一种加热基座及PECVD设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种加热基座及PECVD设备，属于化学气相沉积领域。它包括本体，其特征在于：所述本体上表面的周向边缘处安装有多个垫块，所述垫块的顶部突出本体表面，用于隔开本体与遮蔽框架；所述本体内部安装有第一加热管和第二加热管，所述第一加热管围设于本体周缘，所述第二加热管位于第一加热管围成的区域内。本实用新型专利技术通过在加热基座本体的周缘处设置垫块，可以将加热基座与遮蔽框架隔开，避免因碰撞导致加热基座上的氧化膜受损。因碰撞导致加热基座上的氧化膜受损。因碰撞导致加热基座上的氧化膜受损。

【技术实现步骤摘要】
一种加热基座及PECVD设备


[0001]本技术属于化学气相沉积领域，更具体地说，涉及一种加热基座及PECVD设备。

技术介绍

[0002]PECVD设备主要由双层装载片腔室，交换片腔室和工艺腔室三部分组成，其中工艺腔室是PECVD设备最重要的组成部分，是进行化学气相沉积的反应腔室。工艺腔室构成较为复杂，其内部主要由反射背板、气体扩散器、遮蔽框架和加热基座四大件组成。其中加热基座在工艺腔室内部起到支撑玻璃基板，充当下部电极的作用，且内部有不锈钢加热管作为热源提供加热温度，需要给玻璃基板升温至所需温度。
[0003]加热基座安装至腔室后，管柱下方会安装移动马达，控制基座上下移动，实现与玻璃基板的接触和分离，以及带动玻璃基板上下移动。加热基座上下移动时，会与遮蔽框架接触碰撞，容易造成加热基座边缘的氧化膜受损，引起导电击穿不良。

