【技术实现步骤摘要】
封装结构、电子设备及封装方法
[0001]本申请涉及电磁屏蔽
,尤其涉及一种封装结构、电子设备及封装方法。
技术介绍
[0002]功率放大集成模块(Power Amplifier Module with integrated,PAMid)是一种常用的功率放大产品,PAMid中的基板上通常设置有裸晶(Die),有些裸晶的功率较大,可能产生较大的电磁干扰信号,因此,需要对裸晶进行电磁屏蔽。
[0003]如图1所示,相关技术中的封装结构通常包括基板30、顶部覆膜(图1中未示出)和围绕裸晶11设置的多个屏蔽线12,屏蔽线12为弧形屏蔽线,且屏蔽线12的两端固定至基板30的两个相邻的接地焊盘312上。这样,围绕裸晶11的屏蔽线12,以及顶部覆膜形成一个屏蔽层,对裸晶11进行电磁屏蔽。
[0004]由图1可以看出,当裸晶11辐射出电磁干扰信号后,朝向裸晶11的侧面辐射的电磁干扰信号主要由屏蔽线12进行屏蔽,部分电磁干扰信号可能从弧形屏蔽线12与基板30之间的区域辐射出,屏蔽效果稍显不足。若要提高屏蔽效果,则需要在基 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种封装结构,其特征在于,包括:基板,所述基板具有第一表面,所述第一表面上设置有多个接地焊盘;待屏蔽件,所述待屏蔽件固定于所述第一表面;多个第一屏蔽线,各所述第一屏蔽线的两端均与所述多个接地焊盘中的两个所述接地焊盘电连接,所述第一屏蔽线的至少部分朝向远离所述第一表面的方向弯曲;多个第二屏蔽线,各所述第二屏蔽线的两端均与所述多个接地焊盘中的两个所述接地焊盘电连接,所述第二屏蔽线的至少部分朝向远离所述第一表面的方向弯曲,所述第二屏蔽线相比所述第一屏蔽线更加靠近所述第一表面。2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一屏蔽线和所述第二屏蔽线均为弧形线;各所述第二屏蔽线的顶部与所述第一表面之间的第二高度均相同,各所述第一屏蔽线的顶部与所述第一表面之间的第一高度均相同。3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述第二高度与所述第一高度之间的比值大于或等于0.3,且小于或等于0.7。4.根据权利要求1
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3任一项所述的封装结构,其特征在于,至少部分所述第一屏蔽线在所述第一表面的投影与所述待屏蔽件在所述第一表面的投影具有重叠;至少部分所述第二屏蔽线在所述第一表面的投影与所述待屏蔽件在所述第一表面的投影具有重叠。5.根据权利要求1
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4任一项所述的封装结构,其特征在于,至少部分所述第一屏蔽线在所述第一表面的投影,与至少部分所述第二屏蔽线在所述第一表面的投影具有重叠。6.根据权利要求1
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5任一项所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:导电覆膜,所述导电覆膜固定于所述第一表面,且所述导电覆膜与所述第一表面之间具有第一介质层,所述第一屏蔽线和所述第二屏蔽线均位于所述第一介质层内,所述导电覆膜与所述第一屏蔽线电连接。7.根据权利要求1
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6任一项所述的封装结构,其特征在于,所述多个接地焊盘环绕所述待屏蔽件在所述第一表面的投影。8.根据权利要求1
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7任一项所述的封装结构,其特征在于,与所述第二屏蔽线在所述第一表面的投影相邻的投影为所述第一屏蔽线的投影。9.根据权利要求1
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8任一项所述的封装结构,其特征在于,所述多个第一屏蔽线中存在至少两个相互平行的所述第一屏蔽线,至少两个相互平行的所述第一屏蔽线在所述第一表面上的投影,均沿第一方向延伸;和/或,所述多个第二屏蔽线中存在至少两个相互平行的所述第二屏蔽线,至少两个相互平行的所述第二屏蔽线在所述第一...
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