一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法制造方法及图纸

本申请公开了一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法，用以在加工晶圆的过程中，避免干燥过程中的图案倒塌，从而提高晶圆良率。本申请提供的一种晶圆加工装置，包括：腔室；第一喷嘴，设置于所述腔室内，且所述第一喷嘴用于向所述晶圆喷涂干燥剂；负压腔室，所述负压腔室位于所述腔室内；真空泵，所述真空泵位于所述腔室外，其中，所述真空泵与所述负压腔室之间通过管道相连；所述负压腔室设置在垂直于所述晶圆的方向上，所述负压腔室由所述真空泵经过所述管道吸气，令所述腔室内部产生负压，从而降低通过所述第一喷嘴喷涂到晶圆上的干燥剂的表面压强。的表面压强。的表面压强。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(DRAM)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器。随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小以及深宽比越来越高，在干燥过程中容易导致图案(pattern)倒塌，影响晶圆良率。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法，用以在加工晶圆的过程中，避免干燥过程中的图案倒塌，从而提高晶圆良率。
[0004]本申请实施例提供的一种晶圆加工装置，包括：
[0005]腔室；
[0006]第一喷嘴，设置于所述腔室内，且所述第一喷嘴用于向所述晶圆喷涂干燥剂；
[0007]负压腔室，所述负压腔室位于所述腔室内；
[0008]真空泵，所述真空泵位于所述腔室外，其中，所述真空泵与所述负压腔室之间通过管道相连；
[0009]所述负压腔室设置在垂直于所述晶圆的方向上，所述负压腔室由所述真空泵经过所述管道吸气，令所述腔室内部产生负压，从而降低通过所述第一喷嘴喷涂到晶圆上的干燥剂的表面压强。
[0010]可选地，所述腔室内还设置有第二喷嘴，所述第二喷嘴用于供给惰性气体；
[0011]在所述晶圆的旋转方向上，所述第一喷嘴在所述第二喷嘴的前方。
[0012]可选地，所述负压腔室包括第一部分和第二部分；其中，在垂直于所述晶圆的方向上，所述第一部分位于所述第二部分上方，且在平行于所述晶圆的方向上，所述第一部分的投影区域位于所述第二部分的投影区域内。
[0013]可选地，所述装置还包括：
[0014]控制器，用于控制所述真空泵对所述负压腔室抽真空，以及控制所述负压腔室移动。
[0015]可选地，所述负压腔室内置真空计；
[0016]所述控制器还用于通过根据所述真空计的数值，调整所述真空泵的功率。
[0017]可选地，所述管道包括波纹管和/或直管。
[0018]可选地，所述装置还包括：步进电机；
[0019]所述控制器还用于通过控制所述步进电机带动所述波纹管和/或直管，控制所述负压腔室在平行于所述晶圆的平面上，和/或在垂直于所述晶圆的平面上移动。
[0020]可选地，所述装置还包括：
[0021]烘干装置，所述烘干装置设置于所述晶圆下方，用于对所述晶圆进行加热干燥。
[0022]可选地，所述烘干装置包括发光二极管LED灯。
[0023]可选地，所述控制器还用于：
[0024]根据所述第一喷嘴的位置，调整所述LED灯的温度变化，使得特定区域内的LED灯的温度高于其他位置处的LED灯的温度；其中，所述特定区域，包括所述第一喷嘴在垂直于所述晶圆的方向上的投影区域。
[0025]本申请实施例提供的一种晶圆加工控制方法，所述方法基于任一项所述的装置来实现，所述方法包括以下步骤：
[0026]控制所述装置中的真空泵开启；
[0027]按照预设参数列表，控制所述装置中的第一喷嘴、负压腔室的位置变化。
[0028]可选地，所述方法还包括：
[0029]按照预设参数列表，控制所述装置中的第二喷嘴的位置变化。
[0030]可选地，所述方法还包括：
[0031]按照预设参数列表，控制所述装置中的负压腔室的真空度。
[0032]可选地，所述负压腔室的位置变化包括所述负压腔室在平行于所述晶圆的方向上的移动，和/或所述负压腔室在垂直于所述晶圆的方向上的移动。
[0033]本申请另一实施例提供了一种计算设备，其包括存储器和处理器，其中，所述存储器用于存储程序指令，所述处理器用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序执行上述任一种方法。
