湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构包括主壳体，所述主壳体中间设计有放置台，所述主壳体侧边设计有喷液方向对应中间晶圆片的喷头，所述主壳体上部装配有向下吹入洁净气体的进气模块，所述主壳体下部设计有水槽，所述主壳体下部水槽的底板倾斜设计，所述水槽底部较低的一侧加工有用来排液的出水口，所述主壳体的后部设计有出气口，所述出气口的高度高于放置台工作时的高度。本结构通过主壳体上方吹入洁净气体，然后通过主壳体后部的出气口抽气，这样雾气就不会残留到晶圆表面，保证了晶圆表面清洗后的洁净。同时通过主壳体下部水槽的倾斜设计，使得喷淋液可以快速流出，还可以有效防止液体残留。还可以有效防止液体残留。还可以有效防止液体残留。

【技术实现步骤摘要】
湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构


[0001]本技术涉及晶圆片加工设备
，具体涉及湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构。

技术介绍

[0002]在晶圆片的湿制程加工过程中，需要对晶圆片的表面喷洒化学药液和清洁液，在喷洒液体的过程中容易产生大量的雾气，而这些雾气在加工过程中残留在晶圆片的表面。在这类设备中为了降低加工腔体中的氧气含量，虽然会设计专门的抽气结构，但是这些抽气结构通常上下结构设计，如授权公告号为CN 217615430 U公开的一种具有抽气功能的分流装置，清洁的空气就是从上部进入腔体内部，然后从设备的下部抽出，这种结构虽然具有很好的抽气效果，但是在抽气过程中由于气流向下运动经过晶圆片的表面，这会使得设备喷液过程中的雾气贴附到晶圆片的表面，最终使得晶圆片的表面产生药液的残留污渍，影响晶圆片的下步加工，另外在传统的结构中，在晶圆表面喷洒的药液会流入到下部的水槽中，而下部的水槽通常水平设计。

