一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法技术

本发明专利技术提供一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，提供原始未拆分版图；根据拆分规则，将原始未拆分版图进行常规拆分得到版图A和版图B；将版图B中的孤立图形选出，形成孤立图形集L1；去除孤立图形集L1中与版图A中的图形间距小于最小间距的图形集L2；得到目标孤立图形集L3；将孤立图形集L3中的孤立图形全部翻转至版图A。本发明专利技术的方法可以避免版图B上出现大量孤立图形，解决版图B上孤立图形刻蚀工艺窗口不足的问题。艺窗口不足的问题。艺窗口不足的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺节点的降低，传统的193nm immersion单次曝光逐渐逼近分辨率极限，单次曝光技术难以用于22nm以下图形的光刻。对于14nm及以下节点，通孔层V0的版图需要在OPC修正前拆分成2层或多层(光罩mask A/B/C
…
)。
[0003]根据拆分规则，间距小于单张版图允许的最小间距的图形将被拆分到两张或多张版图上，而其他间距大于最小间距的图形则会根据每张拆分后的版图图形密度相当等原则进行拆分。不可避免的，每张版图上都会出现相对孤立的图形，而由于工艺限制，mask B及后续mask可能会面临孤立图形刻蚀工艺窗口不足的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，用于解决现有技术中版图拆分后，每张版图出现孤立图形导致孤立图形刻蚀工艺窗口不足的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，至少包括：
[0006]步骤一、提供原始未拆分版图；
[0007]步骤二、根据拆分规则，将所述原始未拆分版图进行拆分得到版图A和版图B；
[0008]步骤三、将所述版图B中的孤立图形选出，形成孤立图形集L1；
[0009]步骤四、去除所述孤立图形集L1中与所述版图A中的图形间距小于最小间距的图形集L2；得到目标孤立图形集L3；
[0010]步骤五、将所述孤立图形集L3中的孤立图形全部翻转至所述版图A。
[0011]优选地，步骤二中的所述拆分规则为：对间距小于单张版图允许的最小间距的图形被拆分至两张版图。
[0012]优选地，步骤三中用DRC规则将所述版图B中的孤立图形选出，形成孤立图形集L1。
[0013]优选地，步骤一中拆分后得到的所述版图A和版图B满足整张版图的密度差异在要求的较小范围内。
[0014]优选地，该方法还包括步骤六、对所述版图A和版图B进行OPC修正和仿真。
[0015]如上所述，本专利技术的改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，具有以下有益效果：本专利技术的方法在正常拆分之后找出版图B上的孤立图形，之后将其翻转到版图A，再对更新后的版图做常规OPC修正。本专利技术的方法可以避免版图B上出现大量孤立图形，解决版图B上孤立图形刻蚀工艺窗口不足的问题。
附图说明
[0016]图1显示为本专利技术中将原始未拆分版图进行常规拆分得到的版图A中的图形和版图B中的图形的相对位置关系示意图；
[0017]图2显示为本专利技术中将孤立图形集L3中的孤立图形全部翻转至版图A后的示意图；
[0018]图3显示为本专利技术中改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法流程图。
具体实施方式
[0019]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0020]请参阅图1至图3。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0021]本专利技术提供一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，如图3所示，图3显示为本专利技术中改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法流程图，该方法至少包括以下步骤：
[0022]步骤一、提供原始未拆分版图；
[0023]步骤二、根据拆分规则，将所述原始未拆分版图进行拆分得到版图A和版图B；如图1所示，图1显示为本专利技术中将原始未拆分版图进行常规拆分得到的版图A中的图形和版图B中的图形的相对位置关系示意图。原始未拆分版图中包含有图形01、图形02和图形03；其中图形03和图形01之间的间距小于最小拆分间距，即单张版图允许的最小间距。图形03和图形02之间的间距大于最小拆分间距。因此，本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中的所述拆分规则为：对间距小于单张版图允许的最小间距的图形被拆分至两张版图。
[0024]对间距小于单张版图允许的最小间距的图形被拆分至两张版图。版图A中包含有图形03，版图B中包含有图形01和图形02；其中版图A中的图形03和版图B中的图形01之间的距离小于最小拆分间距；版图A中的图形03和版图B中的图形02之间的距离大于最小拆分间距。
[0025]本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中拆分后得到的所述版图A和版图B满足整张版图的密度差异在要求的较小范围内。
[0026]步骤三、将所述版图B中的孤立图形选出，形成孤立图形集L1；如图1所示，所述孤立图形集L1是在不考虑版图A时单独看版图B里的孤立图形，因此，图1中的所述孤立图形集L1包含图形01和图形02。
[0027]本专利技术进一步地，本实施例的步骤三中用DRC规则(设计规则检查)将所述版图B中的孤立图形选出，形成孤立图形集L1。
[0028]步骤四、去除所述孤立图形集L1中与所述版图A中的图形间距小于最小间距的图形集L2；得到目标孤立图形集L3；如图1所示，孤立图形集L1包括图形01和图形02，其中与版图A中的图形03的间距小于最小间距的图形为图形01，因此，孤立图形中的图形01(即图形集L2)被去除，得到目标孤立图形集L3，即图形02。
[0029]步骤五、将所述孤立图形集L3中的孤立图形全部翻转至所述版图A。如图2所示，图2显示为本专利技术中将孤立图形集L3中的孤立图形全部翻转至版图A后的示意图。翻转后，图2中的图形02成为版图A中的图形。
[0030]本专利技术进一步地，本实施例的该方法还包括步骤六、对所述版图A和版图B进行OPC修正和仿真。
[0031]综上所述，本专利技术的方法在正常拆分之后找出版图B上的孤立图形，之后将其翻转到版图A，再对更新后的版图做常规OPC修正。本专利技术的方法可以避免版图B上出现大量孤立图形，解决版图B上孤立图形刻蚀工艺窗口不足的问题。所以，本专利技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0032]上述实施例仅例示性说明本专利技术的原理及其功效，而非用于限制本专利技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本专利技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利技术的权利要求所涵盖。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供原始未拆分版图；步骤二、根据拆分规则，将所述原始未拆分版图进行常规拆分得到版图A和版图B；步骤三、将所述版图B中的孤立图形选出，形成孤立图形集L1；步骤四、去除所述孤立图形集L1中与所述版图A中的图形间距小于最小间距的图形集L2；得到目标孤立图形集L3；步骤五、将所述孤立图形集L3中的孤立图形全部翻转至所述版图A。2.根据权利要求1所述的改善通孔层工艺窗口的双重版图拆分方法，其特征在于：步骤二中的所述拆分规则为：对间...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾晓敏，陈燕鹏，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：