混合非易失性存储器单元制造技术

一种非易失性存储器结构及其制造方法，其可包括在第一端子和第二端子之间的第一存储器元件和第二存储器元件。第一存储元件和第二存储元件可以在第一端子和第二端子之间彼此并联。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。够更好地调谐设置和重置电导参数。够更好地调谐设置和重置电导参数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】混合非易失性存储器单元


[0001]本专利技术涉及非易失性存储器，更具体地，涉及用于神经形态计算的忆阻器件。

技术介绍

[0002]“机器学习”用于广泛地描述从数据学习的电子系统的主要功能。在加速的机器学习和认知科学中，人工神经网络(ANN)是由动物的生物神经网络，特别是大脑，所启发的一族统计学习模型。ANN可以用于估计或近似依赖于大量输入并且通常未知的系统和函数。ANN结构、神经形态微芯片和超高密度非易失性存储器可以由被称为交叉式阵列的高密度、低成本电路结构形成。一种基本的交叉杆阵列配置包括一组导电行线和形成为与该组导电行线交叉的一组导电列线。两组导线之间的交叉部分由所谓的交叉点器件分开，交叉点器件可以由薄膜材料形成。交叉点器件可以被实现为所谓的忆阻器件。忆阻器件的特性包括非易失性、存储可变电阻值的能力、以及使用电流或电压脉冲来调高或调低电阻的能力。

技术实现思路

[0003]一种非易失性存储器结构可以包括第一存储器元件、第二存储器元件、顶部接触和底部接触。顶部接触和底部接触可以与每个存储器元件的一部分接触。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0004]段落[0003]的实施例的非易失性存储器结构可包含具有用于设置及复位操作的不同电导改变的第一存储器元件及第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0005]段落[0003]的实施例的非易失性存储器结构可以包括作为不同类型的忆阻存储器的第一存储器元件和第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0006]段落[0003]的实施例的非易失性存储器结构可包含作为相变存储器的第一存储器元件及作为电阻式随机存取存储器的第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0007]段落[0003]的实施例的非易失性存储器结构可为第一存储器元件的状态与第二存储器元件的状态的组合。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0008]一种非易失性存储器结构可以包括第一存储器元件、在第一端子和第二端子之间的第二存储器元件。第一存储元件和第二存储元件可以在第一端子和第二端子之间彼此并联。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0009]段落[0008]的实施例的非易失性存储器结构可包含具有用于设置及复位操作的
不同电导改变的第一存储器元件及第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0010]段落[0008]的实施例的非易失性存储器结构可以包括作为不同类型的忆阻存储器的第一存储器元件和第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0011]段落[0008]的实施例的非易失性存储器结构可包含作为相变存储器的第一存储器元件及作为电阻式随机存取存储器的第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0012]段落[0008]的实施例的非易失性存储器结构可为第一存储器元件及第二存储器元件的状态的组合。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0013]一种非易失性存储器结构可以包括彼此并联的第一存储器元件和第二存储器元件。第一存储器元件可以是第一类型的忆阻器，并且第二存储器元件可以是第二类型的忆阻器。非易失性存储器结构的状态可以是第一存储器元件和第二存储器元件的状态的组合。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0014]段落[0013]的实施例的非易失性存储器结构可以包括对于设置和复位操作具有不同电导变化的第一存储器元件和第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0015]段落[0013]的实施例的非易失性存储器结构可以包括作为不同类型的忆阻存储器的第一存储器元件和第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0016]段落[0013]的实施例的非易失性存储器结构可以包括作为相变存储器的第一存储器元件和作为电阻随机存取存储器的第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0017]一种非易失性存储器结构可以包括第一存储器元件、第二存储器元件、顶部接触和底部接触。顶部接触和底部接触可以与每个存储器元件的一部分接触。第一存储元件可以环绕第二存储元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0018]段落[0017]的实施例的非易失性存储器结构可以包括对于设置和复位操作具有不同电导变化的第一存储器元件和第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0019]段落[0017]的实施例的非易失性存储器结构可以包括作为不同类型的忆阻存储器的第一存储器元件和第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0020]段落[0017]的实施例的非易失性存储器结构可以包括作为相变存储器的第一存储器元件和作为电阻随机存取存储器的第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结
构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0021]段落[0017]的实施例的非易失性存储器结构可以是第一存储器元件和第二存储器元件的状态的组合。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。
[0022]一种形成非易失性存储器结构的方法可以包括图案化来自第一存储器材料堆叠的混合单元。该方法可以包括去除混合单元中的第一存储器材料堆叠的一部分。该方法可以包括在由第一存储器材料堆叠的去除部分产生的区域中形成第二存储器材料堆叠。这可以使得能够形成混合非易失性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非易失性存储器结构，包括：第一存储器元件(110)；第二存储器元件(130)；顶部接触(140)，其中所述顶部接触与所述第一存储器元件的顶部表面的至少一部分接触，并且其中所述顶部接触与所述第二存储器元件的顶部表面的至少一部分接触；以及底部接触(100)，其中所述底部接触与所述第一存储器元件的底部表面的至少一部分接触，且其中所述底部接触与所述第二存储器元件的底部表面的至少一部分接触。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一存储器元件(110)和所述第二存储器元件(130)包括用于设置和重置操作的不同电导变化。3.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一存储器元件(110)和所述第二存储器元件(130)包括不同类型的忆阻存储器。4.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一存储器元件(110)包括相变存储器，且其中所述第二存储器元件(130)包括电阻式随机存取存储器。5.根据权利要求1所述的结构，所述非易失性存储器结构的状态包括所述第一存储器元件和所述第二存储器元件的所述状态的组合。6.一种非易失性存储器结构，包括：所述非易失性存储器结构的第一端子；所述非易失性存储器结构的第二端子；以及第一存储元件和第二存储元件，其并联地位于所述第一端子与所述第二端子之间。7.根据权利要求6所述的结构，其中所述第一存储器元件及所述第二存储器元件包括用于设置及复位操作的不同电导改变。8.根据权利要求6所述的结构，其中所述第一存储器元件和所述第二存储器元件包括不同类型的忆阻存储器。9.根据权利要求6所述的结构，其中所述第一存储器元件包括相变存储器，且其中所述第二存储器元件包括电阻式随机存取存储器。10.根据权利要求6所述的结构，所述非易失性存储器结构的状态包括所述第一存储器元件和所述第二存储器元件的所述状态的组合。11.一种非易失性存储器结构，包括；与第二存储器元件并联的第一存储器元件，其中所述第一存储器元件包括第一类型的忆阻器，并且其中所述第二存储器元件包括第二类型的忆阻器；以及所述非易失性存储器结构的状态包括所述第一类型的忆阻器和所述第二类型的忆阻器的状态的组合。12.根据权利要求11所述的结构，其中所述第一存储器元件及所述第二存储器元件包括用于设置及复位操作的不同电导改变。13.根据权利要求11所述的结构，其中所述第一存储器元件和所述第二存储器元件包括不同类型的忆阻存储器。14.根据权利要求11所述的结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：程慷果，C，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：