掩模保护膜激光耐久度的检测方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种掩模保护膜激光耐久度的检测方法，利用一激光照射掩模保护膜，并检测可表征所述掩模保护膜的光学性能的特征值，当所述特征值的变化达到一预定值时，获取照射到所述掩模保护膜的单位面积上的激光总量，所述激光总量可表征所述掩模保护膜的激光耐久度，根据所述掩模保护膜的激光耐久度及实际使用场景可以提前估算出所述掩模保护膜的寿命，据此可在合适的时间丢弃所述掩模保护膜，既能够满足曝光要求又不至于造成浪费。相应的，本发明专利技术还提供了一种掩模保护膜激光耐久度的检测装置。测装置。测装置。

【技术实现步骤摘要】
掩模保护膜激光耐久度的检测方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种掩模保护膜激光耐久度的检测方法及装置。

技术介绍

[0002]近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向次四分之一微米(sub
‑
quarter micron)的微细化，由于光刻需要更大的分辨率，光刻中曝光光源的波长有变短的趋势，由基于汞灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转变为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等深紫外光(deep ultraviolet，DUV)，并且出现了使用主波长为13.5nm极紫外光(Extreme Ultra Violet Light，EUV)的EUV曝光技术。
[0003]虽然光刻工艺的环境已保持得非常乾净，但仍会有些污染的粒子，如果掩模板上有粒子会使得光刻制程受到干扰，导致散焦或失焦的问题。因此，在常规的光刻工艺中，通常会将一薄膜放置在掩模板上方几毫米处，以保护掩模板在处理和曝光等过程中免受污染，这个薄膜被称为掩模保护膜(Mask Pellicle)。掩模保护膜为掩模板提供了一个防止颗粒污染的屏障，但是，为了不影响成像质量，要求掩模保护膜具有高透过率、强机械强度、良好的热稳定性等特点。然而掩模保护膜在工作过程中要承受激光照射，在反覆使用后会开始老化，其光学性能无法满足曝光要求，但若为了保险过早丢弃掩模保护膜也是一种浪费，因此掩模保护膜激光耐久度的检测在实际使用中至关重要。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种掩模保护膜激光耐久度的检测方法及装置，用于检测掩模保护膜激光耐久度。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种掩模保护膜激光耐久度的检测方法，包括：
[0006]利用一激光照射掩模保护膜，并检测所述掩模保护膜的特征值，所述特征值可表征所述掩模保护膜的光学性能；以及，
[0007]当所述特征值的变化达到一预定值时，获取照射到所述掩模保护膜的单位面积上的激光总量，所述激光总量用于表征所述掩模保护膜的激光耐久度。
[0008]可选的，当所述激光为深紫外光时，所述特征值为透过率或膜厚；当所述激光为极紫外光时，所述特征值为透过率。
[0009]可选的，当所述激光为深紫外光时，将所述掩模保护膜放置于空气中进行激光照射；或者，当所述激光为极紫外光时，将所述掩模保护膜放置于真空中进行激光照射，且所述掩模保护膜被氢等离子体围绕。
[0010]可选的，根据所述激光的脉冲能量、发射频率以及照射时间计算出所述激光总量；或者，实时检测照射到所述掩模保护膜的单位面积上的脉冲能量以获取所述激光总量。
[0011]可选的，获取所述激光总量之后，根据所述激光总量及所述掩模保护膜在实际应用时曝光一次单位面积上承受的脉冲能量计算出所述掩模保护膜的寿命。
[0012]本专利技术还提供了一种掩模保护膜激光耐久度的检测装置，包括：
[0013]检测腔室，用于放置掩模保护膜；
[0014]光源，用于发出一激光并照射所述掩模保护膜；
[0015]检测模块，用于检测所述掩模保护膜的特征值，所述特征值可表征所述掩模保护膜的光学性能；以及，
[0016]数据处理模块，用于在所述特征值的变化达到一预定值时获取照射到所述掩模保护膜的单位面积上的激光总量，所述激光总量用于表征所述掩模保护膜的激光耐久度。
[0017]可选的，所述光源包括深紫外激光器和/或极紫外激光器。
[0018]可选的，所述检测模块为膜厚测量仪，用于测量所述掩模保护膜的膜厚；或者，所述检测模块包括两个能量探测单元，两个所述能量探测单元分别用于探测入射至所述掩模保护膜上的脉冲能量及透过所述掩模保护膜的脉冲能量，所述数据处理模块根据两个所述能量探测单元的测量结果得到所述掩模保护膜的透过率。
[0019]可选的，所述检测腔室内设置有氢等离子体发生模块，用于向所述掩模保护膜周围提供氢等离子体。
