【技术实现步骤摘要】
一种利用并联MOS管控制的驱动电路
[0001]本技术涉及MOS管驱动
,具体涉及一种利用并联MOS管控制的驱动电路。
技术介绍
[0002]MOS器件(金属
‑
氧化物
‑
半导体场效应晶体管)是现代集成电路中的主要器件。在目前驱动电路中,驱动电压和电流在打通或关断过程中会产生很大的电压电流尖啸,这会影响电路的性能和器件的可靠性,而且MOS管的开关速度过快或过慢,无法可靠匹配驱动电路的驱动能力,同时MOS管还会发生误导通的现象。
技术实现思路
[0003]针对现有技术中的缺陷,本技术提供一种利用并联MOS管控制的驱动电路。
[0004]一种利用并联MOS管控制的驱动电路,包括驱动芯片和MOS管,所述驱动芯片包括输出端和接地端,所述MOS管包括栅极、源极和漏极,所述输出端电性连接有第一导线,所述接地端电性连接有第二导线,所述第一导线末端电性连接所述栅极,所述第二导线末端电性连接所述源极;其中,所述第一导线上设有靠近所述栅极的第一节点和靠近所述输出端的第二节点,所述第二 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种利用并联MOS管控制的驱动电路,其特征在于,包括驱动芯片和MOS管,所述驱动芯片包括输出端和接地端,所述MOS管包括栅极、源极和漏极,所述输出端电性连接有第一导线,所述接地端电性连接有第二导线,所述第一导线末端电性连接所述栅极,所述第二导线末端电性连接所述源极;其中,所述第一导线上设有靠近所述栅极的第一节点和靠近所述输出端的第二节点,所述第二导线上设有靠近所述源极的第三节点和靠近所述接地端的第四节点,所述第一节点与所述第三节点之间电性连接有第三导线,所述第二节...
【专利技术属性】
技术研发人员:方圆,
申请(专利权)人:索罗半导体深圳有限公司,
类型:新型
国别省市:
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