存储装置制造方法及图纸

本公开提供一种存储装置，包括：至少一个第一存储区域、至少一个驱动模块以及至少一个放大模块；其中，每个第一存储区域的字线方向上的两侧布置有驱动模块，每个第一存储区域的位线方向上的两侧布置有放大模块；每个第一存储区域包含至少一个在字线方向上并排布置的混合存储块，混合存储块用于存储数据和片上校验码。在第一存储区域内设置用于混合存储数据和片上校验码的混合存储块，无需单独为片上校验码设置存储区域，减少存储区域的个数，从而可以减少驱动模块的数量。可以减少驱动模块的数量。可以减少驱动模块的数量。

【技术实现步骤摘要】
存储装置


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种存储装置。

技术介绍

[0002]随着市场对半导体器领域中的存储装置性能要求的日益提高，存储装置的尺寸变得越来越小。为了适应存储装置的尺寸变小的趋势，需要进一步优化存储装置的结构。

技术实现思路

[0003]本公开提供一种存储装置，包括：至少一个第一存储区域、至少一个驱动模块以及至少一个放大模块；
[0004]其中，每个第一存储区域的字线方向上的两侧布置有驱动模块，每个第一存储区域的位线方向上的两侧布置有放大模块；
[0005]每个第一存储区域包含至少一个在字线方向上并排布置的混合存储块，混合存储块用于存储数据和片上校验码。
[0006]在一实施例中，存储装置包括一个第二存储区域；
[0007]其中，第二存储区域的字线方向上的两侧布置有驱动模块，第二存储区域的位线方向上的两侧布置有放大模块；
[0008]第二存储区域设有系统校验码子区域，系统校验码子区域包括至少一个在字线方向上并排布置系统校验码存储块，系统校验码存储块用于存储系统校验码。
[0009]在一实施例中，至少一个第一存储区域在字线方向上并排布置，第二存储区域位于两个第一存储区域之间；
[0010]且任意两个相邻的第一存储区域之间仅布置一个驱动模块，相邻布置的第二存储区域和第一存储区域之间仅布置一个驱动模块。
[0011]在一实施例中，第二存储区域还设有第一冗余子区域和第二冗余子区域；
[0012]第一冗余子区域包括至少一个在字线上并排布置的第一冗余存储块，第二冗余子区域包括至少一个在字线上并排布置的第二冗余存储块；
[0013]其中，第一冗余存储块用于存储系统校验码，第二冗余存储块用于存储数据和片上校验码。
[0014]在一实施例中，第二存储区域还包括三个第一虚拟存储块；
[0015]系统校验码区域位于两个第一虚拟存储块之间，连续布置的第一冗余子区域和第二冗余子区域位于两个第一虚拟存储块之间。
[0016]在一实施例中，第一存储区域还包括两个第二虚拟存储块；其中，连续布置的至少一个混合存储块位于两个第二虚拟存储块之间。
[0017]在一实施例中，混合存储块包括：多个在字线方向上并排布置的第一存储结构；
[0018]其中，每个第一存储结构包括在字线方向上并排布置的第一子结构和第二子结构；第一子结构用于存储数据和片上校验码；第二子结构用于存储数据和片上校验码。
[0019]在一实施例中，第一子结构包括多个存储单元、9条连续布置的位线和多条连续布置的字线；每个存储单元，包括一个晶体管和一个电容，晶体管的源极连接电容；每条位线连接在位线方向上排列的晶体管的漏极；每条字线连接在字线方向上排列的晶体管的栅极；
[0020]其中，字线方向和位线方向相互垂直，9条位线被同一根列选择线控制；将9条连续布置的位线中位于边缘的1条位线称为第一校验码位线，将剩余的连续布置的8条位线中的每条位线称为第一数据位线，第一数据位线所连接的存储单元用于存储数据，第一校验码位线连接的存储单元用于存储片上校验码。
[0021]在一实施例中，第二子结构包括多个存储单元、9条连续布置的位线和多条连续布置的字线；每条位线连接在位线方向上排列的晶体管的漏极；每条字线连接在字线方向上排列的晶体管的栅极；
[0022]其中，字线方向和位线方向相互垂直，9条位线被同一根列选择线控制；将9条连续布置的位线中位于边缘的1条位线称为第二校验码位线，将剩余的连续布置的8条位线中的每条位线称为第二数据位线，第二数据位线所连接的存储单元用于存储数据，第二校验码位线连接的存储单元用于存储片上校验码；且第一校验码位线与第二校验码位线相邻布置。
[0023]在一实施例中，放大模块包括多个灵敏放大器；
[0024]第一子结构中的第一校验码位线连接第一灵敏放大器；第二子结构中的第二校验码位线连接第二灵敏放大器；
[0025]第一灵敏放大器和第二灵敏放大器布置于第一子结构在位线方向上的不同侧。
[0026]在一实施例中，第一子结构中任意两个相邻位线所连接的灵敏放大器标记为第三灵敏放大器和第四灵敏放大器；第三灵敏放大器和第四灵敏放大器布置于第一子结构在位线方向上的不同侧；
[0027]第二子结构中任意两个相邻位线所连接的灵敏放大器标记为第五灵敏放大器和第六灵敏放大器；第五灵敏放大器和第六灵敏放大器布置于第二子结构在位线方向上的不同侧。
[0028]在一实施例中，系统校验码存储块包括多个并排布置的第二存储结构；
[0029]第二存储结构包括多个存储单元以及8条连续布置的位线和多条连续布置的字线，每个存储单元包括一个晶体管和一个电容，晶体管的源极连接电容；将8条连续布置的位线中的每条位线称为第三数据位线；
[0030]每条第三数据位线连接在位线方向上排列的晶体管的漏极；每条字线连接在字线方向上排列的晶体管的栅极；字线方向和位线方向相互垂直，8条位线被同一根列选择线控制；8条第三数据位线连接的存储单元用于存储系统校验码。
[0031]在一实施例中，第二冗余存储块的结构同混合存储块的结构相同。
