一种转移装置及微器件转移方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及微器件转移技术领域，具体涉及一种转移装置及微器件转移方法，转移装置包括衬底和若干转移部，转移部包括第一主体和第二主体，第一主体和第二主体位于衬底的一侧，第一主体环设于第二主体的外周，第一主体与第二主体背离衬底的表面不在同一平面上，其中，第一主体和第二主体可通电产生极性相反的电荷。转移装置在转移微器件时所产生的库仑力大小可调节，便于转移装置拾取和释放微器件。便于转移装置拾取和释放微器件。便于转移装置拾取和释放微器件。

【技术实现步骤摘要】
一种转移装置及微器件转移方法


[0001]本专利技术涉及微器件转移
，特别是涉及一种转移装置及微器件转移方法。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗和长寿命等优点，成为新一代显示技术的研究热点。在制备Micro
‑
LED显示面板的工艺中，常用的技术有巨量转移技术，具体采用转移头对Micro
‑
LED芯片进行拾取和释放。然而，现有的转移头的转移能力较差，无法同时满足Micro
‑
LED芯片拾取和释放的需求，从而使得巨量转移的良率较低。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术主要解决的技术问题是提供一种转移装置及微器件转移方法，可以用于巨量转移，便于提高转移的良率。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种转移装置，包括衬底和若干转移部，转移部包括第一主体和第二主体，第一主体和第二主体位于衬底的一侧，第一主体环设于第二主体的外周，第一主体与第二主体背离衬底的表面不在同一平面上，其中，第一主体和第二主体可通电产生极性相反的电荷。
[0005]其中，在垂直于衬底所在平面方向上，第一主体的高度高于第二主体的高度，第一主体用于接触微器件，并将第一主体上的电荷转移至微器件。
[0006]其中，第一主体背离衬底一侧的表面积大于第二主体背离衬底一侧的表面积。
[0007]其中，转移装置还包括第一绝缘层，第一绝缘层覆盖第二主体，并与衬底形成第一密封腔体，以将第二主体密封于第一密封腔体中，并使得第一主体位于密封腔体之外。
[0008]其中，转移装置还包括第一导电缓冲层，第一导电缓冲层设置于第一主体背离衬底一侧，用于缓冲微器件与第一主体的接触力。
[0009]其中，转移装置还包括第一连接线和第二连接线，第一连接线用于电连接两个以上转移部的第一主体，第二连接线用于电连接两个以上转移部的第二主体。
[0010]其中，第一主体一体环设于第二主体的外周。
[0011]其中，第一主体包括若干间隔分布的第一子主体，第一子主体间隔分布于第二主体的外周，优选地，若干第一子主体背离衬底的表面在同一平面上。
[0012]其中，第一主体和第二主体之间具有间隙。
[0013]其中，在垂直于衬底所在平面方向上，第二主体的高度高于第一主体的高度，第二主体用于接触微器件，并将第二主体上的电荷转移至微器件。
[0014]其中，第二主体背离衬底一侧的表面积大于第一主体背离衬底一侧的表面积。
[0015]其中，转移装置还包括第二绝缘层，第二绝缘层与衬底形成第二密封腔体，以将第一主体密封于第二密封腔体中，并使得第二主体位于密封腔体之外。
[0016]其中，转移装置还包括第二导电缓冲层，第二导电缓冲层设置于第二主体背离衬底一侧，用于缓冲微器件与第二主体的接触力。
[0017]本专利技术还包括第二个技术方案，一种微器件转移方法，包括：采用上述的转移装置，并给予第一主体和第二主体通电以产生极性相反的电荷；
[0018]使得转移装置的转移部背离衬底一侧与若干微器件接触，以使得微器件接收转移部的部分电荷，并与转移部产生库伦力；
[0019]增大第一主体和第二主体的电荷量，并拾取和搬运微器件；
[0020]减小第一主体和第二主体的电荷量，以使得转移部与微器件之间的库仑力小于微器件的重力时，释放微器件。
[0021]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术，本专利技术的转移装置，转移部具有嵌套设置的第一主体和第二主体，且第一主体和第二主体背离衬底的表面不在同一平面上，使得转移部在转移微器件时，第一主体和第二主体中的一者与微器件接触，另一者与微器件不接触。本申请实施例中的第一主体和第二主体在通电时产生极性相反的电荷，第一主体和第二主体中的一者与微器件接触时，可以将与微器件接触的第一主体或第二主体上的电荷转移至微器件上，使得微器件带电荷，且带的电荷与第一主体和第二主体中的另一者不同，微器件与第一主体和第二主体中的另一者之间产生库伦力，以拾取微器件。本申请实施例中的第一主体和第二主体中通电所产生的电荷量是可以控制的，可以增大或减小，使得转移装置在转移微器件时所产生的库仑力大小可调节，便于转移装置拾取和释放微器件。
