本发明专利技术提供了一种可控制溢流边缘波动的电镀槽及电镀装置，其中，可控制溢流边缘波动的电镀槽包括槽体和设置于槽体上的溢流装置，槽体内可盛放电镀液，溢流装置包括溢流环和若干个支撑柱，溢流环经支撑柱支撑于槽体的上表面，槽体上表面与溢流环之间形成溢流口。本发明专利技术提供的可控制溢流边缘波动的电镀槽及电镀装置，通过溢流装置的设置，当槽体的进液量小于或等于预设值时，槽体中溢流出的电镀液从溢流口流出，当槽体的进液量大于预设值时，从槽体中溢流出的电镀液则从溢流口以及溢流环上表面流出，由此消除了晶圆最外圈处的液体波动，保证了晶圆最外圈电镀的均匀性。保证了晶圆最外圈电镀的均匀性。保证了晶圆最外圈电镀的均匀性。
【技术实现步骤摘要】
一种可控制溢流边缘波动的电镀槽及电镀装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体地，涉及一种可控制溢流边缘波动的电镀槽，以及包含该电镀槽的电镀装置。
技术介绍
[0002]晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在制造时，需在晶圆上电镀一层导电金属，并对导电金属层进行加工以制成导电线路。在电镀过程中，需尽量使电镀液均匀分布在晶圆上，晶圆的电镀均匀性是电镀工艺的关键。
[0003]然而现有技术中，晶圆在电镀时，电镀槽内的电镀液经搅拌系统搅拌后会在电镀槽的溢流边缘处产生较大的波动和扰动，影响晶圆最外圈的电镀效果，导致晶圆电镀的不均匀性，极大的影响晶圆的电镀质量。
[0004]因此，本领域亟需一种能够消除电镀液在溢流边缘处产生波动和扰动的电镀槽，以使晶圆的电镀达到理想效果。
技术实现思路
[0005]针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种可控制溢流边缘波动的电镀槽，以及包含该电镀槽的电镀装置，该电镀槽能够消除电镀液在溢流边缘处产生的波动和扰动，从而保证晶圆最外圈的电镀均匀性。
[0006]为实现本专利技术的上述专利技术目的，本专利技术采用如下所述技术方案：
[0007]一种可控制溢流边缘波动的电镀槽，包括槽体和设置于槽体上的溢流装置，槽体内可盛放电镀液，溢流装置包括溢流环和若干个支撑柱，溢流环经支撑柱支撑于槽体的上表面，槽体上表面与溢流环之间形成溢流口。
[0008]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，溢流环通过支撑柱的支撑，与槽体的上表面留有适当的间隙，该间隙即为溢流口，当槽体的进液量小于或等于预设值时，槽体中的电镀液向外溢流，且溢流出的电镀液从溢流口流出，当槽体的进液量大于预设值时，从槽体中溢流出的电镀液则从溢流口以及溢流环上表面流出，由此消除了晶圆最外圈处的液体波动，保证了晶圆最外圈电镀的均匀性。
[0009]优选地，所述溢流口具有一从内口处向外延伸的引流段，所述引流段的口径从内向外逐渐缩小。
[0010]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，通过口径从内向外逐渐收缩的引流段的设置，能够确保槽体中溢流出的电镀液顺着溢流口平缓的流出，避免了晶圆最外圈处的液体波动。
[0011]优选地，所述溢流环包括一倾斜面，所述倾斜面与槽体的上表面之间形成溢流口的引流段。
[0012]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，利用溢流环倾斜面的设计，实现引流段
的口径由内向外逐渐缩小，确保槽体中溢流出的电镀液能够顺着溢流口平缓的流出。
[0013]优选地，所述倾斜面相对于水平面的倾斜角度介于30
°
～45
°
之间。
[0014]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，将溢流环倾斜面的倾斜角度范围设定在30
°
～45
°
，在此角度范围内，能够更好的引导电镀液通过溢流口溢流。
[0015]优选地，所述倾斜面相对于水平面的倾斜角度为45
°
。
[0016]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，将溢流环倾斜面相对于水平面的倾斜角度设定为45
°
，这样的角度设计能够很好的对电镀液起到引流效果，保证电镀液平稳的从溢流口流出。
[0017]优选地，所述引流段的外口径和内口径的比值介于1/7～2/5之间。
