熔射涂层的清洗方法技术

本发明专利技术属于半导体器件清洗技术领域，涉及熔射涂层的清洗方法。针对现有技术中，半导体领域中熔射涂层的清洗再生，一般是将熔射涂层整体去除，易造成的基体工件损伤，需大气等离子体喷涂作业，维修成本高，工艺复杂耗时的技术问题，本申请提供熔射涂层的清洗方法，去除熔射涂层上的灰尘微粒，保留熔射涂层，方法包括有机酸清洗、研磨和高压水洗，在不剥离熔射涂层的前提下，对熔射涂层上的灰尘微粒清洗效果较好，清洗后的熔射涂层性能和再生方式的熔射涂层几乎无差异，满足性能需求的同时，简化了工艺，降低了熔射涂层的维修成本，延长了半导体工件的使用寿命。导体工件的使用寿命。导体工件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
熔射涂层的清洗方法


[0001]本专利技术属于半导体器件清洗
，具体地，涉及熔射涂层的清洗方法。

技术介绍

[0002]TFT
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LCD工艺生产主要是由Array，CF，Cell，Module四大工艺模块组成，其中Array工艺是在玻璃基板上制造出TFT电路，Array主要工艺构成是薄膜沉积、曝光和刻蚀三大部分组成。在气相沉积和干法刻蚀两个工艺中都会运用到大量的腐蚀性气体和等离子体，如三氟化氮、氯气、氟离子和氯离子。腔室内备件在气体和等离子体的长期侵蚀下会有很大的损耗，为了满足备件能够多次循环利用，一般会在备件表面上进行阳极氧化和大气等离子熔射处理，从而保护备件基体，每次再生时只需对备件重新进行表面处理即可。
[0003]TFT
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LCD工艺中会使用各类陶瓷工件，如图2所示，其表面会进行熔射处理，如图3所示，再生维修时一般是利用氢氟酸、硝酸等无机酸对熔射涂层进行彻底剥离，然后重新对陶瓷工件进行熔射处理。熔射工艺具体是采用高纯氧化钇粉末进行大气等离子热喷涂，其费用较为高昂，所以陶瓷工件单次维修成本较高，并且需要氢氟酸等无机酸来去除熔射涂层，氢氟酸本身会对陶瓷有一定腐蚀，多次维修后导致陶瓷工件基材也会受损，甚至产品报废。
[0004]陶瓷表面的熔射涂层有一定的孔隙率，在工艺腔室内可以吸附一定的灰尘微粒，如图4所示，防止灰尘微粒掉落到产品上造成污染，在使用末期熔射涂层由于吸附了大量的灰尘微粒，表面状态较差，无法再吸附灰尘微粒，并且由于重力作用，会有一小部分灰尘微粒掉落到产品上，造成良率不合格，此时需要对陶瓷工件进行再生处理。
[0005]如中国专利申请公布号CN 112521183A，申请日为2020年11月30日，专利技术名称为“一种干式刻蚀工艺用陶瓷件的熔射方法”，公开的方法首先将待熔射陶瓷件放入到浸泡液中浸泡；接着采用纯水洗净陶瓷件并烘干；然后采用耐高温遮蔽胶带和特氟龙帽对陶瓷件进行遮蔽，遮蔽非熔射面，露出熔射面；再对熔射面进行喷砂处理，接着对熔射面进行等离子喷涂；然后去除陶瓷件上遮蔽的耐高温遮蔽胶带和特氟龙帽，再进行二次清洗、烘干；最后检查熔射涂层的外观和尺寸。该方案虽能完全去除灰尘微粒，但该方案存在以下不足：为了去除熔射涂层表面吸附的脏污，同时将整个熔射涂层剥离，工艺复杂，需再次大气等离子体喷涂作业，对基体本身损害较大。
[0006]又如中国专利申请公布号CN104312774A，申请日为2014年09月18日，专利技术名称为“具有氧化钇覆层的部件的清洗液及清洗方法”，公开的方法提供了一种用于具有氧化钇覆层的部件的清洗液，以及相应的清洗方法。清洗液是由质量浓度小于等于10％且大于0％的硝酸溶液和质量浓度小于5％的氢氟酸溶液组成的。但该方案存在以下不足：强酸氢氟酸的使用，会造成基底，如陶瓷工件的损伤，且由于使用的是强酸，处理时间不能过长，导致对微小颗粒，如灰尘微粒的去除效率低。
[0007]综上，在不再生熔射涂层的前提下，如何去除熔射涂层表面吸附的脏污，避免大气等离子体喷涂作业，降低维修成本，降低甚至不产生陶瓷基体的损伤，是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0008]1、要解决的问题
[0009]针对现有技术中，半导体领域中熔射涂层的清洗再生，一般是将熔射涂层整体去除，造成的基体工件易损伤，需大气等离子体喷涂作业，维修成本高，工艺复杂耗时的技术问题，本申请提供熔射涂层的清洗方法，在不剥离熔射涂层的前提下，对熔射涂层上的灰尘微粒清洗效果较好，清洗后的熔射涂层性能和再生方式的熔射涂层几乎无差异，满足性能需求的同时，简化了工艺，降低了熔射涂层的维修成本，延长了半导体工件的使用寿命。