附图说明
[0022]图1是本专利技术转移装置一实施例的平面结构示意图；
[0023]图2是本专利技术转移装置的转移部与微器件结合的一实施例的剖面结构示意图；
[0024]图3是图1中沿A
‑
A线的剖面结构示意图；
[0025]图4是本专利技术转移装置的转移部的一实施例的剖面结构示意图；
[0026]图5是本专利技术转移装置的转移部的另一实施例的剖面结构示意图；
[0027]图6是本专利技术转移装置的转移部的再一实施例的剖面结构示意图；
[0028]图7是本专利技术转移装置的转移部的一实施例的平面结构示意图；
[0029]图8是本专利技术转移装置的转移部的另一实施例的平面结构示意图；
[0030]图9是本专利技术转移装置的转移部的再一实施例的平面结构示意图；
[0031]图10是本专利技术转移装置的转移部的又一实施例的剖面结构示意图；
[0032]图11是本专利技术转移方法一实施例的流程示意图；
[0033]图12是本专利技术转移装置的转移部拾取微器件的一实施例的剖面结构示意图；
[0034]图13是本专利技术转移装置的转移部释放微器件的一实施例的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0036]相关技术中，Micro
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LED微器件的海量转移是通过转移头转移，利用转移头与Micro
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LED微器件之间的范德华力拾取Micro
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LED微器件，将Micro
‑
LED微器件从一个基板上转移至另一个基板上。但是由于转移过程中，拾取和释放时范德华力一直保持不便，因此，提高拾取作用力则造成难以释放Micro
‑
LED微器件；降低释放时的作用力时，则使得
Micro
‑
LED微器件难以拾取，造成Micro
‑
LED微器件的转移良率降低。
[0037]为此，本专利技术的一实施例提供一种转移装置100，如图1和图2所示，转移装置100包括衬底10和若干转移部20，转移部20包括第一主体21和第二主体22，第一主体21和第二主体22位于衬底10的一侧，第一主体21环设于第二主体22的外周，第一主体21与第二主体22背离衬底10的表面不在同一平面上，其中，第一主体21和第二主体22可通电产生极性相反的电荷。
[0038]本专利技术实施例中的转移装置100，转移部20具有嵌套设置的第一主体21和第二主体22，且第一主体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转移装置，其特征在于，包括：衬底，若干转移部，所述转移部包括第一主体和第二主体，所述第一主体和所述第二主体位于所述衬底的一侧，所述第一主体环设于所述第二主体的外周，所述第一主体与所述第二主体背离所述衬底的表面不在同一平面上，其中，所述第一主体和所述第二主体可通电产生极性相反的电荷。2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面方向上，所述第一主体的高度高于所述第二主体的高度，所述第一主体用于接触微器件，并将所述第一主体上的电荷转移至所述微器件；优选地，所述第一主体背离所述衬底一侧的表面积大于所述第二主体背离所述衬底一侧的表面积。3.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第二主体，并与所述衬底形成第一密封腔体，以将所述第二主体密封于所述第一密封腔体中，并使得所述第一主体位于所述密封腔体之外。4.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，包括：第一导电缓冲层，设置于所述第一主体背离所述衬底一侧，用于缓冲所述微器件与所述第一主体的接触力。5.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，包括：第一连接线，所述第一连接线用于电连接两个以上所述转移部的所述第一主体；第二连接线，所述第二连接线用于电连接两个以上所述转移部的所述第二主体。6.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述第一主体一体环设于所述第二主体的外周；或，所述第一主体包括若干间隔分布的第一子主体，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志林，李俊峰，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：