一种高压MOS贴片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压MOS贴片，涉及MOS管技术领域，包括封装外壳和MOS管，封装外壳前侧面穿设有第一端子、第二端子和第三端子，封装外壳内部填充有绝缘体，绝缘体中央开设有卡位槽，MOS管包括衬底结构，衬底结构内部设置有沿水平方向延伸的绝缘层，衬底结构顶部设置有源极、栅极和漏极，卡位槽左侧面开设有第一绝缘通道，卡位槽前侧面开设有第二绝缘通道，卡位槽右侧面开设有第三绝缘通道，第一端子电性连接有位于第一绝缘通道内并且接通源极的第一导线，第二端子电性连接有位于第二绝缘通道内并且接通栅极的第二导线，第三端子电性连接有位于第三绝缘通道内并且接通漏极的第三导线。本实用新型专利技术具有抗电磁干扰性能好和稳定可靠的优点。稳定可靠的优点。稳定可靠的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种高压MOS贴片


[0001]本技术涉及MOS管
，具体涉及一种高压MOS贴片。

技术介绍

[0002]高压MOS贴片是指将功率型MOS(metal—oxide—semiconductor，金属
‑
氧化物
‑
半导体，场效应晶体管)封装在一个很小的表面贴装封装中，具有体积小、重量轻、安装方便和控制精度高的优点，由于可以大大减小印制电路板上元件布线，节省空间和重量，因此在电子产品中得到广泛应用，但是目前的高压MOS贴片中，电压和输出功率较大，很容易在封装内产生电磁干扰，特别是多个引脚与MOS器件的电性连接中，同时在持续工作过程中，贴片内电磁干扰产生的重粒子从MOS器件表面射入，导致敏感区发生扰动甚至工作中断，或会引起内部局部电势存在差异。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的缺陷，本技术提供一种高压MOS贴片。
[0004]一种高压MOS贴片，包括封装外壳和MOS管，所述封装外壳前侧面从左至右依次穿设有第一端子、第二端子和第三端子，所述封装外壳内部填充有绝缘体，所述绝缘体中央开设有卡位槽，所述MOS管卡设在卡位槽内，所述MOS管包括衬底结构；其中，所述衬底结构内部设置有沿水平方向延伸的绝缘层，所述衬底结构顶部从左至右依次设置有源极、栅极和漏极，所述卡位槽左侧面开设有正对源极的第一绝缘通道，所述卡位槽前侧面开设有正对栅极的第二绝缘通道，所述卡位槽右侧面开设有正对漏极的第三绝缘通道，所述第一端子电性连接有位于所述第一绝缘通道内并且接通源极的第一导线，所述第二端子电性连接有位于所述第二绝缘通道内并且接通栅极的第二导线，所述第三端子电性连接有位于所述第三绝缘通道内并且接通漏极的第三导线。整个MOS贴片中，第一端子、第二端子和第三端子部分延伸至外部并用于参与印质电路板上电连布线，另一部分穿入封装外壳内并没入绝缘体中，没入绝缘体后，长时间作业过程中，能够降低第一端子、第二端子和第三端子三者的电磁干扰；进一步地，源极与第一端子之间通过第一导线连接，第一导线直接位于第一绝缘通道内，在整个第一导线的延伸路径上，不与其他任何结构交叉或接触，同样的，栅极与第二端子之间通过第二导线连接，第二导线直接位于第二绝缘通道内，在整个第二导线的延伸路径上，不与其他任何结构交叉或接触，同样的，漏极与第三端子之间通过第三导线连接，第三导线直接位于第三绝缘通道内，在整个第三导线的延伸路径上，不与其他任何结构交叉或接触，这样一来，能够充分利用绝缘体空间，最大化降低各个导线之间的电磁干扰，从而提高整个高压MOS贴片的抗电磁干扰性能；进一步地，由于衬底结构内部设置有沿水平方向延伸的绝缘层，因此能够通过绝缘层形成对重粒子辐射产生的新生电子和新生空穴复合作用，提高抗单粒子辐射能力，从而进一步提高整个高压MOS贴片的抗电磁干扰性能。
[0005]优选地，绝缘层包括位于不同高度的第一绝缘硅层和第二绝缘硅层，所述第一绝缘硅层和所述第二绝缘硅层沿水平方向延伸并且相互错开。通过设置两层不同高度的第一
绝缘硅层和第二绝缘硅层，形成两层交错的绝缘部位，当重粒子由表面射入整个高压MOS器件后，其所有射入方向均会经过两层交错绝缘部位，从而提高抗辐射能力，进而提高抗电磁干扰能力。
