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本公开实施例提供一种半导体器件版图结构及其制作方法，其中，所述半导体器件版图结构包括有源区版图层，所述有源区版图层包括第一有源区图案，和与至少两个第一有源区图案共接的第二有源区图案；漏极接触层，用于形成漏极接触插塞，位于第一有源区图案上；源...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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