一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法及射频器件技术

本发明专利技术公开了一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法，预先在高阻Si衬底上通过物理气相沉积(PVD)生长一层溅射的AlN薄膜，随后在PVD

【技术实现步骤摘要】
一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法及射频器件


[0001]本专利技术属于半导体
，特别涉及一种解决硅基氮化镓射频器件在应用中面临的射频损耗问题的方法。

技术介绍

[0002]以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物半导体具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度以及强极化效应等优异的性质，特别是基于硅(Si)衬底和碳化硅(SiC)衬底上的铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)异质结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有功率密度大、器件体积小及可在高频下应用等优异特性，因此在射频器件领域大有可为。
[0003]目前商业化的GaN基射频器件一般是采用SiC衬底进行AlGaN/GaN异质结构的外延，这得益于SiC衬底较好的散热性能和射频表现。而另一种衬底Si目前被应用得较少，主要原因之一就是由于Si上GaN基射频器件存在非常严重的射频损耗问题，导致器件工作效率低下，造成大量能量的损耗，故很难较快投入商业化应用。但是，Si上GaN基射频器件由于采用了具有更大尺寸和更低价格的Si作为衬底，因此拥有绝对的成本优势；而且由于Si基成熟的大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法，通过MOCVD在Si衬底上制备GaN基材料，其特征在于，在高阻Si衬底上先通过物理气相沉积技术生长一层溅射的AlN薄膜，随后在该AlN薄膜上采用MOCVD进行后续GaN基材料的外延生长。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，生长所述AlN薄膜时，溅射温度为500～1000℃。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，生长所述AlN薄膜时，溅射温度为700～1000℃。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AlN薄膜的厚度为100～500nm。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述AlN薄膜的厚度为150～250nm。6.一种低损耗的GaN基射频器件，其特征在于，所述GaN基射频器件的衬底为高阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨学林，沈波，张立胜，许福军，
申请(专利权)人：北京中博芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：