[0032]在一实施例中，第一冗余存储块包括多个在字线上并排布置的第三存储结构；第三存储结构的结构与第二存储结构的结构相同。
[0033]在一实施例中，每个第一虚拟存储块均包括多个在字线上并排布置的第四存储结构，每个第二虚拟存储块均包括多个在字线上并排布置的第五存储结构；第四存储结构的结构与第二存储结构的结构相同，第五存储结构的结构与第二存储结构的结构相同。
[0034]本公开提供一种存储装置，在第一存储区域内设置用于混合存储数据和片上校验码的混合存储块，无需单独为片上校验码设置存储区域，减少存储区域的个数，从而可以减少驱动模块的数量，并且用一个第二存储区域存储系统校验码，可以进一步减少存储区域的数量，从而可以进一步减少驱动模块的数量，减少存储装置的版图面积。
附图说明
[0035]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
[0036]图1为本公开一实施例提供的存储装置的结构示意图；
[0037]图2为本公开图1所示实施例提供的存储装置中的数据存储区域的结构示意图；
[0038]图3为本公开另一实施例提供的存储装置的结构示意图；
[0039]图4为本公开图3所示实施例提供的存储装置中第一存储区域的结构示意图；
[0040]图5为本公开图3所示实施例提供的存储装置中第一子结构的结构示意图；
[0041]图6为本公开图3所示实施例提供的存储装置中第二子结构的结构示意图；
[0042]图7为本公开图3所示实施例提供的存储装置中第二存储区域的结构示意图；
[0043]图8为本公开图7所示实施例提供的存储装置中第二存储结构的结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储装置，其特征在于，包括：至少一个第一存储区域(110)、至少一个驱动模块(120)以及至少一个放大模块(130)；其中，每个所述第一存储区域(110)的字线方向上的两侧布置有所述驱动模块(120)，每个所述第一存储区域(110)的位线方向上的两侧布置有所述放大模块(130)；每个所述第一存储区域(110)包含至少一个在所述字线方向上并排布置的混合存储块(111)，所述混合存储块(111)用于存储数据和片上校验码。2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述存储装置包括一个第二存储区域(140)；其中，所述第二存储区域(140)的所述字线方向上的两侧布置有所述驱动模块(120)，所述第二存储区域(140)的所述位线方向上的两侧布置有所述放大模块(130)；所述第二存储区域(140)设有系统校验码子区域(401)，所述系统校验码子区域(401)包括至少一个在所述字线方向上并排布置系统校验码存储块(141)，所述系统校验码存储块(141)用于存储系统校验码。3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，所述至少一个第一存储区域(110)在所述字线方向上并排布置，所述第二存储区域(140)位于两个所述第一存储区域(110)之间；且任意两个相邻的第一存储区域(110)之间仅布置一个所述驱动模块(120)，相邻布置的所述第二存储区域(140)和所述第一存储区域(110)之间仅布置一个所述驱动模块(120)。4.根据权利要求2或3所述的存储装置，其特征在于，所述第二存储区域(140)还设有第一冗余子区域(402)和第二冗余子区域(403)；所述第一冗余子区域(402)包括至少一个在所述字线上并排布置的第一冗余存储块(142)，所述第二冗余子区域(403)包括至少一个在所述字线上并排布置的第二冗余存储块(143)；其中，所述第一冗余存储块(142)用于存储所述系统校验码，所述第二冗余存储块(143)用于存储所述数据和所述片上校验码。5.根据权利要求4所述的存储装置，其特征在于，所述第二存储区域(140)还包括三个第一虚拟存储块(144)；所述系统校验码区域位于两个所述第一虚拟存储块(144)之间，连续布置的所述第一冗余子区域(402)和所述第二冗余子区域(403)位于两个所述第一虚拟存储块(144)之间。6.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于，所述第一存储区域(110)还包括两个第二虚拟存储块(112)；其中，连续布置的所述至少一个混合存储块(111)位于两个所述第二虚拟存储块(112)之间。7.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述混合存储块(111)包括：多个在所述字线方向上并排布置的第一存储结构(101)；其中，每个所述第一存储结构(101)包括在所述字线方向上并排布置的第一子结构(102)和第二子结构(103)；所述第一子结构(102)用于存储所述数据和所述片上校验码；所述第二子结构(103)用于存储所述数据和所述片上校验码。8.根据权利要求7所述的存储装置，其特征在于，所述第一子结构(102)包括多个存储
单元、9条连续布置的位线和多条连续布置的字线；每个所述存储单元，包括一个晶体管和一个电容，所述晶体管的源极连接所述电容；每条所述位线连接在所述位线方向上排列的所述晶体管的漏极；每条所述字线连接在所述字线方向上排列的所述晶体管的栅极；其中，所述字线方向和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗元钧，潘育生，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：