硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法及装置和介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法及装置和介质，该方法包括：创建第一版图文件，调用标准肖特基版图，并将所述标准肖特基版图打平；根据预设的版图设计规则，分别调整肖特基的P型有源区、红外吸收区、N型有源区、N阱和保护环的尺寸，并进行DRC验证；所述P型有源区、N型有源区、N阱和保护环的尺寸调整为规则中的最小尺寸；基于所述预设的版图设计规则，利用M1金属层设计红外吸收区正上方的红外天线结构；利用接触孔与P型有源区、N型有源区和保护环连接，并分别将其导通至M1金属层；在M1金属层，将所有的N电极与保护环连接，形成P极与N极。本发明专利技术可以在相同的版图面积上做出尺寸更大的芯片，降低了工艺生产成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法及装置和介质


[0001]本专利技术涉及集成电路版图设计
，特别是涉及一种硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法及装置和介质。

技术介绍

[0002]集成电路的版图是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成一系列几何图形组合，所述几何图形组合是由不同层的几何图形相互组合而成，每层几何图像对应一层版图，各层版图相应于不同的工艺步骤。版图设计就是将电路元器件以及它们之间的连接关系转换成版图的形式来表示，版图设计通常使用专门的设计工具来完成。它包含了集成电路尺寸大小，各层拓扑定义等有关器件的所有物理性能。它不仅关系到集成电路的功能，而且对集成电路的性能和成本起决定作用。
[0003]近年来，随着红外成像技术的发展，红外探测器的材料从锑化铟到碲镉汞，再到二类超晶格，成像的规模从320
×
265到640
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512，再到1280
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1024，像元的间距从30um到15um，再到10um，红外探测器的种类、规格、大小均在不断发展和更新迭代，因此发展与标准本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法，其特征在于，所述方法包括：创建第一版图文件，调用标准肖特基版图，并将所述标准肖特基版图打平；根据预设的版图设计规则，分别调整肖特基的P型有源区、红外吸收区、N型有源区、N阱和保护环的尺寸，并进行DRC验证；其中，所述红外吸收区的尺寸调至所述预设的版图设计规则中的最大尺寸，用作吸收红外光波产生光电子；所述P型有源区、N型有源区、N阱和保护环的尺寸调整为规则中的最小尺寸；基于所述预设的版图设计规则，利用M1金属层设计红外吸收区正上方的红外天线结构；利用接触孔与P型有源区、N型有源区和保护环连接，并分别将其导通至M1金属层；在M1金属层，将所有的N电极与保护环连接，形成P极与N极。2.根据权利要求1所述的硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法，其特征在于，在所述在M1金属层，将所有的N电极与保护环连接，形成P极与N极之后，所述方法还包括：将P型有源区、红外吸收区和N型有源区设置为光电探测组合；在同一个N阱和保护环中，多次调用所述光电探测组合并进行横向阵列化排布，以实现红外探测单元的横向阵列化。3.根据权利要求1所述的硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法，其特征在于，在所述在M1金属层，将所有的N电极与保护环连接，形成P极与N极之后，所述方法还包括：创建第二版图文件，调用第一版图文件组合成阵列器件，其中阵列周期设计为第一版图文件整体尺寸与保护环尺寸之差，使将上下左右的保护环进行重叠。4.根据权利要求3所述的硅基红外探测器阵列芯片的版图设计方法，其特征在于，在所述创建第二版图文件，调用第一版图文件组合成阵列器件，其中阵列周期设计为第一版图文件整体尺寸与保护环尺寸之差，使将上下左右的保护环进行重叠之后，所述方法还包括：在M1金属层，将第二版图文件中第一版图单元器件的N极连接形成共N电极；在M2金属层、M3金属层以及M4金属层，利用金属过孔与各层导线的布局设计，将共N...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈惠，邵丽，汤林龙，史浩飞，
申请(专利权)人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：