技术实现思路

[0003]针对以上问题，本技术提供一种可以将晶圆片加工腔体中的雾气快速从侧边抽走防止雾气落入晶圆片上表面的湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：该湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构包括主壳体，所述主壳体中间设计有放置待加工晶圆片的放置台，所述主壳体侧边设计有喷液方向对应中间晶圆片的喷头，所述主壳体上部装配有向下吹入洁净气体的进气模块，所述主壳体下部设计有水槽，所述主壳体下部水槽的底板倾斜设计，所述水槽底部较低的一侧加工有用来排液的出水口，所述主壳体的后部设计有出气口，所述出气口外部连接有抽气管路，所述出气口的高度高于放置台工作时的高度。
[0005]作为优选，所述放置台设计为圆形，所述主壳体内部放置台外部设计有与放置台同轴装配的挡水环，所述挡水环的两侧分别通过贯穿主壳体底部的升降杆连接有挡水升降气缸。
[0006]作为优选，所述主壳体后部加工有左右两个出气口。
[0007]作为优选，所述水槽底部设计有向上凸出的出水块，所述出水块内设计有竖直贯穿的通水口，所述通水口连接有进液管路。
[0008]作为优选，所述主壳体为方形，所述主壳体前部平面装配有透明的舱门，所述主壳体底部左右两侧水平设计，所述水槽设计在所述主壳体底部中间位置，所述水槽向下凸出。
[0009]作为优选，所述放置台底部向下伸出水槽，所述放置台底部连接有升降气缸，所述主壳体水槽的底部中间设计有向上伸出的隔水环，所述隔水环上下贯通，所述放置台底部设计有向下的挡边，所述隔水环深入到所述挡边内侧。
[0010]本技术的有益效果在于：本湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构主要使用
在半导体晶圆片的加工中，该结构通过主壳体上方吹入洁净气体，然后通过主壳体后部的出气口将晶圆清洗时产生的雾气快速抽走，同时在抽气工作时，所述晶圆片的位置低于出气口，这样气流抽气操作时带走的雾气就不会经过晶圆片的表面，这样雾气就不会残留到晶圆表面，保证了晶圆表面清洗后的洁净。同时通过主壳体下部水槽的倾斜设计，不仅使得设备的喷淋液可以快速的从较低位置的出水口流出，还可以有效防止液体在水槽底板的残留。
附图说明
[0011]图1是湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构立体的结构示意图。
[0012]图2是湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构正向的结构示意图。
[0013]图3是湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构正向剖面的结构示意图。
[0014]图4是图中A
‑
A向剖面的结构示意图。
具体实施方式
[0015]下面结合实施例对本技术进一步说明：
[0016]在本专利中，所使用的方向性词语，其关系均为基于附图2、图3所示图形的方位或位置关系，仅是为了简化描述本申请，而不是指示装置或元件必须具有的特定方位，因此不能理解为对本申请的限制。
[0017]在本实施例中，如图1、图2、图3和图4所示，本湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构包括主壳体1，所述主壳体1下部通过框架固定连接。所述主壳体1中间设计有放置待加工晶圆片的放置台2，所述放置台2用来吸附放置在其上部发的晶圆片，所述放置台2可以采用传统结构，包括多个的组装零件，在此不做详细叙述。所述主壳体1侧边设计有喷液方向对应中间晶圆片的喷头3，工作时，所述喷头3向放置台2上的晶圆片喷淋液体。所述主壳体1上部装配有向下吹入洁净气体的进气模块4，从所述进气模块4进入所述主壳体1内部的空气为洁净空气。所述主壳体1下部设计有水槽11，在本实施例中，所述水槽11和主壳体1一体加工，根据需要所述水槽11也可以独立加工后与所述主壳体1连接使得其内部成为一体的腔体。在具体设计时所述主壳体1下部水槽11的底板倾斜设计，在本实施例中所述水槽11的底板向后下方倾斜设计，所述水槽11的后下方加工有用来排液的出水口12，所述主壳体1的后部或者侧边设计有出气口13，所述出气口13外部连接有抽气管路，所述出气口13的高度高于放置台2工作时的高度。
[0018]本湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构主要使用在半导体晶圆片的加工中，以本专利中的结构为例，该结构通过主壳体1上方向下部腔体内吹入洁净气体，然后通过主壳体1后部的出气口13将晶圆清洗时产生的雾气快速抽走，如图3所示，这时由于代加工的晶圆片放置在所述放置台2上部，其位置低于出气口，这样气流抽气操作时带走的雾气就不会经过晶圆片的表面，这样雾气就不会残留到晶圆表面，保证了晶圆表面清洗后的洁净。同时通过主壳体下部水槽的倾斜设计，如图4所示，这样不仅使得设备的喷淋液可以快速的从后部的出水口12流出，还可以有效防止液体在水槽11底板的残留。总的来说该结构可以淋液或者清洗晶圆片表面时，大大降低喷淋液体在腔体内的残留时间，同时使得喷淋时产生的雾气从后部不经过晶圆表面被抽走，可以有效防止雾气黏连在晶圆片的表面。从而保证了
喷淋后晶圆片表面的洁净。
[0019]在具体设计时，如图3和图4所示，所述放置台2设计为圆形，所述主壳体1内部放置台2外部设计有与所述放置台2同轴装配的挡水环5，所述挡水环5的两侧分别通过贯穿所述主壳体1底部的升降杆51连接有挡水升降气缸52。所述升降杆51与主壳体1底部的密封滑动装配，所述挡水升降气缸52可以控制所述挡水环5在主壳体1内部上下移动，在放置或者拿取主壳体内部晶圆片时，所述挡水环5位于较低位置，当晶圆片被喷淋时，所述挡水环5位于如图的较高位置，这时挡水环5可以放置喷洒在晶圆片上液体迸溅到别处，使得迸溅液体快速从挡水环内壁流入到水槽11中，同时所述挡水环5也可以起到矫正气流的作用，如图3所示，使得进气模块4吹入的气流裹挟雾气从挡水环5上部通过，进一步从避免气流从晶圆片表面通过，保证晶圆片表面的洁净。
[0020]如图4所示，所述水槽11底部设计有向上凸出的出水块14，所述出水块14内设计有竖直贯穿的通水口，所述通水口连接有进液管路。凸出的出水块14结构设计在水槽11的底部，凸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构，它包括主壳体(1)，所述主壳体(1)中间设计有放置待加工晶圆片的放置台(2)，所述主壳体(1)侧边设计有喷液方向对应中间晶圆片的喷头(3)，其特征在于：所述主壳体(1)上部装配有向下吹入洁净气体的进气模块(4)，所述主壳体(1)下部设计有水槽(11)，所述主壳体(1)下部水槽(11)的底板倾斜设计，所述水槽(11)底部较低的一侧加工有用来排液的出水口(12)，所述主壳体(1)的后部或者侧边设计有出气口(13)，所述出气口(13)外部连接有抽气管路，所述出气口(13)的高度高于放置台(2)工作时的高度。2.根据权利要求1所述的湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构，其特征在于：所述放置台(2)设计为圆形，所述主壳体(1)内部放置台(2)外部设计有与放置台(2)同轴装配的挡水环(5)，所述挡水环(5)的两侧分别通过贯穿主壳体(1)底部的升降杆(51)连接有挡水升降气缸(52)。3.根据权利要求1或2所述的湿制程晶圆加工腔体防雾洁净导流结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾麒文，洪成都，
申请(专利权)人：苏州桔云科技有限公司，
类型：新型
国别省市：