一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法技术

本发明专利技术提供一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，提供原始未拆分版图；根据拆分规则，将原始未拆分版图进行常规拆分得到版图A和版图B；将版图B中的孤立图形选出，形成孤立图形集L1；去除孤立图形集L1中与版图A中的图形间距小于最小间距的图形集L2；得到目标孤立图形集L3；将孤立图形集L3中的孤立图形全部翻转至版图A。本发明专利技术的方法可以避免版图B上出现大量孤立图形，解决版图B上孤立图形刻蚀工艺窗口不足的问题。艺窗口不足的问题。艺窗口不足的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺节点的降低，传统的193nm immersion单次曝光逐渐逼近分辨率极限，单次曝光技术难以用于22nm以下图形的光刻。对于14nm及以下节点，通孔层V0的版图需要在OPC修正前拆分成2层或多层(光罩mask A/B/C
…
)。
[0003]根据拆分规则，间距小于单张版图允许的最小间距的图形将被拆分到两张或多张版图上，而其他间距大于最小间距的图形则会根据每张拆分后的版图图形密度相当等原则进行拆分。不可避免的，每张版图上都会出现相对孤立的图形，而由于工艺限制，mask B及后续mask可能会面临孤立图形刻蚀工艺窗口不足的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，用于解决现有技术中版图拆分后，每张版图出现孤立图形导致孤立图形刻蚀工艺窗口不足的问题。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供原始未拆分版图；步骤二、根据拆分规则，将所述原始未拆分版图进行常规拆分得到版图A和版图B；步骤三、将所述版图B中的孤立图形选出，形成孤立图形集L1；步骤四、去除所述孤立图形集L1中与所述版图A中的图形间距小于最小间距的图形集L2；得到目标孤立图形集L3；步骤五、将所述孤立图形集L3中的孤立图形全部翻转至所述版图A。2.根据权利要求1所述的改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，其特征在于：步骤二中的所述拆分规则为：对间...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾晓敏，陈燕鹏，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：