[0020]可选的，所述检测腔室还具有气体通道，所述气体通道用于连接大气或连接一真空设备。
[0021]本专利技术提供了一种掩模保护膜激光耐久度的检测方法，利用一激光照射掩模保护膜，并检测可表征所述掩模保护膜的光学性能的特征值，当所述特征值的变化达到一预定值时，获取照射到所述掩模保护膜的单位面积上的激光总量，所述激光总量可表征所述掩模保护膜的激光耐久度，根据所述掩模保护膜的激光耐久度及实际使用场景可以提前估算出所述掩模保护膜的寿命，据此可在合适的时间丢弃所述掩模保护膜，既能够满足曝光要求又不至于造成浪费。相应的，本专利技术还提供了一种掩模保护膜激光耐久度的检测装置。
附图说明
[0022]图1为本专利技术实施例一提供的掩模保护膜激光耐久度的检测方法的流程图；
[0023]图2为本专利技术实施例一提供的极紫外曝光制程的光路简化示意图；
[0024]图3为本专利技术实施例一提供的掩模保护膜激光耐久度的检测装置的结构示意图；
[0025]图4为本专利技术实施例二提供的掩模保护膜激光耐久度的检测装置的结构示意图；
[0026]其中，附图标记为：
[0027]10
‑
掩模版；20、400
‑
掩模保护膜；100
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光源；200、201
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调光模块；301
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第一能量探测单元；302
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第二能量探测单元；500
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气体通道；600
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氢等离子体发生模块；700
‑
检测腔室。
具体实施方式
[0028]下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0029]实施例一
[0030]图1为本实施例提供的掩模保护膜激光耐久度的检测方法的流程图。如图1所示，掩模保护膜激光耐久度的检测方法包括：
[0031]步骤S100：利用一激光照射掩模保护膜，并检测所述掩模保护膜的特征值，所述特征值可表征所述掩模保护膜的光学性能；以及，
[0032]步骤S200：当所述特征值的变化达到一预定值时，获取照射到所述掩模保护膜的单位面积上的激光总量，所述激光总量用于表征所述掩模保护膜的激光耐久度。
[0033]具体而言，首先执行步骤S100，提供需要进行激光耐久度检测的掩模保护膜。
[0034]在一些实施例中，掩模保护膜可以是未使用过的，例如，可以从未出厂的一批掩模保护膜产品中任意挑选出至少一张掩模保护膜作为样品进行激光耐久度检测，由于同批次产品的各项参数相差不大，这些样品的激光耐久度可以作为这一批掩模保护膜产品的激光耐久度，写在这批掩模保护膜产品的产品说明中。这批掩模保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模保护膜激光耐久度的检测方法，其特征在于，包括：利用一激光照射掩模保护膜，并检测所述掩模保护膜的特征值，所述特征值可表征所述掩模保护膜的光学性能；以及，当所述特征值的变化达到一预定值时，获取照射到所述掩模保护膜的单位面积上的激光总量，所述激光总量用于表征所述掩模保护膜的激光耐久度。2.如权利要求1所述的掩模保护膜激光耐久度的检测方法，其特征在于，当所述激光为深紫外光时，所述特征值为透过率或膜厚；当所述激光为极紫外光时，所述特征值为透过率。3.如权利要求1所述的掩模保护膜激光耐久度的检测方法，其特征在于，当所述激光为深紫外光时，将所述掩模保护膜放置于空气中进行激光照射；或者，当所述激光为极紫外光时，将所述掩模保护膜放置于真空中进行激光照射，且所述掩模保护膜被氢等离子体围绕。4.如权利要求1～3中任一项所述的掩模保护膜激光耐久度的检测方法，其特征在于，根据所述激光的脉冲能量、发射频率以及照射时间计算出所述激光总量；或者，实时检测照射到所述掩模保护膜的单位面积上的脉冲能量以获取所述激光总量。5.如权利要求1～3中任一项所述的掩模保护膜激光耐久度的检测方法，其特征在于，获取所述激光总量之后，根据所述激光总量及所述掩模保护膜在实际应用时曝光一次单位面积上承受的脉冲能量计算出所述掩模保护膜的寿命。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：任雨萌，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：