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本发明公开一种半导体元件，其主要包含一栅极结构设于一基底上以及一外延层设于该栅极结构旁，其中外延层包含第一缓冲层、第二缓冲层设于第一缓冲层上、主体层设于第二缓冲层上、第一遮盖层设于主体层上以及第二遮盖层设于第一遮盖层上。其中第一缓冲层底表面...
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