温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种改善钨填充性能的方法，提供衬底，衬底上形成有半导体器件，在衬底上覆盖有半导体器件的层间介质层，层间介质层上形成有与半导体器件连通的接触孔；在接触孔表面形成阻挡层结构；选择性地在部分区域上的阻挡层结构上形成钝化层；在其他区域上的...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。