改善钨填充性能的方法技术

本发明专利技术提供一种改善钨填充性能的方法，提供衬底，衬底上形成有半导体器件，在衬底上覆盖有半导体器件的层间介质层，层间介质层上形成有与半导体器件连通的接触孔；在接触孔表面形成阻挡层结构；选择性地在部分区域上的阻挡层结构上形成钝化层；在其他区域上的阻挡层结构上形成钨成核层；在钨成核层上形成填充接触孔的钨金属层，之后研磨钨金属层至目标厚度。本发明专利技术通过选择性生长钝化层，随后的钨填充过程中可以实现选择性的、近从底部至顶部自下而上式的生长，减少空洞或裂缝的形成。减少空洞或裂缝的形成。减少空洞或裂缝的形成。

【技术实现步骤摘要】
改善钨填充性能的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善钨填充性能的方法。

技术介绍

[0002]钨具有优良的性能，在集成电路中被广泛用。但是随着器件特征尺寸的减小，接触孔中沉积的钨薄膜中经常会出现空洞或裂缝，导致器件电性能的退化甚至失效。针对这个问题，业界先进制程采用的改进方法是淀积
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刻蚀
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淀积和淀积
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表面处理(例如采用等离子体处理已淀积薄膜的部分区域)
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淀积。这两种方法为获得较好的填充效果，都必须极大地牺牲产能(throughput)。即便如此，对于复杂形貌的高深宽比接触孔的填充，淀积
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刻蚀
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淀积的改善效果也十分有限。
[0003]为解决上述问题，需要提出一种新型的改善钨填充性能的方法。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善钨填充性能的方法，用于解决现有技术中随着器件特征尺寸的减小，接触孔中沉积的钨薄膜中经常会出现空洞或裂缝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善钨填充性能的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有半导体器件，在所述衬底上覆盖有所述半导体器件的层间介质层，所述层间介质层上形成有与所述半导体器件连通的接触孔；步骤二、在所述接触孔表面形成阻挡层结构；步骤三、选择性地在部分区域上的所述阻挡层结构上形成钝化层；步骤四、在其他区域上的所述阻挡层结构上形成钨成核层；步骤五、在所述钨成核层上形成填充所述接触孔的钨金属层，之后研磨所述钨金属层至目标厚度。2.根据权利要求1所述的改善钨填充性能的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。3.根据权利要求1所述的改善钨填充性能的方法，其特征在于：步骤一中的所述半导体器件包括源区、漏区、栅极结构，所述接触孔与所述源区、漏区、栅极结构中的至少一种连通。4.根据权利要求1所述的改善钨填充性能的方法，其特征在于：步骤一中的所述半导体器件包括源区、漏区、栅极结构以及覆盖所述源区、所述漏区、所述栅极结构的金属互连层，所述接触孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：石刚，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：