[0018]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，将引流段外口径和内口径的比值设置于1/7～2/5之间，一方面，避免引流段内口径和外口径的差距过大，导致电镀液无法很好的溢流；另一方面，避免溢流口内口径和外口径的差距过小，以致无法对电镀液起到很好的引流效果。
[0019]优选地，所述引流段内口径的取值范围介于5～7mm之间；引流段外口径的取值范围介于1～2mm之间。
[0020]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，将引流段内口径的取值范围设置于5～7mm之间，引流段外口径的取值范围设置于1～2mm之间，该取值范围的设置一方面能够很好的满足对电镀液的引流效果，另一方面，能够使电镀槽的结构更加简洁且紧凑，避免溢流装置在垂直方向上占用太多的空间。
[0021]优选地，所述引流段内口径的取值为5mm，引流段外口径的取值为1mm。
[0022]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，将引流段内口径的取值限定为5mm，引流段外口径的取值限定为1mm，在保证良好溢流效果的同时，使设备的结构更加简洁且紧凑。
[0023]优选地，所述支撑柱沿溢流环的圆环面等间距分布。
[0024]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，使支撑柱沿溢流环的圆环面等间距分布，由此提高溢流环的稳定性并提高溢流的均匀性。
[0025]一种电镀装置，包括以上任一项所述的可控制溢流边缘波动的电镀槽。
[0026]本技术方案中，通过采用以上的结构设计，使电镀装置包含以上任一项所述的可控制溢流边缘波动的电镀槽，由此消除晶圆在电镀过程中，晶圆最外圈处的液体波动，保证了晶圆最外圈电镀的均匀性。
[0027]与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
[0028]本专利技术提供的可控制溢流边缘波动的电镀槽及电镀装置，通过溢流装置的设置，当槽体的进液量小于或等于预设值时，槽体中的电镀液向外溢流，且溢流出的电镀液从溢流口流出，当槽体的进液量大于预设值时，则从槽体中溢流出的电镀液从溢流口以及溢流环上表面流出，由此消除了晶圆最外圈处的液体波动，保证了晶圆最外圈电镀的均匀性。
附图说明
[0029]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0030]图1为第一实施例所述可控制溢流边缘波动的电镀槽的整体结构示意图；
[0031]图2为第一实施例所述可控制溢流边缘波动的电镀槽中溢流装置的结构示意图；
[0032]图3为第一实施例所述可控制溢流边缘波动的电镀槽的局部主视剖视图。
[0033]图中示出：
[0034]100
‑
可控制溢流边缘波动的电镀槽；
[0035]10
‑
槽体；
[0036]20
‑
溢流装置；
[0037]21
‑
溢流环；
[0038]211
‑
溢流环上表面；
[0039]212
‑
倾斜面；
[0040]22
‑
支撑柱；
[0041]30
‑
溢流口；
[0042]31
‑
引流段；
[0043]D
‑
内口径；
[0044]d
‑
外口径；
[0045]β
‑
倾斜角
具体实施方式
[0046]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可控制溢流边缘波动的电镀槽，其特征在于，包括槽体和设置于槽体上的溢流装置，槽体内可盛放电镀液，溢流装置包括溢流环和若干个支撑柱，溢流环经支撑柱支撑于槽体的上表面，槽体上表面与溢流环之间形成溢流口。2.根据权利要求1所述的可控制溢流边缘波动的电镀槽，其特征在于，所述溢流口具有一从内口处向外延伸的引流段，所述引流段的口径从内向外逐渐缩小。3.根据权利要求2所述的可控制溢流边缘波动的电镀槽，其特征在于，所述溢流环包括一倾斜面，所述倾斜面与槽体的上表面之间形成溢流口的引流段。4.根据权利要求3所述的可控制溢流边缘波动的电镀槽，其特征在于，所述倾斜面相对于水平面的倾斜角度介于30
°
～45
°
之间。5.根据权利要求4所述的可控制溢流边缘波...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文，
申请(专利权)人：新阳硅密上海半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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