【技术实现步骤摘要】
晶粒的失效形态分析系统、方法及设备
[0001]本公开实施例涉及半导体
，尤其涉及一种晶粒的失效形态分析系统、方法及设备。
技术介绍
[0002]半导体器件的制造过程非常复杂，通常需要在晶圆表面施加数百道甚至上千次不同的工艺过程，才能在晶圆上制作出各种具备特定电学特性的半导体器件。
[0003]为了保障半导体器件的工艺品质，通常需要开发测试程序对晶圆进行测试。在测试程序开发初期，测试人员需通过反复的分析测试结果来调整测试程序中的参数电流、参数电压等。其中一项非常重要的参数即是失效存储单元计数(Fail Bit Count，简称FBC)，测试人员通过分析FBC可以很准定位每个晶粒(Die)的异常。
[0004]目前，测试人员通常利用失效形态分析(Fail shape analysis，简称FSA)来分析FBC，然而，利用FSA分析FBC虽然可以准确定位失效存储单元，但是效率却非常低，进而影响测试效率。
技术实现思路
[0005]本公开实施例提供一种晶粒的失效形态分析系统、方法及设备，通过图...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶粒的失效形态分析系统，其特征在于，包括：图形绘制模块，用于从数据库中获取目标晶圆的修补数据，在显示界面中生成所述目标晶圆对应的晶圆图，并确定所述晶圆图中每个晶粒对应的晶粒结构图；处理模块，用于当接收到用户在所述晶圆图中触发的选择操作时，在所述数据库中存储的修补数据中获取当前选中的目标晶粒对应的修补信息，并将所述目标晶粒对应的修补信息以预设方式添加在所述目标晶粒对应的晶粒结构图；显示模块，用于在所述显示界面中展示所述目标晶粒调整后的目标晶粒结构图。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述图形绘制模块用于：根据所述目标晶圆的修补数据，确定所述目标晶圆中已修补的晶粒与未修补的晶粒；在显示界面中生成所述目标晶圆对应的晶圆图，其中，所述目标晶圆中已修补的晶粒与未修补的晶粒在所述晶圆图中采用不同的展示方式。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述图形绘制模块用于：根据所述目标晶圆中每个晶粒的产品信息，获取所述目标晶圆中每个晶粒对应的结构配置信息；根据所述目标晶圆中每个晶粒对应的结构配置信息，确定所述晶圆图中每个晶粒对应的晶粒结构图；其中，所述晶粒结构图包括若干个存储阵列，每个存储阵列按照行和列划分为若干个存储块，每个存储块包括若干个存储单元。4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述图形绘制模块具体用于：对所述目标晶圆中每个晶粒对应的结构配置信息进行聚类，并确定每一类结构配置信息对应的基础结构图；根据所述目标晶圆中每个晶粒对应的结构配置信息，以及已确定的每一类结构配置信息对应的基础结构图，确定所述晶圆图中每个晶粒对应的晶粒结构图。5.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述处理模块用于：根据所述目标晶粒对应的修补信息中指示的已修补的字线或位线连接的失效存储单元个数，以及预先设置的失效存储单元个数与各个展示颜色之间的对应关系，调整所述目标晶粒对应的晶粒结构图中已修补的字线或位线的展示颜色；其中，所述目标晶粒包括多条位线与多条字线，每条位线与每条字线连接有多个存储单元。6.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述处理模块用于：在接收到用户触发的定位操作时，确定所述定位操作在所述目标晶粒结构图中选中的目标行存储块，和/或目标列存储块；根据所述目标晶粒对应的修补信息中指示的已修补的字线或位线包含的失效存储单元个数，以及预先设置的失效存储单元个数与各个展示颜色之间的对应关系，调整所述目标行存储块，和/或所述目标列存储块中已修补的字线或位线的展示颜色。7.根据权利要求1或5所述的系统，其特征在于，还包括：控制模块，用于当接收到用户触发的缩放操作时，根据所述缩放操作，将所述目标晶粒结构图进行放大或缩小。8.根据权利要求1或5所述的系统，其特征在于，还包括：筛选模块，用于当接收到用户触发的筛选操作时，确定所述筛选操作在所述目标晶粒
结构图中选中的检测结果类型；根据所述筛选操作在所述目标晶粒结构图中选中的检测结果类型，调整所述目标晶粒结构图。9.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括：数据处理模块，用于获取所述目标晶圆的修补数据，所述修补数据为非结构化数据；将所述修补数据转化为结构化数据后保存至所述数据库。10.一种晶粒的失效形态分析方法，其特征在于，所述方法包括：从数据库中获取目标晶圆的修补数据，在显示界面中生成所述目标晶圆对应的晶圆图，并确定所述晶圆图中每个晶粒对应的晶粒结构图；当接收到用户在所述晶圆图中触发的选择操作时，在所述数据库中存储的修补数据中获取当...
【专利技术属性】
技术研发人员：李超，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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