一种高介低介电常数温度系数的复合基板及其制备方法技术

一种高介低介电常数温度系数的复合基板及其制备方法，属于高频小型化复合材料基板技术领域。所述复合基板的组分及各组分在复合基板中所占重量份为：ZnO

【技术实现步骤摘要】
一种高介低介电常数温度系数的复合基板及其制备方法


[0001]本专利技术属于高频小型化复合材料基板
，具体涉及一种高介低介电常数温度系数的复合基板及其制备方法。

技术介绍

[0002]微波复合介质基板材料广泛地应用于机载雷达装置、相控阵系统、遥感等机载卫星微带平面天线、北斗导航天线、便携式移动天线等领域。随着5G技术以及汽车雷达技术的普及，数字电路逐步向器件规模的小型化、信息处理的高速化和高频化发展。为了满足实际微波电路日益增长的小型化和高温度稳定性需求，迫切需要开发具有高介电常数和低介电常数温度系数的高频基板产品。
[0003]目前应用较为广泛的高介基板一般采用环氧树脂以及聚四氟乙烯作为有机基体，在其中加入简单结构的高介电陶瓷填料来制作，他们虽有优秀的介电性能但也存在一定缺点。在有机基体的选取方面，环氧树脂基板粘性较大且损耗偏大，难以满足信号传输高频化、高速化的需求；聚四氟乙烯基基板虽然高频介电性能优异，但加工工艺复杂，加工温度较高，并且含有F元素污染环境。因此，以聚烯烃为主体的热固性树脂材料，由于其优异的介电性能、易加工性、环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高介低介电常数温度系数的复合基板，其特征在于，所述复合基板的组分及各组分在复合基板中所占重量份为：ZnO
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TiO2‑
Nb2O5基瓷粉填料：70～85份；硅烷偶联剂：0.5～2份；固化剂：2～4份；聚烯烃树脂：5～20份；助交联剂：3～5份。2.根据权利要求1所述的高介低介电常数温度系数的复合基板，其特征在于，所述ZnO
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TiO2‑
Nb2O5基瓷粉填料包括主晶相和助烧剂，助烧剂的质量百分含量小于0.001wt.％；所述主晶相为Zn
0.15+0.35x
Nb
0.3+0.7x
Ti
0.55
‑
0.05x
O
2+2x
，其中x＝0～1；所述助烧剂为(0.3y+xy)Li2CO3‑
(0.5y+xy)B2O3‑
(0.2y+xy)SiO2，其中x＝0～1，y＝0.01～0.04。3.根据权利要求1所述的高介低介电常数温度系数的复合基板，其特征在于，所述ZnO
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TiO2‑
Nb2O5基瓷粉填料的粒径为1～5微米，介电常数为85～100。4.根据权利要求1所述的高介低介电常数温度系数的复合基板，其特征在于，所述ZnO
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TiO2‑
Nb2O5基瓷粉填料的制备过程为：步骤1、以ZnO、TiO2、Nb2O5、Li2CO3、B2O3和SiO2作为原料，按照“(0.15+0.35x)ZnO
‑
(0.55
‑
0.05x)TiO2‑
(0.15+0.35x)Nb2O5‑
(0.3y+xy)Li2CO3‑
(0.5y+xy)B2O3‑
(0.2y+xy)SiO
2”的化学计量比称料；步骤2、将步骤1称取的粉料球磨8～10小时，得到的浆料经烘干、过筛后，得到一磨料；步骤3、将步骤2得到的一磨料压制成型得到块体，成型压力15～25MPa，成型时间1～2分钟；然后将得到的块体在900～1000℃温度、空气气氛下烧结6～8小时，得到ZnO
‑
TiO2‑
Nb2O5基陶瓷块体；步骤4、将步骤3得到的ZnO
‑
TiO2‑
Nb2O5基陶瓷块体采用破碎机破碎，得到粒径为0.5～5毫米的初级破碎粉末；步骤5、将步骤4得到的初级破碎粉末进行二次球磨60～80分钟，得到的浆料烘...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁颖，杨正祎，卿竹，唐斌，钟朝位，张树人，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：