温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种半导体芯片、其制备方法及电子设备。其中，该半导体芯片，包括衬底和位于衬底上的Fin FET；Fin FET包括：鳍部、横跨鳍部且相对设置的两个侧墙以及位于两个侧墙所限定的沟槽中的栅极结构；栅极结构包括依次层叠设置的栅介电层和...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。