半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件，其主要包含一栅极结构设于一基底上以及一外延层设于该栅极结构旁，其中外延层包含第一缓冲层、第二缓冲层设于第一缓冲层上、主体层设于第二缓冲层上、第一遮盖层设于主体层上以及第二遮盖层设于第一遮盖层上。其中第一缓冲层底表面包含一平坦表面、第二缓冲层底表面包含一曲面，且第二缓冲层包含一直线侧壁。二缓冲层包含一直线侧壁。二缓冲层包含一直线侧壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种具有外延层的金属氧化物半导体晶体管。

技术介绍

[0002]为了能增加半导体结构的载流子迁移率，可以选择对于栅极沟道施加压缩应力或是伸张应力。举例来说，若需要施加的是压缩应力，现有技术常利用选择性外延成长(selective epitaxial growth,SEG)技术于一硅基底内形成晶格排列与该硅基底相同的外延结构，例如硅锗(silicon germanium,SiGe)外延结构。利用硅锗外延结构的晶格常数(lattice constant)大于该硅基底晶格的特点，对P型金属氧化物半导体晶体管的沟道区产生应力，增加沟道区的载流子迁移率(carrier mobility)，并由此增加金属氧化物半导体晶体管的速度。反之，若是N型半导体晶体管则可选择于硅基底内形成硅碳(silicon carbide,SiC)外延结构，对栅极沟道区产生伸张应力。
[0003]现今以外延成长方式形成外延层的晶体管过程中通常会先于栅极结构两侧形成凹槽，再利用外延成长制作工艺形成外延层于凹槽内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：栅极结构，设于基底上；外延层，设于该栅极结构旁，该外延层包含：第一缓冲层；以及第二缓冲层，设于该第一缓冲层上，该第二缓冲层包含直线侧壁。2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：主体层，设于该第二缓冲层上；第一遮盖层，设于该主体层上；以及第二遮盖层，设于该第一遮盖层上。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该主体层包含锗的浓度梯度。4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一遮盖层包含锗的浓度梯度。5.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第二遮盖层包含硅。6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二缓冲层接触该基底。7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二缓冲层底表面包含曲面。8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一缓冲层底表面包含平坦表面。9.一种半导体元件，其特征在于，包含：栅极结构，设于基...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉哲，何哲毅，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：