[0034]此外，根据实施例，例如提供了一种用于计算机的计算机程序产品，其包括软件代码部分，当所述产品在计算机上运行时，这些软件代码部分用于执行上述所定义的方法的步骤。该计算机程序产品可以包括在其上存储有软件代码部分的计算机可读介质。此外，该计算机程序产品可以通过上传过程、下载过程和推送过程中的至少一个经由网络直接加载到计算机的内部存储器中和/或发送。
[0035]本申请另一实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使所述计算机执行上述任一种方法。
[0036]本申请实施例通过位于所述腔室内的所述负压腔室，经由所述真空泵经过所述管道吸气，令所述腔室内部产生负压，从而降低通过所述第一喷嘴喷涂到晶圆上的干燥剂的表面压强，因此，在加工晶圆的过程中，避免了干燥过程中的图案倒塌，提高了晶圆良率。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0038]图1为本申请实施例提供的干燥剂沸点与压强的关系曲线示意图；
[0039]图2为本申请实施例提供的晶圆加工装置的结构示意图；
[0040]图3为本申请实施例提供的负压腔室的结构示意图；
[0041]图4为本申请实施例提供的晶圆加工装置的结构示意图；
[0042]图5a为本申请实施例提供的LED布局示意图；
[0043]图5b为图5a对应的LED俯视布局示意图；
[0044]图6为本申请实施例提供的晶圆加工流程中需要用到的预设参数列表示意图；
[0045]图7为本申请实施例提供的负压腔室、第一喷嘴、第二喷嘴在初始位置和工作位置转换的示意图；
[0046]图8为本申请实施例提供的晶圆加工控制方法的流程示意图；
[0047]图9为本申请实施例提供的晶圆加工控制装置的结构示意图。
具体实施方式
[0048]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0049]本申请实施例提供了一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法，用以在加工晶圆的过程中，避免干燥过程中的图案倒塌，从而提高晶圆良率。
[0050]其中，方法和装置是基于同一申请构思的，由于方法和装置解决问题的原理相似，因此装置和方法的实施可以相互参见，重复之处不再赘述。
[0051]本申请实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工装置，其特征在于，所述装置包括：腔室；第一喷嘴，设置于所述腔室内，且所述第一喷嘴用于向所述晶圆喷涂干燥剂；负压腔室，所述负压腔室位于所述腔室内；真空泵，所述真空泵位于所述腔室外，其中，所述真空泵与所述负压腔室之间通过管道相连；所述负压腔室设置在垂直于所述晶圆的方向上，所述负压腔室由所述真空泵经过所述管道吸气，令所述腔室内部产生负压，从而降低通过所述第一喷嘴喷涂到晶圆上的干燥剂的表面压强。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述腔室内还设置有第二喷嘴，所述第二喷嘴用于供给惰性气体；在所述晶圆的旋转方向上，所述第一喷嘴在所述第二喷嘴的前方。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述负压腔室包括第一部分和第二部分；其中，在垂直于所述晶圆的方向上，所述第一部分位于所述第二部分上方，且在平行于所述晶圆的方向上，所述第一部分的投影区域位于所述第二部分的投影区域内。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：控制器，用于控制所述真空泵对所述负压腔室抽真空，以及控制所述负压腔室移动。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述负压腔室内置真空计；所述控制器还用于通过根据所述真空计的数值，调整所述真空泵的功率。6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述管道包括波纹管和/或直管。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：步进电机；所述控制器还用于通过控制所述步进电机带动所述波纹管和/或直管，控制所述负压腔室在平行于所述晶圆的平面上，和/或在垂直于所述晶圆的平面上移动。8.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：烘干装置，所述烘干装置设置于所述晶圆下方，用于对所述晶圆进行加热干燥。...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁健忠，朱小锋，郗宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：