[0010]2、技术方案
[0011]为达到上述目的，提供的技术方案为：
[0012]本申请的熔射涂层的清洗方法，去除熔射涂层上的灰尘微粒，保留熔射涂层；所述方法包括有机酸清洗、研磨和高压水洗。
[0013]进一步地，所述有机酸为10～20wt％的柠檬酸和1～3wt％的硫酸的混酸；所述有机酸清洗步骤的工艺参数为：浸泡20～60min，浸泡温度为50～60℃。
[0014]优选的，采用10wt％柠檬酸和1wt％硫酸的混酸，在50℃下进行浸泡，根据产品的灰尘微粒程度不同，浸泡时间为20～60min。
[0015]进一步地，所述有机酸清洗步骤中，还包括在有机酸清洗后使用纳米海绵擦擦拭熔射涂层孔隙的步骤。
[0016]进一步地，所述研磨步骤为使用纳米海绵擦浸湿后，擦拭所述熔射涂层表面2～3次。
[0017]进一步地，所述高压水洗步骤的工艺参数为：压力3～5MPa。
[0018]进一步地，还包括在所述高压水洗步骤后，进行喷砂的步骤，所述喷砂的工艺参数为：砂材为200～300目白刚玉，喷砂压力为0.15Mpa、喷砂距离150～250mm、喷砂速度为100mm/s、喷砂步距为20mm。
[0019]进一步地，还包括在喷砂步骤后超声波水洗的步骤；所述超声波水洗的工艺参数为：频率40KHz，功率2～4Kw，时间为10～20min。
[0020]进一步地，还包括在超声波水洗步骤后烘干的步骤；所述烘干的工艺参数为：将洗净后产品放入烘箱中80～100℃烘干2～3h。
[0021]进一步地，还包括在所述有机酸清洗步骤前进行第一次水洗，和在所述有机酸清洗步骤后进行第二次水洗的步骤。
[0022]优选的，所述第一次水洗步骤的工艺参数为：置于去离子浸泡10min；所述第二次水洗步骤的工艺参数为：置于去离子浸泡5min。
[0023]进一步地，所述熔射涂层位于TFT
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LCD的陶瓷件上。
[0024]3、有益效果
[0025]采用本专利技术提供的技术方案，与已有的公知技术相比，具有如下有益效果：
[0026]本专利技术的熔射涂层的清洗方法，去除熔射涂层上的灰尘微粒，而保留熔射涂层，方法包括有机酸清洗、研磨和高压水洗。通过有机酸清洗、研磨和高压水洗相结合的方式对熔射涂层表面灰尘微粒进行去除，对陶瓷基体和熔射涂层无损伤，清洗后产品可以恢复初始熔射状态。有机酸浸泡可以溶解熔射涂层表面部分灰尘微粒，并使孔隙内灰尘微粒析出，通过研磨和高压水洗的方式去除附着在表面的灰尘微粒，从而达到在不伤及熔射涂层的前提
下去除灰尘微粒。相比传统的将熔射涂层完全去除再熔射再生的维修方式，本专利技术节省了大气等离子喷涂工序，该工序耗费较大，从而大幅降低了维修成本，且增加了可维修次数。
附图说明
[0027]图1为实施例1的熔射涂层的清洗方法工艺流程图；
[0028]图2为实施例1的陶瓷工件照片图；
[0029]图3为实施例1的陶瓷工件表面熔射涂层照片图；
[0030]图4为实施例1的陶瓷工件熔射涂层表面灰尘微粒照片图；
[0031]图5为实施例1的陶瓷工件熔射涂层清洗后的照片图。
具体实施方式
[0032]为进一步了解本专利技术的内容，结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.熔射涂层的清洗方法，其特征在于：去除熔射涂层上的灰尘微粒，保留熔射涂层；所述方法包括有机酸清洗、研磨和高压水洗。2.根据权利要求1所述的熔射涂层的清洗方法，其特征在于：所述有机酸为10～20wt％的柠檬酸和1～3wt％的硫酸的混酸；所述有机酸清洗步骤的工艺参数为：浸泡20～60min，浸泡温度为50～60℃。3.根据权利要求2所述的熔射涂层的清洗方法，其特征在于：所述有机酸清洗步骤中，还包括在有机酸清洗后使用纳米海绵擦擦拭熔射涂层孔隙的步骤。4.根据权利要求1所述的熔射涂层的清洗方法，其特征在于：所述研磨步骤为使用纳米海绵擦浸湿后，擦拭所述熔射涂层表面2～3次。5.根据权利要求1所述的熔射涂层的清洗方法，其特征在于：所述高压水洗步骤的工艺参数为：压力3～5MPa。6.根据权利要求1
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5任一项所述的熔射涂层的清洗方法，其特征在于：还包括在所述高压水洗步骤后...

【专利技术属性】
技术研发人员：李仁杰，刘晓刚，刘超，冯卫东，
申请(专利权)人：合肥微睿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：