光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法技术方案

本发明专利技术公开了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法。该方法包括：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，第一图形区域包括多个第一曝光图形，用于在第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，第二图形区域包括多个第二曝光图形，用于在第二材料层上形成第二对位标记，第一对位标记与第二对位标记在目标基体的垂直投影不重叠；至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，用于在第三材料层上形成第三对位标记。成第三对位标记。成第三对位标记。

【技术实现步骤摘要】
光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，具体而言，涉及一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、确定装置、光刻系统、对位标记的制作方法及导电插塞的制作方法。

技术介绍

[0002]集成电路制造在不断发展，器件的特征尺寸随之也不断减小，使得在光有不断缩小的特征尺寸的同时，还需要提高光刻工艺的套准精度。其中，套准精度（OVL，Overlay）是整个制程中当前层与前层的叠对精度，是光刻机的重要性能指标之一，如果套准精度超过误差容忍度，那么前层和当前层的层间设计电路就可能会发生偏移，导致前层和当前层短路或断路，从而影响器件产品的良率和性能。
[0003]另外，在现行曝光机的对准工艺上其对准系统与套刻精度OVL Mark设计上都是只能支持单层对单层的补正，因此，如果在需要当前层同时对准前两层的情况下，如果前两层本身互相之间已经存在套刻精度的偏差，从而使得当前层与前两层中的任意一层对准的情况下，该当前层与前两层中的另一层也存在套刻精度的偏差，最终导致形成的产品层间布线接触不良，导致严重的泄电问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、确定装置、光刻系统、对位标记的制作方法及导电插塞的制作方法，以解决现有技术中层间套刻精度存在偏差导致的泄电的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，该方法包括：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个第二曝光图形用于在目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，目标基体具有第一表面，第一对位标记与第二对位标记在第一表面上投影不重叠；至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个第三曝光图形用于在目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
[0006]可选地，获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，包括：确定多个第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合；将第一坐标范围集合生成第一位置信息。
[0007]可选地，获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，包括：确定多个第二曝光图形在参考坐标系中的第二坐标范围集合；将第二坐标范围集合生成第二位置信息。
[0008]可选地，至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：获取多个第三曝光图形在参考坐标系中的初始坐标范围集合；根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，其中，平均坐标范围集合中的每个平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息；根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的第一位置信息。
[0009]可选地，根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，包括：从第一坐标范围集合中筛选出多个第一目标坐标范围，其中，第一图形区域包括多个第一曝光单元，每个第一曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第一曝光图形，多个第一目标坐标范围为每个第一曝光单元中互不相邻的多个第一曝光图形的坐标范围；根据多个第一目标坐标范围，从第二坐标范围集合中筛选出多个第二目标坐标范围，其中，第二图形区域包括多个第二曝光单元，每个第二曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第二曝光图形，多个第二目标坐标范围为每个第二曝光单元中互不相邻的多个第二曝光图形的坐标范围，多个第二目标坐标范围与多个第一目标坐标范围不重叠；确定第一目标曝光图形的几何中心的第一坐标值，其中，第一目标曝光图形为与第一目标坐标范围对应的第一曝光图形；确定第二目标曝光图形的几何中心的第二坐标值，其中，第二目标曝光图形为与第二目标坐标范围对应的第二曝光图形；计算第一坐标值与第二坐标值的平均坐标值，得到平均坐标值。
[0010]可选地，根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定目标位置信息，其中，目标位置信息包括与每个第三曝光图形的几何中心对应目标坐标值，目标坐标值与平均坐标值一一对应，每个目标坐标值与对应的平均坐标值间距相同。
[0011]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定装置，该装置包括：第一获取模块，用于获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；第二获取模块，用于获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个第二曝光图形用于在目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，目标基体具有第一表面，第一对位标记与第二对位标记在第一表面上投影不重叠；确定模块，用于至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个第三曝光图形用于在目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
[0012]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种光刻系统，该光刻系统包括：光刻设备；处理器；用于存储处理器可执行指令的存储器；其中，处理器被配置为执行指令，以实现如上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，得到光刻掩膜版中曝光图形的位置信息，光刻设备用于根据位置信息，对目标基体进行光刻。
[0013]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种对位标记的制作方法，该制作方法包括：提供目标基体，目标基体为多层结构，且目标基体中形成有位于不同层的第一对位标
记和第二对位标记；采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，确定曝光图形在目标掩膜版中位置信息；根据位置信息，对目标基体中的目标层进行刻蚀，形成标记凹槽，标记凹槽分别与第一对位标记和第二对位标记位于不同层中；在标记凹槽中形成对位标记。
[0014]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种导电插塞的制作方法，该制作方法包括：提供半导体基体，半导体基体具有衬底、栅极、源/漏区和绝缘层，源/漏区位于衬底中，绝缘层位于源/漏区远离衬底的一侧，半导体基体中形成有位于不同层的第一对位标记和第二对位标记；采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，确定曝光图形在目标掩膜版中位置信息；根据位置信息，对半导体基体中的目标层进行刻蚀，形成分别贯穿至栅极与源/漏区的孔结构；在孔结构中形成对位标记导电插塞。
[0015]应用本专利技术的技术方案，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，所述第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个所述第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，所述第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个所述第二曝光图形用于在所述目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，所述目标基体具有第一表面，所述第一对位标记与所述第二对位标记在所述第一表面上投影不重叠；至少根据所述第一位置信息和所述第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，所述第三光刻掩膜版用于通过所述第三图形区域同时与所述第一对位标记和所述第二对位标记进行对位，所述第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个所述第三曝光图形用于在所述目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。2.根据权利要求1所述的确定方法，其特征在于，所述获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，包括：确定多个所述第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合；将所述第一坐标范围集合生成所述第一位置信息。3.根据权利要求2所述的确定方法，其特征在于，所述获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，包括：确定多个所述第二曝光图形在所述参考坐标系中的第二坐标范围集合；将所述第二坐标范围集合生成所述第二位置信息。4.根据权利要求3所述的确定方法，其特征在于，所述至少根据所述第一位置信息和所述第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：获取多个所述第三曝光图形在所述参考坐标系中的初始坐标范围集合；根据所述第一坐标范围集合和所述第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，其中，所述平均坐标范围集合中的每个平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息；根据所述平均坐标范围集合和所述初始坐标范围集合，确定所述第三图形区域在所述第三光刻掩膜版中的所述目标位置信息。5.根据权利要求4所述的确定方法，其特征在于，所述根据所述第一坐标范围集合和所述第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，包括：从所述第一坐标范围集合中筛选出多个第一目标坐标范围，其中，所述第一图形区域包括多个第一曝光单元，每个第一曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个所述第一曝光图形，多个所述第一目标坐标范围为每个所述第一曝光单元中互不相邻的多个第一曝光图形的坐标范围；根据多个所述第一目标坐标范围，从所述第二坐标范围集合中筛选出多个第二目标坐标范围，其中，所述第二图形区域包括多个第二曝光单元，每个第二曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个所述第二曝光图形，多个所述第二目标坐标范围为每个所述第二曝光单元中互不相邻的多个第二曝光图形的坐标范围，多个所述第二目标坐标范围与多个所述第一目标坐标范围不重叠；
确定第一目标曝光图形的几何中心的第一坐标值，其中，所述第一目标曝光图形为与所述第一目标坐标范围对应的第一曝光图形；确定第二目标曝光图形的几何中心的...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗丁硕，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：