铝中的一种或多种金属
构成。
[0013]在一些实施例中,第二活塞部由钛、铬、银、铜、钼、铂、钨和铝中的一种或多种金属构成。
[0014]在一些实施例中,MEMS设备包括上述的声表面波谐振器。
[0015]本专利技术实施例提供一种声表面波谐振器、MEMS设备。可以实现以下技术效果:通过在压电衬底的外表面设置叉指电极结构;叉指电极结构通过施加电压以激励声电换能,且叉指电极结构包括两个汇流条和垂直连接汇流条的多个电极指。在有效区域靠近连接部的边缘设置第一活塞部。其中,有效区域为电极指中属于有效孔径的区域,连接部为第一活塞部所处电极指连接的汇流条。在各电极指的末端所处区域设置第二活塞部。第二活塞部与第一活塞部的俯视形状不同。这样,通过设置第二活塞部与第一活塞部的俯视形状不同,能够使得声波在声表面波谐振器的不同区域具有更大的声速差,从而更好地抑制声表面波谐振器的横向模式杂波,进而改善声表面波谐振器的声学性能。
[0016]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的,不用于限制本申请。
附图说明
[0017]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明,这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件,附图不构成比例限制,并且其中:
[0018]图1是本专利技术实施例提供的一个现有的叉指电极结构及其活塞部的俯视示意图;
[0019]图2是本专利技术实施例提供的一个有效孔径的范围的示意图;
[0020]图3是本专利技术实施例提供的一个叉指电极结构及其活塞部的俯视示意图;
[0021]图4是本专利技术实施例提供的另一个叉指电极结构及其活塞部的俯视示意图;
[0022]图5是本专利技术实施例提供的第一个导纳响应示意图;
[0023]图6是本专利技术实施例提供的第一个电导响应示意图;
[0024]图7是本专利技术实施例提供的第二个导纳响应示意图;
[0025]图8是本专利技术实施例提供的第二个电导响应示意图;
[0026]图9是本专利技术实施例提供的第三个导纳响应示意图;
[0027]图10是本专利技术实施例提供的第三个电导响应示意图。
[0028]附图标记:
[0029]1:第一汇流条;2:第二汇流条;3:第二电极指;4:第一电极指;5:第二假指;6:第一假指;7:第二活塞部;8:第一活塞部。
具体实施方式
[0030]为了能够更加详尽地了解本专利技术实施例的特点与
技术实现思路
,下面结合附图对本专利技术实施例的实现进行详细阐述,所附附图仅供参考说明之用,并非用来限定本专利技术实施例。在以下的技术描述中,为方便解释起见,通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而,在没有这些细节的情况下,一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下,为简化附图,熟知的结构和装置可以简化展示。
[0031]本专利技术实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用
于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本专利技术实施例的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
[0032]本专利技术实施例中,术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本专利技术实施例及其实施例,并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位,或以特定方位进行构造和操作。并且,上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外,还可能用于表示其他含义,例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言,可以根据具体情况理解这些术语在本专利技术实施例中的具体含义。
[0033]另外,术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如,“连接”可以是固定连接,可拆卸连接,或整体式构造;可以是机械连接,或电连接;可以是直接相连,或者是通过中间媒介间接相连,又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术实施例中的具体含义。
[0034]除非另有说明,术语“多个”表示两个或两个以上。
[0035]本专利技术实施例中,字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如,A/B表示:A或B。
[0036]术语“和/或”是一种描述对象的关联关系,表示可以存在三种关系。例如,A和/或B,表示:A或B,或,A和B这三种关系。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器,其特征在于,包括:压电衬底,用于声电换能;压电衬底的外表面设置有叉指电极结构;叉指电极结构,通过施加电压以激励声电换能;叉指电极结构包括两个汇流条和垂直连接汇流条的多个电极指;第一活塞部,设置在有效区域靠近连接部的边缘;有效区域为电极指中属于有效孔径的区域;连接部为第一活塞部所处电极指连接的汇流条;第二活塞部,设置在各电极指的末端所处区域;所述第二活塞部与所述第一活塞部的俯视形状不同。2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器,其特征在于,第一活塞部的俯视形状与第二活塞部的俯视形状为相对设置的梯形。3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器,其特征在于,第一活塞部的俯视形状与第二活塞部的俯视形状为大小不同的矩形。4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器,其特征在于,第二活塞部远离电极指的末端边缘预设波长。5.根据权利要求3所述的声表面波谐振器,其特征在于,第一矩形长度是第二矩形长度的预设倍...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴淑娴鲍飞鸿吴宗霖钱航宇胡昭邹洁
申请(专利权)人:深圳新声半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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