基板固定装置制造方法及图纸

本公开涉及一种基板固定装置，包括：底板，该底板具有在底板的厚度方向上穿透底板的第一通孔；陶瓷板，该陶瓷板粘合至底板，该陶瓷板具有埋入在陶瓷板中的电极和形成为与第一通孔连通的第二通孔，并且构造成通过当向电极施加电压时产生的静电力来吸附吸附目标对象；绝缘塞，该绝缘塞布置在第一通孔中的与第二通孔连接的连接部处；以及密封构件，该密封构件附接至绝缘塞并且构造成密封连接部的周边。接至绝缘塞并且构造成密封连接部的周边。接至绝缘塞并且构造成密封连接部的周边。

【技术实现步骤摘要】
基板固定装置


[0001]本专利技术涉及一种基板固定装置。

技术介绍

[0002]通常，构造成在制造半导体部件的情况下吸附并且保持晶片的基板固定装置例如还称为静电吸盘(ESC)，并且包括埋入有电极的陶瓷板。基板固定装置具有将陶瓷板固定至底板的结构，并且构造成向埋入在陶瓷板中的电极施加电压，从而通过使用静电力将晶片吸附在陶瓷板的表面上。通过将晶片吸附并且保持在陶瓷板上，可以有效执行诸如晶片上的微制造和蚀刻等处理。
[0003]在这种基板固定装置中，在一些情况下，将诸如氦(He)等惰性气体引入陶瓷板的表面和作为吸附目标对象的晶片之间，以控制晶片的温度。即，诸如在等离子体环境下的干法蚀刻和成膜(溅射和CVD)处理中，例如晶片的温度可能在处理期间升高。因此，为了保持晶片的温度恒定，在陶瓷板的吸附晶片的表面和晶片之间引入诸如He等惰性气体，并且晶片与惰性气体接触，从而抑制晶片的温度升高。
[0004]从设置在基板固定装置中的气孔引入惰性气体。图11是示出了基板固定装置中的气孔周围的结构的截面图。如图11所示，基板固定装置通过利用粘合材料30将陶瓷板20结合至底板10上而构成。连通的气孔TH形成在底板10和陶瓷板20中，并且通过气孔TH将惰性气体从底板10侧排出至陶瓷板20的表面。
[0005]底板10的气孔TH在与陶瓷板20的结合部附近具有大直径，并且通过粘合材料50将绝缘塞40结合至大径部的内壁表面。绝缘塞40例如是多孔(孔隙)体，并且惰性气体穿过绝缘塞40的多个孔并且流入陶瓷板20的气孔TH中。通过布置绝缘塞40，底板10的气孔TH的内壁表面绝缘，使得例如可以防止从等离子体到底板10的异常放电。
[0006]引文列表
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：JP2015
‑
195346A
[0009]专利文献2：JP2020
‑
145281A
[0010]专利文献3：WO2016/132909
[0011]专利文献4：JP2021
‑
044303A

