曝光装置和曝光方法制造方法及图纸

一种曝光装置和曝光方法。实施方式的曝光装置对基板进行曝光。曝光装置包括载台、存储装置以及控制装置。载台构成为能够保持基板。存储装置构成为能够存储具有互不相同的对准校正值的多个校正图。控制装置基于被配置于基板的多个对准标记的测量结果或基板的翘曲量从多个校正图中选择一个校正图。控制装置通过基于选择出的一个校正图使载台移动来控制对基板的曝光位置。基板的曝光位置。基板的曝光位置。

【技术实现步骤摘要】
曝光装置和曝光方法


[0001]实施方式涉及一种曝光装置和曝光方法。

技术介绍

[0002]已知一种三维地层叠半导体电路基板的三维层叠技术。

技术实现思路

[0003]一个实施方式改善半导体装置的成品率。
[0004]实施方式的曝光装置对基板进行曝光。曝光装置包括载台、存储装置以及控制装置。载台构成为能够保持基板。存储装置构成为能够存储具有互不相同的对准校正值的多个校正图。控制装置基于被配置于基板的多个对准标记的测量结果或基板的翘曲量从多个校正图中选择一个校正图。控制装置通过基于选择出的一个校正图使载台移动来控制对基板的曝光位置。
[0005]根据上述的结构，能够改善半导体装置的成品率。
附图说明
[0006]图1是表示半导体装置的制造方法的概要的概略图。
[0007]图2是表示在半导体装置的制造工序中可能产生的重合偏差分量的一例的示意图。
[0008]图3是表示在半导体装置的制造工序中使用的对准标记的配置的一例的示意图。
[0009]图4是表示在半导体装置的制造工序中使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，对基板进行曝光，其特征在于，具备：载台，构成为能够保持所述基板；存储装置，构成为能够存储具有互不相同的对准校正值的多个校正图；以及控制装置，构成为基于被配置于所述基板的多个对准标记的测量结果或所述基板的翘曲量从所述多个校正图中选择一个校正图，基于选择出的所述一个校正图使所述载台移动，由此控制对所述基板的曝光位置。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光处理包括对所述基板的多个曝光区域的曝光，所述校正图包含每个曝光区域的对准校正值。3.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，还具备测量所述多个对准标记的测量装置，所述控制装置在所述基板的曝光处理中，基于所述多个对准标记的测量结果，计算所述基板的面内的倍率分量的对准校正系数，基于所述对准校正系数的大小，从所述多个校正图中选择一个校正图。4.一种曝光装置，对基板进行曝光，其特征在于，具备：载台，构成为能够保持所述基板；测量装置，构成为能够测量形成于所述基板上的多个对准标记；以及控制装置，构成为通过基于第一对准校正系数和第二对准校正系数使所述载台移动来控制对所述基板的曝光位置，所述控制装置在所述基板的曝光处理中，通过使用了所述对准标记的测量结果的多项式回归，来计算所述第一对准校正系数，基于所述第一对准校正系数的大小或所述基板的翘曲量，对所述第二对准校正系数进行校正。5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述第一对准校正系数与倍率分量的位置偏差对应。6.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，通过所述多项式回归来计算所述第二对准校正系数，基于所述第一对准校正系数的大小对所述第二对准校正系数进行校正。7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，通过使用了X方向以及与所述X方向交叉的Y方向的坐标系来表现曝光位置，在将X坐标设为“x”、将Y坐标设为“y”的情况下，所述X方向的对准校正式包括K3
·
x与K17
·
x
·
y2之和，所述Y方向的对准校正式包括K4
·
y与K18
·
x2·
y之和，所述K3及所述K4与所述第一对...

【专利技术属性】
技术研发人员：水田吉郎，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：