一种用于厚铜电路板的图形转移方法技术

本发明专利技术公开了一种用于厚铜电路板的图形转移方法，包括步骤B:板面贴干膜，在电路板两面的铜层的表面均贴上干膜；步骤C:曝光，利用曝光设备对电路板的A面进行曝光以使得A面图形被曝光，而B面则整面完全曝光；步骤D:显影，在显影设备中使电路板A面中未曝光部分被显影而露出铜面；步骤E：蚀刻，对已完成显影的板面进行蚀刻，蚀刻掉非线路底铜；步骤F：去除干膜，去除电路板两面的干膜；步骤H：A面丝印线路湿膜500：根据A面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜500，填充导线侧面和基材区；步骤J:重复步骤B至步骤F，对电路板的B面进行与A面相同的操作。同的操作。同的操作。

【技术实现步骤摘要】
一种用于厚铜电路板的图形转移方法


[0001]本专利技术涉及电路板
，特别涉及一种用于厚铜电路板的图形转移方法。

技术介绍

[0002]现有的电路板蚀刻线普遍采用的是水平蚀刻方式，双面蚀刻时上表面是存在“水池效应”，PCB水平传送时，位于板子下面和板子上面靠近边缘部分，蚀刻液容易流走，新旧蚀刻液更容易进行交换；而板中心的位置，容易形成“水池”，蚀刻液流动受到限制；因此PCB板上面中间的线路会比其他位置的蚀刻效果差一些。即使使用现有的真空蚀刻，通过吸取使用过的蚀刻液来可改善板面上部分的蚀刻液的流动性，从而减少“水池效应”产生的负面影响，但是“水池效应”并没有被完全消除。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种用于厚铜电路板的图形转移方法，可避免水平蚀刻线存在的“水池效应”，从而提升蚀刻因子，减少导线的侧蚀量，导线顶部的宽度与导线底部的宽度差异减小，提高了导线宽度的精确度。
[0004]根据本专利技术实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，包括：
[0005]步骤B:板面贴干膜，在电路板两面的铜层的表面均贴上干膜；
[0006]步骤C:曝光，利用曝光设备对电路板的A面进行曝光以使得A面图形被曝光，而B面则整面完全曝光；
[0007]步骤D:显影，在显影设备中使电路板A面中未曝光部分被显影而露出铜面；
[0008]步骤E：蚀刻，对已完成显影的板面进行蚀刻，蚀刻掉非线路铜；
[0009]步骤F：去除干膜，去除电路板两面的干膜；
[0010]步骤H：A面丝印线路湿膜：根据A面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜，填充导线侧面和基材区；
[0011]步骤J:重复步骤B至步骤F，对电路板的B面进行与A面相同的操作。
[0012]根据本专利技术实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，完成步骤C后，在进行步骤D前还包括步骤C
‑
1：去除A面干膜的保护膜，保留B面干膜的保护膜。
[0013]根据本专利技术实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，完成步骤E后，进行步骤F之前，还包括步骤E
‑
1：去除B面的干膜保护膜。
[0014]根据本专利技术实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，进行步骤B前包括步骤A:板面前处理，将电路板两面的铜面进行清洁和粗化。
[0015]根据本专利技术实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，完成步骤F后，在进行步骤H前还包括步骤G，其中，步骤G为重复步骤A。
[0016]根据本专利技术实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，完成步骤H后，在进行步骤J前还包括步骤I：烤板。
[0017]根据本专利技术实施例所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，至少具有如下有益效果：在面对生产板面铜厚≥6oz的电路板时，在传统的双面蚀刻工艺中，由于单面蚀刻完成后，在对另一面蚀刻时，已完成蚀刻的板面由于有水渍残留而不可避免地导致产生“水池效应”，即，板面有残留的药液，在显影或蚀刻时，上喷的药水无法及时流走对已完成另一板面又产生蚀刻，导致两次蚀刻后蚀刻因子在3
‑
3.5左右，存在较大的侧蚀量,导线顶部的宽度与导线底部的宽度相差较大，从而影响了导线宽度的精确度，因此，本申请改善传统双面蚀刻的工艺。
[0018]在对A面蚀刻时，先对电路板未加工的B面进行保护，避免上喷的药液飞溅与B面的板面上而对铜层造成蚀刻，具体地，在对A面进行贴干膜时，同时对B面也进行贴干膜，但在A面进行曝光前，需要先将A面的干膜保护膜撕掉而使得A面可被显影，但是B面的干膜保护膜则保留至A面完成蚀刻后再去除，主要目的是在A面进行显影和蚀刻时保护B面的的干膜和铜层。
[0019]在当A面完成曝光工序后，A面进行显影工序，具体地，面朝下，A面图形中没有被曝光的部分，被显影干净而露出铜面。显影结束后对A面进行蚀刻工艺。
[0020]在对电路板的A面完成蚀刻后，根据A面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜，填充导线侧面和基材区，其中，由于湿膜的填充能力强，利用湿膜将对A面的导线侧面和基材区进行填充及后续的A面贴干膜，而使得已完成蚀刻的A面被湿膜和干膜覆盖，湿膜和干膜对A面的图形起到保护作用，在对电路板的B面进行蚀刻时，即使出现药液上喷也可使得A面不受水渍积聚于A面上而对A面的图形造成蚀刻。
[0021]同样地，在对A面完成图形转移后，对B面进行同样的操作。
[0022]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0023]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0024]图1为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的工艺流程图；
[0025]图2为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面覆铜板示意图；
[0026]图3为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面贴干膜示意图；
[0027]图4为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的A面图形曝光和B面整体曝光示意图；
[0028]图5为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的A面显影示意图；
[0029]图6为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的A面蚀刻示意图；
[0030]图7为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面退干膜示意图；
[0031]图8为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的线路湿膜示意图；
[0032]图9为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面贴干膜示意
图；
[0033]图10为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的B面图形曝光和A面整体曝光示意图；
[0034]图11为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的B面显影示意图；
[0035]图12为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的B面蚀刻示意图；
[0036]图13为本专利技术实施例的一种用于厚铜电路板的图形转移方法的双面退干膜示意图。
[0037]附图标记说明：
[0038]绝缘层100；
[0039]铜层200；
[0040]未曝光干膜300；干膜保护膜310；
[0041]曝光后干膜400；
[0042]湿膜500。
具体实施方式
[0043]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0044]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于厚铜电路板的图形转移方法，其特征在于，包括：步骤B:板面贴干膜，在电路板两面的铜层的表面均贴上干膜；步骤C:曝光，利用曝光设备对电路板的A面进行曝光以使得A面图形被曝光，而B面则整面完全曝光；步骤D:显影，在显影设备中使电路板A面中未曝光部分被显影而露出铜面；步骤E：蚀刻，对已完成显影的板面进行蚀刻，蚀刻掉非线路铜；步骤F：去除干膜，去除电路板两面的干膜；步骤H：A面丝印线路湿膜：根据A面的图形分布制作网版并在板面丝印线路湿膜，填充导线侧面和基材区；步骤J:重复步骤B至步骤F，对电路板的B面进行与A面相同的操作。2.根据权利要求1所述的一种用于厚铜电路板的图形转移方法，其特征在于，完成步骤C后，在进行步骤D前还包括步骤C

【专利技术属性】
技术研发人员：汪志清，何君，
申请(专利权)人：江门市君业达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：