半导体器件版图结构及其制作方法技术

本公开实施例提供一种半导体器件版图结构及其制作方法，其中，所述半导体器件版图结构包括有源区版图层，所述有源区版图层包括第一有源区图案，和与至少两个第一有源区图案共接的第二有源区图案；漏极接触层，用于形成漏极接触插塞，位于第一有源区图案上；源极接触层，用于形成源极接触插塞，位于第二有源区图案上；栅极层，所述栅极层包括沿第一方向延伸的栅极图案，所述栅极图案位于所述第一有源区图案上且远离所述漏极接触层的方向，所述栅极图案用于形成栅极；其中，所述栅极层、所述有源区版图层、所述源极接触层、所述漏极接触层用于形成至少两个半导体子器件，所述至少两个半导体子器件共用一个所述源极接触插塞。导体子器件共用一个所述源极接触插塞。导体子器件共用一个所述源极接触插塞。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件版图结构及其制作方法


[0001]本公开涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体器件版图结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，集成电路已经从单一的芯片上集成数十个器件发展为集成数百万器件，传统的集成电路的密度已经不能满足当前的需求，因此，需要不断地提高集成电路的密度。提高集成电路的密度可以提高集成电路的复杂性和性能，使得半导体器件更具有挑战性。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体器件版图结构及其制作方法。
[0004]第一方面，本公开实施例提供一种半导体器件版图结构，有源区版图层，所述有源区版图层包括第一有源区图案，和与至少两个第一有源区图案共接的第二有源区图案；
[0005]漏极接触层，用于形成漏极接触插塞，位于第一有源区图案上；
[0006]源极接触层，用于形成源极接触插塞，位于第二有源区图案上；
[0007]栅极层，所述栅极层包括沿第一方向延伸的栅极图案，所述栅极图案位于所述第一有源区图案上且远离所述漏极接触层的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件版图结构，其特征在于，包括有源区版图层，所述有源区版图层包括第一有源区图案，和与至少两个第一有源区图案共接的第二有源区图案；漏极接触层，用于形成漏极接触插塞，位于第一有源区图案上；源极接触层，用于形成源极接触插塞，位于第二有源区图案上；栅极层，所述栅极层包括沿第一方向延伸的栅极图案，所述栅极图案位于所述第一有源区图案上且远离所述漏极接触层的方向，所述栅极图案用于形成栅极；其中，所述栅极层、所述有源区版图层、所述源极接触层、所述漏极接触层用于形成至少两个半导体子器件，所述至少两个半导体子器件共用一个所述源极接触插塞。2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述版图结构形成的至少两个半导体子器件在所述第一方向上平行排布，所述至少两个半导体子器件共用一个所述栅极。3.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述版图结构形成的至少两个半导体子器件在第二方向上平行排布，所述半导体子器件分别对应在第二方向上平行排布的所述栅极，其中所述第一方向垂直于所述第二方向。4.根据权利要求2所述的版图结构，其特征在于，所述版图结构形成的至少两个半导体子器件在所述第一方向上平行排布，至少两个半导体子器件在第二方向上平行排布，至少四个半导体子器件共用一个源极接触插塞，其中所述第一方向垂直于所述第二方向。5.根据权利要求2或3所述的版图结构，其特征在于，所述有源区版图层还包括至少一个凸起图案；所述凸起图案的宽度与所述第二有源区图案的宽度相等，所述凸起图案的长度小于或等于所述宽度，其中，所述宽度是指所述第二有源区图案沿第二方向的版图长度。6.根据权利要求4所述的版图结构，其特征在于，所述有源区版图层还包括至少一个交叠区图案；所述版图结构形成的至少四个半导体子器件在所述第一方向上平行排布，所述版图结构包括至少两个第二有源区图案，所述至少两个第二有源区图案通过至少一个交叠区图案连接。7.根据权利要求6所述的版图结构，其特征在于，所述有源区版图层还包括至少两个凸起图案；第一凸起图案与一个第二有源区图案的一端连接，第二凸起图案与另一个第二有源区图案的远离所述第一凸起图案的一端连接。8.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述半导体器件版图结构还包括导线层，所述源极接触层、所述漏极接触层、所述栅极层通过所述导线层分别与对应的源极测试端、漏极测试端、栅极测试端连接。9.一种半导体器件版图结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有源区版图层，所述有源区版图层包括第一有源区图案，和与至少两个第一有源区图案共接的第二有源区图案；在所述第一有源区图案上形成漏极接触层...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙雨萌，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：