本发明专利技术提供一种晶圆吸附装置及晶圆吸附方法，该装置包括：承载台和多个环状柔性凸台，其中，承载台具有晶圆承载面，承载台且具有晶圆承载面的一侧设有多个环状凹槽，多个环状凹槽由内而外依次间隔设置，以在晶圆承载面中划分出多个由内而外依次间隔设置的吸附区；多个环状柔性凸台一一对应的设置于多个环状凹槽中。本发明专利技术中承载台设有环状凹槽，环状凹槽中设置有环状柔性凸台，大翘曲度晶圆放置于承载台后，晶圆、环状柔性凸台和晶圆承载面组成密封腔，对密封腔抽气后能够将大翘曲度晶圆牢固地吸附在晶圆承载面，提高设备的适用性；另外，采用分区域分时段逐步吸附的方法，对真空度及气体流速的要求低，降低成本。降低成本。降低成本。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆吸附装置及晶圆吸附方法
[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种晶圆吸附装置及晶圆吸附方法。
技术介绍
[0002]半导体制造中，晶圆作为被检测对象，需要固定在承片台上，以便进行测量、检测、转运及其它工艺处理。通常采用真空吸附的方式将晶圆吸附固定在承片台上，如图1所示，晶圆01平整或略有翘曲时，真空吸附使得晶圆01和承片台02之间形成负压，将晶圆01牢固地吸附在承片台02；但在半导体产线上，某些工艺加工后的晶圆会因为工艺原因造成晶圆翘曲变形，如图2所示，当晶圆01的翘曲度较大时，晶背和承片台02之间的不能形成密封腔或者间隙太大不能形成足量的吸附力，晶圆01将无法吸附在承片台02上。
[0003]针对翘曲度大的晶圆，若在晶圆上表面按压使晶圆与承片台贴合，存在晶圆上表面污染的问题，通常晶圆的上表面不可以触碰，所以只能通过吸附晶背来完成吸附动作，但是真空吸附又不能较牢固地将晶圆吸附于承片台，进而无法进行下一步的工艺动作。
[0004]因此，如何提供一种晶圆吸附装置及晶圆吸附方法，以实现大翘曲度晶圆的吸附，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种晶圆吸附装置及晶圆吸附方法，用于解决现有技术中无法吸附固定大翘曲度晶圆的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种晶圆吸附装置，包括：
[0007]承载台，所述承载台具有晶圆承载面，所述承载台具有所述晶圆承载面的一侧设置有N个环状凹槽，N个所述环状凹槽由内而外依次间隔设置，以在所述晶圆承载面中划分出N个由内而外依次间隔设置的吸附区，其中，N为大于1的整数；
[0008]N个环状柔性凸台，一一对应设置于N个所述环状凹槽中，所述环状柔性凸台的顶端在垂直方向上高于所述晶圆承载面。
[0009]可选地，所述环状柔性凸台低于所述晶圆承载面的部分未填满所述环状凹槽以为所述环状柔性凸台提供形变空间。
[0010]可选地，所述承载台在每一所述吸附区均设有真空孔，所述真空孔在垂直方向上贯穿所述承载台。
[0011]可选地，还包括真空抽气装置，所述真空抽气装置通过抽气管路与所述真空孔相连以在所述吸附区上方产生负压。
[0012]可选地，还包括N个真空传感器，其中，第i真空传感器设置于第i吸附区的抽气管路上以检测所述第i吸附区上方的真空度，i为整数，且1≤i≤N。
[0013]可选地，N个所述环状柔性凸台呈同心环排布。
[0014]可选地，所述环状凹槽与所述环状柔性凸台之间设置有胶合层。
[0015]可选地，所述环状柔性凸台包括橡胶密封圈。
[0016]本专利技术还提供一种晶圆吸附方法，包括以下步骤：
[0017]提供上述任意一项所述的晶圆吸附装置；
[0018]将待吸附的晶圆放置于所述承载台，其中，所述晶圆、所述环状柔性凸台和所述晶圆承载面围成由内而外依次间隔排布的N个密封腔；
[0019]依次对N个所述密封腔抽气产生负压以吸附所述晶圆。
[0020]可选地，对所述密封腔抽气产生负压的步骤包括：对第j密封腔进行抽真空，当所述第j密封腔的真空度达到预设值后，再对第j+1密封腔进行抽真空，其中，j为整数，且1≤j＜N。
[0021]如上所述，本专利技术的晶圆吸附装置及晶圆吸附方法中，承载台具有晶圆承载面的一侧设置有环状凹槽，环状凹槽中设置有环状柔性凸台，大翘曲度的晶圆放置于承载台后，晶圆、环状柔性凸台和晶圆承载面组成密封腔，对密封腔抽气后产生负压能够将大翘曲度晶圆牢固地吸附在晶圆承载面，提高设备的适用性；另外，采用分区域分时段逐步吸附的方法，对真空度及气体流速的要求低，降低成本。
附图说明
[0022]图1显示为小翘曲度晶圆放置于承片台的示意图。
[0023]图2显示为大翘曲度晶圆放置于承片台的示意图。
[0024]图3显示为本专利技术实施例一中的晶圆承载装置的剖视图。
[0025]图4显示为本专利技术实施例一中的晶圆承载装置的立体图。
[0026]图5显示为本专利技术实施例一中的晶圆承载装置中环状柔性凸台安装于环状凹槽后的放大示意图。
[0027]图6显示为本专利技术实施例一中晶圆放置于晶圆承载装置的示意图。
[0028]图7显示为本专利技术实施例一中的晶圆承载装置中设置真空孔和真空抽气装置的示意图。
[0029]图8显示为本专利技术实施例一中的晶圆承载装置吸附晶圆的示意图。
[0030]元件标号说明
[0031]01
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晶圆
[0032]02
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承片台
[0033]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
承载台
[0034]10
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晶圆承载面
[0035]11
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环状凹槽
[0036]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
环状柔性凸台
[0037]21
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第一凸台
[0038]22
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第二凸台
[0039]23
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第三凸台
[0040]24
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第四凸台
[0041]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
晶圆
[0042]41
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第一密封腔
[0043]42
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第二密封腔
[0044]43
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第三密封腔
[0045]44
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第四密封腔
[0046]51
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第一真空孔
[0047]52
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第二真空孔
[0048]53
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第三真空孔
[0049]54
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第四真空孔
[0050]6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
真空抽气装置
[0051]71
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第一电磁阀
[0052]72
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸附装置，其特征在于，包括：承载台，所述承载台具有晶圆承载面，所述承载台具有所述晶圆承载面的一侧设置有N个环状凹槽，N个所述环状凹槽由内而外依次间隔设置，以在所述晶圆承载面中划分出N个由内而外依次间隔设置的吸附区，其中，N为大于1的整数；N个环状柔性凸台，一一对应设置于N个所述环状凹槽中，所述环状柔性凸台的顶端在垂直方向上高于所述晶圆承载面。2.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于：所述环状柔性凸台低于所述晶圆承载面的部分未填满所述环状凹槽以为所述环状柔性凸台提供形变空间。3.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于：所述承载台在每一所述吸附区均设有真空孔，所述真空孔在垂直方向上贯穿所述承载台。4.根据权利要求3所述的晶圆吸附装置，其特征在于：还包括真空抽气装置，所述真空抽气装置通过抽气管路与所述真空孔相连以在所述吸附区上方产生负压。5.根据权利要求4所述的晶圆吸附装置，其特征在于：还包括N个真空传感器，其中，第i真空传感器设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宾，
申请(专利权)人：晶诺微上海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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