[0006]优选地，第一绝缘硅层由二氧化硅制成。在衬底结构与第一绝缘硅层之间，硅
‑
二氧化硅截面附近引起重粒子辐射径迹电离区域内的新生电子和新生空穴数量减少，从而实现整个器件抗辐射能力的提升，进而提高抗电磁干扰能力。
[0007]优选地，第二绝缘硅层由二氧化硅制成。同样的，在衬底结构与第二绝缘硅层之间，硅
‑
二氧化硅截面附近引起重粒子辐射径迹电离区域内的新生电子和新生空穴数量减少，从而实现整个器件抗辐射能力的提升，进而提高抗电磁干扰能力。
[0008]优选地，源极顶部设置有第一焊点，所述第一焊点电性连接所述第一导线。第一焊点设置在源极顶部，加工方便，连接可靠，提高整个高压MOS贴片的结构稳定性。
[0009]优选地，栅极顶部设置有第二焊点，所述第二焊点电性连接所述第二导线。同样的，第二焊点设置在源极顶部，加工方便，连接可靠，提高整个高压MOS贴片的结构稳定性。
[0010]优选地，漏极顶部设置有第三焊点，所述第三焊点电性连接所述第三导线。同样的，第三焊点设置在源极顶部，加工方便，连接可靠，提高整个高压MOS贴片的结构稳定性。
[0011]本技术的有益效果体现在：
[0012]在本技术中，第一端子、第二端子和第三端子部分延伸至外部并用于参与印质电路板上电连布线，另一部分穿入封装外壳内并没入绝缘体中，没入绝缘体后，长时间作业过程中，能够降低第一端子、第二端子和第三端子三者的电磁干扰；进一步地，源极与第一端子之间通过第一导线连接，第一导线直接位于第一绝缘通道内，在整个第一导线的延伸路径上，不与其他任何结构交叉或接触，同样的，栅极与第二端子之间通过第二导线连接，第二导线直接位于第二绝缘通道内，在整个第二导线的延伸路径上，不与其他任何结构交叉或接触，同样的，漏极与第三端子之间通过第三导线连接，第三导线直接位于第三绝缘通道内，在整个第三导线的延伸路径上，不与其他任何结构交叉或接触，这样一来，能够充分利用绝缘体空间，最大化降低各个导线之间的电磁干扰，从而提高整个高压MOS贴片的抗电磁干扰性能；进一步地，由于衬底结构内部设置有沿水平方向延伸的绝缘层，因此能够通过绝缘层形成对重粒子辐射产生的新生电子和新生空穴复合作用，提高抗单粒子辐射能力，从而进一步提高整个高压MOS贴片的抗电磁干扰性能。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0014]图1为本技术的结构侧视图；
[0015]图2为本技术在俯视下的结构剖视图；
[0016]图3为本技术在正视下的结构剖视图。
[0017]附图标记：
[0018]1‑
封装外壳，11
‑
绝缘体，12
‑
卡位槽，13
‑
第一绝缘通道，14
‑
第二绝缘通道，15
‑
第
三绝缘通道，2
‑
MOS管，21
‑
衬底结构，211
‑
绝缘层，2111
‑
第一绝缘硅层，2112
‑
第二绝缘硅层，22
‑
源极，23
‑
栅极，24
‑
漏极，3
‑
第一端子，4
‑
第二端子，5
‑
第三端子，6
‑
第一导线，61
‑
第一焊点，7
‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压MOS贴片，其特征在于，包括封装外壳和MOS管，所述封装外壳前侧面从左至右依次穿设有第一端子、第二端子和第三端子，所述封装外壳内部填充有绝缘体，所述绝缘体中央开设有卡位槽，所述MOS管卡设在卡位槽内，所述MOS管包括衬底结构；其中，所述衬底结构内部设置有沿水平方向延伸的绝缘层，所述衬底结构顶部从左至右依次设置有源极、栅极和漏极，所述卡位槽左侧面开设有正对源极的第一绝缘通道，所述卡位槽前侧面开设有正对栅极的第二绝缘通道，所述卡位槽右侧面开设有正对漏极的第三绝缘通道，所述第一端子电性连接有位于所述第一绝缘通道内并且接通源极的第一导线，所述第二端子电性连接有位于所述第二绝缘通道内并且接通栅极的第二导线，所述第三端子电性连接有位于所述第三绝缘通道内并且接通漏极的第三导线。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：方圆，
申请(专利权)人：索罗半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：