技术实现思路

[0004]1、要解决的问题
[0005]针对现有技术中加热基座会与遮蔽框架接触碰撞导致氧化膜受损的问题，本技术提供一种加热基座及PECVD设备。
[0006]2、技术方案
[0007]为解决上述问题，本技术采用如下的技术方案。
[0008]一种加热基座，包括本体，所述本体上表面的周向边缘处安装有多个垫块，所述垫块的顶部突出本体表面，用于隔开本体与遮蔽框架，防止加热基座上的氧化膜被遮蔽框架撞损，垫块可以取陶瓷材质；所述本体内部安装有第一加热管和第二加热管，所述第一加热管围设于本体周缘，所述第二加热管位于第一加热管围成的区域内，第一加热管和第二加热管用于通电后产生热量，从而对加热基座上的玻璃基板进行加热。
[0009]进一步的，所述本体上开设有多个第一安装槽，所述第一安装槽的底部开设有定位孔，所述垫块的底部设置有与定位孔相匹配的定位柱，用于对垫块进行定位安装，所述垫块通过定位孔和定位柱安装于第一安装槽中，从而与遮蔽框架相对应；所述垫块突出本体表面的高度为0.1～0.3mm，垫块在隔开加热基座与遮蔽框架的同时还可以防止遮蔽框架被垫块顶变形。
[0010]进一步的，所述垫块的顶部边缘设置有斜面，所述第一安装槽的外侧设置有第一螺栓，所述第一螺栓锁紧后，其螺帽压在斜面上，便于拆装垫块；所述第一螺栓的螺帽上表面低于垫块的上表面，防止第一螺栓的螺帽与遮蔽框架接触。
[0011]进一步的，所述本体上套设有多个可相对本体上下移动的支撑柱，用于支撑玻璃基板；支撑柱的底端顶在工艺腔室的底部，工作中加热基座本体上下移动，支撑柱相对于本体发生上下移动，从而托起或放下玻璃基板。所述支撑柱包括支撑帽和柱体，所述支撑帽位
于柱体顶部，当加热基座下降时，支撑帽将玻璃基板托起，所述柱体贯穿本体且柱体底端支撑在工艺腔室底部；所述本体上表面开设有容纳支撑帽的第一避位槽，当加热基座上升时，支撑帽被收纳进第一避位槽中。
[0012]进一步的，所述本体上开设有连通第一避位槽的第二安装槽，所述第二安装槽内设置有滚珠衬套，所述滚珠衬套套设于柱体上，滚珠衬套用于促进柱体与本体的相对移动，使得本体上的多个支撑柱同步移动，以免因支撑柱移动不同步，其上的玻璃基板受力不均而碎裂。
[0013]进一步的，所述第一避位槽的深度大于支撑帽的高度，本体将支撑柱抬起时，支撑帽可以完全收纳进第一避位槽中。
[0014]进一步的，所述本体内设置有两组对称设置的第一加热管和第二加热管，所述第一加热管从本体中部至周缘围成“口”字形区域，所述第二加热管围成“山”字形区域，通过有限元分析，该种第一加热管和第二加热管的布置方式可以实现对加热基座的均匀加热。
[0015]进一步的，所述本体内设置有测温元件，所述测温元件位于第二加热管和第一加热管之间，用于监控加热基座是否受热均匀。
[0016]进一步的，所述本体的下表面设置有多处导电区域，每个所述导电区域均连接有导电片，所述导电片接地设置，加热基座在工作过程中表面有大量电荷，需要通过下方连接的导电片进行接地去除表面电荷。
[0017]本技术还提出一种PECVD设备，包括上述的加热基座
[0018]3、有益效果
[0019]相比于现有技术，本技术的有益效果为：
[0020](1)本技术通过在加热基座本体的周缘处设置垫块，可以将加热基座与遮蔽框架隔开，避免因碰撞导致加热基座上的氧化膜受损；通过在垫块上设置斜面，并利用第一螺栓的螺帽对垫块进行锁紧固定，便于垫块的拆装；垫块上定位柱及本体上定位孔的设计，可以确保垫块的位置与遮蔽框架相对应，确保垫块功能的正常实现；为了避免因垫块将遮蔽框架顶至变形，垫块进突出本体表面0.1～0.3mm，同时限定垫块的上表面面积不小于450mm2；
[0021](2)本技术通过在支撑柱的柱体外侧套设滚珠衬套，可以辅助支撑柱相对本体的上下移动，使得本体上的多个支撑柱同步移动，以免因支撑柱移动不同步，其上的玻璃基板受力不均而碎裂；通过将第一加热管围成“口”字形，第二加热管围成“山”字形，可以实现对加热基座的均匀加热。
[0022](3)本技术通过在加热基座底部设置导电区域，并通过导电片接地来去除加热基座的表面电荷。
附图说明
[0023]图1为PECVD设备工艺腔室内的结构示意图；
[0024]图2为图1中A处的局部结构放大示意图；
[0025]图3为一种加热基座的正面结构示意图；
[0026]图4为图3中B处的局部结构放大示意图；
[0027]图5为图4中E
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E处剖视图；
[0028]图6为图4中F
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F处剖视图；
[0029]图7为一种加热基座的背面结构示意图。
[0030]图中：1、本体；2、垫块；3、遮蔽框架；4、第一加热管；5、第二加热管；6、第一安装槽；7、定位孔；8、定位柱；9、斜面；10、第一螺栓；11、支撑柱；12、玻璃基板；13、支撑帽；14、柱体；15、第一避位槽；16、滚珠衬套；17、测温元件；18、导电区域；19导电片；20、第二避位槽。
具体实施方式
[0031]下面结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述。
[0032]实施例1
[0033]结合图1
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图7，一种加热基座，包括本体1，本体1上表面的周向边缘处安装有多个垫块2，垫块2的顶部突出本体1表面，用于隔开本体1与遮蔽框架3，防止加热基座上的氧化膜被遮蔽框架3撞损，垫块2可以取陶瓷材质。遮蔽框架3的下表面呈台阶状，正常工作中其一部分遮挡在玻璃基板12上方，一部分遮挡在加热基座上方，遮挡在玻璃基板12上的部分，可以通过玻璃基板12将遮蔽框架3与加热基座隔开；本方案中，遮挡在加热基座上方的部分通过垫块2来将两者隔开。
[0034]本体1上开设有多个第一安装槽6，第一安装槽6的底部开设有定位孔7，垫块2的底部设置有与定位孔7相匹配的定位柱8，用于将垫块2定位安装于第一安装槽6中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热基座，包括本体，其特征在于：所述本体上表面的周向边缘处安装有多个垫块，所述垫块的顶部突出本体表面，用于隔开本体与遮蔽框架；所述本体内部安装有第一加热管和第二加热管，所述第一加热管围设于本体周缘，所述第二加热管位于第一加热管围成的区域内。2.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于：所述本体上开设有多个第一安装槽，所述第一安装槽的底部开设有定位孔，所述垫块的底部设置有与定位孔相匹配的定位柱，所述垫块通过定位孔和定位柱安装于第一安装槽中；所述垫块突出本体表面的高度为0.1～0.3mm。3.根据权利要求2所述的加热基座，其特征在于：所述垫块的顶部边缘设置有斜面，所述第一安装槽的外侧设置有第一螺栓，所述第一螺栓锁紧后，其螺帽压在斜面上；所述第一螺栓的螺帽上表面低于垫块的上表面。4.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于：所述本体上套设有多个可相对本体上下移动的支撑柱，用于支撑玻璃基板；所述支撑柱包括支撑帽和柱体，所述支撑帽位于柱体顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：李仁杰，冯卫东，刘晓刚，刘超，
申请(专利权)人：合肥微睿科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：