半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法及电子设备技术

本公开提供一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法及电子设备。该方法包括：从半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点；获取处于第一初始站点和第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次；从第一生产批次中确定尚未在第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次；从第一候选生产批次中确定第一目标生产批次；控制第一目标氮气吹扫站点对第一目标生产批次进行氮气吹扫，可以实现氮气吹扫智能化和提高半导体产品的产能。高半导体产品的产能。高半导体产品的产能。

【技术实现步骤摘要】
半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法及电子设备


[0001]本公开涉及半导体产品制造领域，具体而言，涉及一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法及电子设备。

技术介绍

[0002]在半导体产品制造过程中，通常使用各种气体参与半导体器件电气特性所需的化学反应，在半导体器件制程过程中残留的气体极易形成气体冷凝（Gas Condense）。由残留气体形成的气体冷凝极其容易对关键尺寸很小的布图造成破坏，从而导致出现短路等不良情况。采用氮气吹扫（N2 Purge）可以防止气体冷凝，提高半导体产品的良率。但相关技术中控制氮气吹扫的方式不够灵活，需要预先手动在固定的制程工艺机台设置氮气吹扫站点，还会导致有些不需要氮气吹扫的场景执行了氮气吹扫，有些需要氮气吹扫的场景未执行氮气吹扫，降低了半导体产品的产能和良率。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供了一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法，包括：从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点；获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次；从所述第一生产批次中确定尚未在所述第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次；从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次；控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
[0004]本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：设置批次类型。其中，获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次，包括：获取处于所述第一区间内的第一初始生产批次；从所述第一初始生产批次中确定满足所述批次类型的所述第一生产批次。
[0005]本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：设置吹扫类型；其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，包括：若所述吹扫类型为默认定时吹扫类型，则判定所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次。其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，包括：控制所述第一目标生产批次从其当前制程工艺机台转移至所述第一目标氮气吹扫站点，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；控制所述第一目标氮气吹扫站点根据所述默认定时吹扫类型，对所述第一目标生产批次执行预定时长的氮气吹扫。
[0006]本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：设置吹扫类型；若所述吹扫类型为持续吹扫类型，则设置等待时长和吹扫时长。其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，包括：判定在当前制程工艺机台的等待时长大于或等于所述等待时长的所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内。其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，包括：控制
所述第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次执行所述吹扫时长的氮气吹扫。
[0007]本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：检测所述第一目标生产批次进行氮气吹扫的吹扫时长；当所述吹扫时长达到预定时长或吹扫时长，控制所述第一目标氮气吹扫站点停止对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫；控制所述第一目标生产批次转移至其当前制程工艺机台执行相应的制程工艺。
[0008]本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：在氮气吹扫期间，检测到为所述第一目标生产批次分配对应的当前制程工艺机台；若氮气吹扫未达到预定时长或吹扫时长，控制所述第一目标氮气吹扫站点停止对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫；控制所述第一目标生产批次转移至其当前制程工艺机台执行相应的制程工艺。
[0009]本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：获取承载所述第一目标生产批次的承载载体类型和/或污染等级标识；根据承载类型和/或污染等级确定所述第一目标生产批次的第一动态路由标识；根据所述第一动态路由标识控制将所述第一目标生产批次转移至所述第一目标氮气吹扫站点，以对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
[0010]本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：设置所述第一动态路由标识对应的机台标识及其对应的吹扫配方参数；确定所述第一目标生产批次对应的当前制程工艺机台，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；根据所述机台标识确定与所述当前制程工艺机台对应的吹扫配方参数，以控制所述第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
[0011]本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第二初始站点和第二结束站点；获取处于所述第二初始站点和所述第二结束站点之间的第二区间内的第二生产批次，所述第一区间与所述第二区间无重叠；从所述第二生产批次中确定尚未在所述第二区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第二候选生产批次；从所述第二候选生产批次中确定第二目标生产批次；控制第二目标氮气吹扫站点对所述第二目标生产批次进行氮气吹扫。
[0012]根据本公开的再一个方面，提供一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现装置，包括：设置单元，用于从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点；获取单元，用于获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次；确定单元，用于从所述第一生产批次中确定尚未在所述第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次；所述确定单元，还用于从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次；控制单元，用于控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
[0013]根据本公开的又一个方面，提供一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储器，配置为存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如本公开任一实施例所述的方法。
[0014]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0015]图1是动态随机存取存储器中因气体冷凝而形成的位线接触颈缩的结构示意图。
[0016]图2是本公开一示例性实施例的半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法的流程图。
[0017]图3是OHB（Over Head Buffer，储存货架）氮气吹扫装置。
[0018]图4是本公开一示例性实施例的半导体产品制造过程中氮气吹扫实现装置的框图。
[0019]图5是本公开一示例性实施例中的氮气吹扫实现系统的架构示意图。
具体实施方式
[0020]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。
[0021]在半导体产品制造过程中，例如动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的制造过程中，需要制造用于存储电荷的电容和存取电容中电荷的晶体管。在上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法，其特征在于，包括：从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点；获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次；从所述第一生产批次中确定尚未在所述第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次；从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次；控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：设置批次类型；其中，获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次，包括：获取处于所述第一区间内的第一初始生产批次；从所述第一初始生产批次中确定满足所述批次类型的所述第一生产批次。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：设置吹扫类型；其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，包括：若所述吹扫类型为默认定时吹扫类型，则判定所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次；其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，包括：控制所述第一目标生产批次从其当前制程工艺机台转移至所述第一目标氮气吹扫站点，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；控制所述第一目标氮气吹扫站点根据所述默认定时吹扫类型，对所述第一目标生产批次执行预定时长的氮气吹扫。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：设置吹扫类型；若所述吹扫类型为持续吹扫类型，则设置预设等待时长和预设吹扫时长；其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，包括：判定在当前制程工艺机台的等待时长大于或等于所述预设等待时长的所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，包括：控制所述第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次执行所述预设吹扫时长的氮气吹扫。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，还包括：检测所述第一目标生产批次进行氮气吹扫的吹扫时长；当所述吹扫时长达到...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍锡飞，朱磊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：