一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法技术

本发明专利技术公开了一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法，涉及晶圆化镀技术领域，具体包括以下步骤：针对晶圆表面污渍的不同，在前处理过程中，进行了两次的清洗，从而可以有效的去除晶圆表面残留的油污和灰尘颗粒，使得清洗处理后的晶圆表面清洗均匀且晶圆表面无明显缺陷，由于清洗液中并未添加有毒有害环境的物质，使得整个晶圆的清洗过程中不产生对环境有污染的物质，从而也提高了晶圆前处理整个过程中的绿色环保性，为人们的使用带来了便利；在晶圆的表面进行了镀膜处理，从而使得处理好的在晶圆表面上获得超薄聚甲基丙烯酸薄膜，使得晶圆的表面更加光滑均匀，在之后的化镀过程中，可以使得镀上的金属物质更加均匀，增加了晶圆整体使用时的耐用性。体使用时的耐用性。体使用时的耐用性。

【技术实现步骤摘要】
一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法


[0001]本专利技术涉及晶圆化镀
，尤其是涉及一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆在生产过程中需要在晶圆上化镀一层镍金属，在化镀镍金属之前需要对晶圆进行前处理，前处理就是在晶圆的铜金属分布的表面上再次镀一层钯金属用于增加铜金属表面的活化程度，提高化镀镍金属时的活化程度。
[0003]但是常见的前处理方法在使用过程中，晶圆的表面处理的较为粗糙，从而使得后续的化镀不够均匀。。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]本专利技术的技术方案是：一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法，具体包括以下步骤：
[0006]步骤S1：先取来准备进行化镀的晶圆，准备对晶圆的表面进行清洗；
[0007]步骤S2：进行清洗两次清洗过程中晶圆清洗液的配制，配制时，控制清洗液的温度为35～40摄氏度；
[0008]步骤S3：取来要进行第一次清洗的晶圆，将要进行清洗的晶圆的表面用纳米毛刷去除表面灰尘之后，将晶圆充分浸泡晶圆清洗液的内部，并同时开启清洗装置的加热系统，开始对混合有晶圆清洗液和晶圆的装置进行加热，加热结束之后开始对其表面使用清洗液进行清洗，使用超声波清洗装置的内部，开始对晶圆的表面进行第一次超声波清洗；
[0009]步骤S4：之后取出第一次超声波清洗结束的清远，沥干晶圆表面的水分之后，开始对其进行第二次清洗，向超声波清洗装置的内部加入第二次清洗液，将晶圆充分浸泡在晶圆清洗液的内部，并同时开启清洗装置的加热系统，开始对混合有晶圆清洗液和晶圆的装置进行加热，并同时使用清洗液进行清洗，使用超声波清洗装置的内部，开始对晶圆的表面进行第二次超声波清洗；
[0010]步骤S5：对步骤S4中清洗结束的晶圆进行烘干处理，将清洗好的晶圆统一放入烘干箱中，进行干燥，去除表面的积水
[0011]步骤S6：进行表面均匀处理，量取均匀处理液，量取好之后将硅晶圆浸入均匀处理液中，进行充分浸泡，
[0012]步骤S7：等到步骤S6中充分静置60分钟后，在晶圆表面上获得超薄聚甲基丙烯酸薄膜，
[0013]步骤S8：将步骤S7中处理好的晶圆浸入到硝基苯有机层共聚加强溶液中进行表面加强处理；
[0014]步骤S9：再将步骤S8中加强处理过后的晶圆进行清洗，将其放置到加了蒸馏水的超声波清洗装置中，开始对晶圆进行清洗，最后清洗结束后将晶圆搬运到指定位置处；从而可以完成晶圆化学镀前处理，结束整个前处理过程。
[0015]优选的，所述步骤S2中，第一次清洗液由去离子水180
‑
200重量份、磺酸钠10
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15重量份、柠檬酸15
‑
20重量份、氟化氨10
‑
15重量份和乙醇15
‑
20重量份组成。
[0016]优选的，所述步骤S2中，第二次清洗液由氢氟酸1
‑
2份、碳酸钠3
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5份、氟化铵1
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3份以及去离子水1000
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2000份组成。
[0017]优选的，所述步骤S3中，第一次加入清洗液进行超声波清洗的过程中，晶圆清洗的整个过程温度控制为30～35摄氏度，清洗时间控制为5min。
[0018]优选的，所述步骤S3中，超声波清洗装置工作时的频率具体设置为40KHz，超声波清洗装置的功率具体设置为1KW；
[0019]所述步骤S4中，超声波清洗装置工作时的频率具体设置为50KHz，超声波清洗装置的功率具体设置为1.2KW。
[0020]优选的，所述步骤S5中，干燥时温度控制为35摄氏度，干燥的时间控制为18min。
