半导体层叠物和半导体层叠物的制造方法技术

半导体层叠物和半导体层叠物的制造方法，得到具有p型层的高品质的半导体层叠物。半导体层叠物具备：衬底；设于衬底的上方，具有含Mg的Ⅲ族氮化物的p型层，p型层中的C浓度低于5

【技术实现步骤摘要】
半导体层叠物和半导体层叠物的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体层叠物和半导体层叠物的制造方法。

技术介绍

[0002]作为得到p型Ⅲ族氮化物晶体的制造方法，公开有各种各样的方法(例如，专利文献1、2和非专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2008/117750号
[0006]专利文献2：国際公开第2004/061923号
[0007]非专利文献
[0008]非专利文献1：Y.Mori et al.：Japanese Journal of Applied Physics 58，SC0803(2019)

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的问题
[0010]本专利技术的目的在于，得到具有p型层的高品质的半导体层叠物。
[0011]解决问题的手段
[0012]根据本专利技术的一个方式，可提供一种半导体层叠物，其具备：
[0013]衬底；
[0014]设于所述衬底的上方，具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体层叠物，其具备：衬底；设于所述衬底的上方，具有含Mg的Ⅲ族氮化物的p型层，所述p型层中的C浓度低于5
×
10
15
cm
－3
，所述p型层中的O浓度低于5
×
10
15
cm
－3
，所述p型层中的Si浓度低于1
×
10
15
cm
－3
，所述p型层中的F浓度为1
×
10
14
cm
－3
以上。2.根据权利要求1所述的半导体层叠物，其中，具备设于所述衬底与所述p型层之间，具有Ⅲ族氮化物的基底层，所述基底层中的C浓度低于5
×
10
15
cm
－3
，所述基底层中的O浓度低于5
×
10
15
cm
－3
，比较所述基底层和所述p型层的界面附近的两侧的Mg浓度的比率B/A为100以上，其中，所述A，是从所述界面朝向厚度方向在所述基底层侧100nm位置处的Mg浓度，所述B，是从所述界面朝向厚度方向在所述p型层侧100nm位置处的Mg浓度。3.一种半导体层叠物，其具备：衬底；设于所述衬底上，具有Ⅲ族氮化物的基底层；设于所述基底层上，具有含Mg的Ⅲ族氮化物的p型层，所述基底层和所述p型层各自的C浓度低于5
×
10
15
cm
－3
，所述基底层和所述p型层各自的O浓度低于5
×
10
15
cm
－3
，所述p型层中的Si浓度低于1
×
10
15
cm
－3
，比较所述基底层和所述p型层的界面附近的两侧的Mg浓度的比率B/A为100以上，其中，所述A，是从所述界面朝向厚度方向在所述基底层侧100nm位置处的Mg浓度，所述B，是从所述界面朝向厚度方向在所述p...

【专利技术属性】
技术研发人员：金木奖太，藤仓序章，今野泰一郎，木村健司，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：