技术实现思路

[0012]然而，在如上所述构造的基板固定装置中，存在如下问题：用于结合底板和陶瓷板的粘合材料流入气孔中，因此气孔被堵塞或变窄。即，例如，在图11所示的基板固定装置中，当结合底板10和陶瓷板20时，半固化粘合材料30流入气孔TH中，因此，气孔TH被完全堵塞或变窄。另外，作为多孔体的绝缘塞40的孔可能发生堵塞。结果，气孔TH中的惰性气体的流量降低，使得不能充分执行对吸附在陶瓷板20的表面上的晶片的温度控制。
[0013]此外，当在等离子体环境下使用基板固定装置时，还存在如下问题：等离子体流入
气孔TH中，因此结合底板10和陶瓷板20的粘合材料30被损坏和劣化。当粘合材料30劣化时，底板10和陶瓷板20被剥离，因此，基板固定装置可能过早损坏。
[0014]鉴于上述问题提出本公开技术，并且本公开技术的目的是提供一种基板固定装置，该基板固定装置能够在确保足够的气体流量的同时防止基板固定装置过早损坏。
[0015]根据本公开的一个方面，提供了一种基板固定装置，该基板固定装置包括：底板，该底板具有在底板的厚度方向上穿透底板的第一通孔；陶瓷板，该陶瓷板粘合至底板，该陶瓷板具有埋入在陶瓷板中的电极和形成为与第一通孔连通的第二通孔，并且构造成通过当向电极施加电压时产生的静电力来吸附吸附目标对象；绝缘塞，该绝缘塞布置在第一通孔中的与第二通孔连接的连接部处；以及密封构件，该密封构件附接至绝缘塞并且构造成密封连接部的周边。
[0016]根据本公开所公开的基板固定装置的一个方面，在确保足够的气体流量的同时，能够实现防止基板固定装置过早损坏的效果。
附图说明
[0017]图1是示出了根据一个实施例的基板固定装置的构造的透视图。
[0018]图2是示出了根据实施例的基板固定装置的截面的示意图。
[0019]图3是示出了根据实施例的基板固定装置的截面的放大图。
[0020]图4是示出了绝缘塞和密封构件的具体示例的图。
[0021]图5是示出了基板固定装置的第一变型实施例的图。
[0022]图6是示出了基板固定装置的第二变型实施例的图。
[0023]图7是示出了基板固定装置的第三变型实施例的图。
[0024]图8是示出了基板固定装置的第四变型实施例的图。
[0025]图9是示出了基板固定装置的第五变型实施例的图。
[0026]图10是示出了基板固定装置的第六变型实施例的图。
[0027]图11是示出了基板固定装置中的气孔周围的结构示例的图。
具体实施方式
[0028]以下，将参照附图对本公开所公开的基板固定装置的一个实施例进行详细描述。应注意的是，本专利技术不局限于本实施例。
[0029]图1是示出了根据一个实施例的基板固定装置100的构造的透视图。图1所示的基板固定装置100具有陶瓷板120与底板110结合的结构。
[0030]例如，底板110是由诸如铝等金属制成的圆形构件。底板110是固定陶瓷板120的基部构件。底板110例如附接至半导体制造设备，并且使基板固定装置100用作半导体保持装置，该半导体保持装置构造成保持晶片。
[0031]陶瓷板120埋入有导电电极，并且该陶瓷板120构造成通过使用当电压施加至电极时产生的静电力来吸附诸如晶片等吸附目标对象。另外，陶瓷板120在吸附吸附目标对象的表面中具有气孔(未示出)的开口部，并且构造成通过例如从开口部发出的诸如氦(He)等惰性气体来控制吸附目标对象的温度。陶瓷板120的直径小于底板110的直径，并且陶瓷板120固定至底板110的中央。此时，通过由例如硅树脂制成的粘合材料将陶瓷板120与底板110结
合。
[0032]图2是示出了沿图1的I
‑
I线截取的截面的示意图。如图2所示，基板固定装置100通过利用粘合材料130将底板110与陶瓷板120结合而构成。
[0033]底板110是由金属制成的圆形构件，该底板110的厚度例如为约20mm至50mm。在底板110中，形成有用作冷却水流路的冷却水通道111和用作惰性气体流路的通孔112。
[0034]冷却水通道111是在底板110的内部循环的流路，并且构造成通过从基板固定装置100的外部引入至冷却水通道111中的冷却水来冷却陶瓷板120。陶瓷板120被冷却，使得吸附在陶瓷板120的表面上的诸如晶片等吸附目标对象被冷却。应注意的是，底板110可以具有用作冷却气体流路的冷却气体通道，以替代冷却水通道111。另外，底板110可以具有保温介质的流路，以替代冷却水通道111。即，底板110具有用于陶瓷板120和吸附目标对象的温度调节的介质的通道。
[0035]通孔112是在底板的厚度方向上穿透(穿过)底板110的通孔，并且形成为将诸如He等惰性气体从基板固定装置100的外部流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板固定装置，包括：底板，其具有在所述底板的厚度方向上穿透所述底板的第一通孔；陶瓷板，其粘合至所述底板，所述陶瓷板具有埋入在所述陶瓷板中的电极和形成为与所述第一通孔连通的第二通孔，并且构造成通过当向所述电极施加电压时产生的静电力来吸附吸附目标对象；绝缘塞，其布置在所述第一通孔中的与所述第二通孔连接的连接部处；以及密封构件，其附接至所述绝缘塞并且构造成密封所述连接部的周边。2.根据权利要求1所述的基板固定装置，其中，所述密封构件具有与所述陶瓷板的表面接触的一个端面和与所述绝缘塞压力接触的另一端面，并且所述绝缘塞在其位于所述底板的所述第一通孔中的状态下，不使用粘合材料而固定至所述底板。3.根据权利要求1所述的基板固定装置，其中，所述绝缘塞具有：大径部，其具有与所述第一通孔的所述连接部的直径基本相同的直径，以及小径部，其与所述大径部重叠并且具有小于所述大径部的直径，并且所述密封构件具有供所述小径部插入的通孔。4.根据权利要求3所述的基板固定装置，其中，所述第一通孔具有与所述第二通孔连接的开口部和设置在所述开口部中的锪孔部，并且所述大径部具有圆柱形状，所述圆柱形状具有与所述锪孔部的直径基本相同的直径，并且所述大径部完全容纳在所述锪孔部中。5.根据权利要求4所述的基板固定装置，其中，所述小径部具有直径小于所述大径部的圆柱部。6.根据权利要求4所述的基板固定装置，其中，所述小径部具有从所述大径部...

【专利技术属性】
技术研发人员：春原昌宏，佐藤溪太，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：