[0021]优选的，所述步骤S6中，均匀处理液由1000～1200重量份甲基丙烯酸、100～200重量份氟硼酸、15～20重量份氢氟酸、5～8重量份四氟硼酸重氮盐(NBD)和2～5重量份的0.04mol/L表面活性剂。
[0022]优选的，所述表面活性剂为硫酸化物或者磺酸化物中的一种或两种。
[0023]优选的，所述步骤S8中，加强处理的时间控制为45～60min，加强处理时设备的处理温度控制为45～50摄氏度。
[0024]优选的，所述步骤S9中，晶圆清洗的整个过程温度控制为30～35摄氏度，清洗时间控制为5min，超声波清洗装置工作时的频率具体设置为55KHz，超声波清洗装置的功率具体设置为1.5KW。
[0025]本专利技术通过改进在此提供耐高温PVC管材制备方法，与现有技术相比，具有如下改进及优点：
[0026]其一：针对晶圆表面污渍的不同，在前处理过程中，进行了两次的清洗，从而可以有效的去除晶圆表面残留的油污和灰尘颗粒，使得清洗处理后的晶圆表面清洗均匀且晶圆表面无明显缺陷，同时由于清洗液中并未添加有毒有害环境的物质，使得整个晶圆的清洗过程中不产生对环境有污染的物质，从而也提高了晶圆前处理整个过程中的绿色环保性，为人们的使用带来了便利性；
[0027]其二：在晶圆的表面进行了镀膜处理，从而使得处理好的在晶圆表面上获得超薄聚甲基丙烯酸薄膜，使得晶圆的表面更加光滑均匀，在之后的化镀过程中，可以使得镀上的金属物质更加均匀，尽量减少了颗粒物的产生，同时也由于加强镀膜层的设置，使得化镀过程中镀上的金属物质更加牢固，不会轻易发生脱落，增加了晶圆整体使用时的耐用性。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体
实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术的流程原理示意图。
具体实施方式
[0030]下面对本专利技术进行详细说明，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]本专利技术通过改进在此提供一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法，本专利技术的技术方案是：
[0032]实施例一：
[0033]如图1所示，本专利技术实施例提供了一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法，
[0034]具体包括以下步骤：
[0035]步骤S1：先取来准备进行化镀的晶圆，准备对晶圆的表面进行清洗；
[0036]步骤S2：进行清洗两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1：先取来准备进行化镀的晶圆，准备对晶圆的表面进行清洗；步骤S2：进行清洗两次清洗过程中晶圆清洗液的配制，配制时，控制清洗液的温度为35～40摄氏度；步骤S3：取来要进行第一次清洗的晶圆，将要进行清洗的晶圆的表面用纳米毛刷去除表面灰尘之后，将晶圆充分浸泡晶圆清洗液的内部，并同时开启清洗装置的加热系统，开始对混合有晶圆清洗液和晶圆的装置进行加热，加热结束之后开始对其表面使用清洗液进行清洗，使用超声波清洗装置的内部，开始对晶圆的表面进行第一次超声波清洗；步骤S4：之后取出第一次超声波清洗结束的清远，沥干晶圆表面的水分之后，开始对其进行第二次清洗，向超声波清洗装置的内部加入第二次清洗液，将晶圆充分浸泡在晶圆清洗液的内部，并同时开启清洗装置的加热系统，开始对混合有晶圆清洗液和晶圆的装置进行加热，并同时使用清洗液进行清洗，使用超声波清洗装置的内部，开始对晶圆的表面进行第二次超声波清洗；步骤S5：对步骤S4中清洗结束的晶圆进行烘干处理，将清洗好的晶圆统一放入烘干箱中，进行干燥，去除表面的积水步骤S6：进行表面均匀处理，量取均匀处理液，量取好之后将硅晶圆浸入均匀处理液中，进行充分浸泡，步骤S7：等到步骤S6中充分静置60分钟后，在晶圆表面上获得超薄聚甲基丙烯酸薄膜，步骤S8：将步骤S7中处理好的晶圆浸入到硝基苯有机层共聚加强溶液中进行表面加强处理；步骤S9：再将步骤S8中加强处理过后的晶圆进行清洗，将其放置到加了蒸馏水的超声波清洗装置中，开始对晶圆进行清洗，最后清洗结束后将晶圆搬运到指定位置处；从而可以完成晶圆化学镀前处理，结束整个前处理过程。2.根据权利要求1所述的一种高均匀度的晶圆化镀前处理方法，其特征在于：所述步骤S2中，第一次清洗液由去离子水180
‑
200重量份、磺酸钠10
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15重量份、柠檬酸15
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20重量份、氟化氨10
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15重量份和乙醇15
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙彩霞，王健，赵细海，
申请(专利权)人：苏州尊恒半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：