下载形成硅锗结构的方法的技术资料

文档序号:38423628

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

公开了用于形成结构的方法,包括在衬底上形成异质外延层。当前公开的方法包括在衬底上外延形成缓冲层。衬底具有衬底成分。缓冲层具有缓冲层成分。缓冲层成分基本与衬底成分相同。当前公开的方法还包括在缓冲层上外延形成异质外延层。异质外延层具有不同于衬底...
该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。