形成硅锗结构的方法技术

公开了用于形成结构的方法，包括在衬底上形成异质外延层。当前公开的方法包括在衬底上外延形成缓冲层。衬底具有衬底成分。缓冲层具有缓冲层成分。缓冲层成分基本与衬底成分相同。当前公开的方法还包括在缓冲层上外延形成异质外延层。异质外延层具有不同于衬底成分的异质外延层成分。异质外延层成分。异质外延层成分。

【技术实现步骤摘要】
形成硅锗结构的方法


[0001]本公开总体涉及用于形成硅
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硅锗叠层的方法以及相关结构。这种结构在集成电路领域中是有用的，例如在全栅或纳米片场效应晶体管的环境中。

技术介绍

[0002]在三维晶体管中，纳米片场效应晶体管(FET)由于降低的漏电流和高驱动电流而被认为是有前途的下一代器件。通过首先沉积一个或多个顺序的SiGe和Si层对，并且通过随后去除SiGe层以形成一个或多个Si纳米片，来形成纳米片FET沟道。就均匀的器件性能而言，界面的化学突变对于器件应用至关重要。扩散界面会使沟道表面变粗糙，这会导致载流子散射和沟道厚度的变化。
[0003]先前已经在Si 001衬底上成功地获得了具有良好化学突变的界面，但是在Si 110衬底上仍具有挑战性。事实上，与Si 100衬底上的SiGe/Si多叠层相比，Si 110衬底上的SiGe/Si多叠层往往遭受更快的弛豫和更扩散的SiGe
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Si界面。

技术实现思路

[0004]本文描述了一种形成外延结构的方法。该方法包括向反应室提供衬底。衬底包括单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成外延结构的方法，该方法包括:
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向反应室提供衬底，该衬底包括单晶(110)硅表面；
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将衬底暴露于第一硅前体，从而在(110)硅表面上外延形成单晶硅缓冲层；
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执行一个或多个沉积循环，沉积循环按给定顺序包括:
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SiGe脉冲，其中SiGe脉冲包括将衬底暴露于第二硅前体和锗前体；
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Si脉冲，其中Si脉冲包括将衬底暴露于第三硅前体；从而外延形成覆盖单晶硅缓冲层的一个或多个双层，双层包括SiGe层和Si层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述衬底暴露于第一硅前体的步骤和执行所述一个或多个沉积循环的步骤在同一反应室中执行，没有任何中间真空中断。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述反应室保持在至少5托到至多80托的压力下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在载气流中将所述第一硅前体、第二硅前体、第三硅前体和锗前体中的至少一种提供给所述反应室。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第一硅前体、第二硅前体和第三硅前体独立地选自硅烷和卤代硅烷。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述第一硅前体包括卤代硅烷。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，在将所述衬底暴露于所述第一硅前体的步骤之前进行清洁衬底的步骤。8.根据权利要求7所述的方法，其中，清洁所述衬底的步骤包括将衬底暴露于氢气和将衬底暴露于氟自由基中的一个或多个。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述第一硅前体、第二硅前体和第三硅前体...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：