半导体芯片、其制备方法及电子设备技术

本申请公开了一种半导体芯片、其制备方法及电子设备。其中，该半导体芯片，包括衬底和位于衬底上的Fin FET；Fin FET包括：鳍部、横跨鳍部且相对设置的两个侧墙以及位于两个侧墙所限定的沟槽中的栅极结构；栅极结构包括依次层叠设置的栅介电层和栅金属层，栅金属层包括TiSiN层。即采用TiSiN材料进行空隙的填充，在填充TiSiN的过程中，由于Si的掺杂可以破坏TiN的晶格结构，从而使形成的TiSiN薄膜成为非晶化薄膜，不会因为晶粒过大使空隙提前封口，因此本申请提供的栅极结构中TiSiN层具有优异的空隙填充能力，能够实现高深宽比的无缝填充。且低硅浓度的TiSiN具有与TiN相仿甚至更低的电阻率，因此可以实现低电阻率的栅极结构。因此可以实现低电阻率的栅极结构。因此可以实现低电阻率的栅极结构。因此可以实现低电阻率的栅极结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：张珂豪，刘熹，叶约翰，林军，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：