【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装，特别是涉及一种baw滤波器晶圆级方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，当前电子装置对小型化、轻量化方面的要求不断提高，比如，以5g手机的射频模组为例，该射频模组一般采用四工器，也即将四个baw滤波器进行合并，共用同一个节点，可以实现同时接收两个频带。
2、其中，四工器中的四个baw滤波器分为两组，每组中的两个baw滤波器分别作为接收端和发送端，每组滤波器用于同时对接收和发送通道的射频信号进行滤波。
3、但是由于四工器需要使用四个滤波器，因此会导致芯片封装的面积较大，不利于集成和使用。
技术实现思路
1、基于上述问题，本申请提供了一种baw滤波器晶圆级方法，解决了芯片封装的面积较大导致的不利于集成和使用的问题。
2、本申请实施例公开了如下技术方案：
3、本申请实施例提供一种baw滤波器晶圆封装方法，所述方法包括：
4、提供第一baw晶圆和第二baw晶圆；所述第一baw晶圆的晶圆尺寸和所述第二baw晶圆的晶...
【技术保护点】
1.一种BAW滤波器晶圆封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀前还包括对所述BAW晶圆的第一表面进行减薄；所述刻蚀为干法刻蚀。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀的过程包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述晶圆级键合后还包括对所述BAW晶圆进行退火；所述退火的温度为300℃，所述退火的时间为1小时。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属种子层包括依次层叠设置的钛层和铜层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种baw滤波器晶圆封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀前还包括对所述baw晶圆的第一表面进行减薄；所述刻蚀为干法刻蚀。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀的过程包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述晶圆级键合后还包括对所述baw晶圆进行退火；所述退火的温度为300℃，所述退火的时间为1小时。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属种子层包括依次层叠设置的钛层和...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏彬，邹洁，唐供宾，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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