一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，包括碱液槽、能够在碱液槽中上下移动的可活动筛网、设置在可活动筛网上的多个化腐盒、抛动架和驱动机构，所述抛动架包括第一连接部、第二连接部，第一连接部的底部与可活动筛网的一侧连接，第一连接部和第二连接部之间的腔室容纳碱液槽的一个侧壁且第二连接部与碱液槽的该侧壁构成沿竖直方向的滑动配合，第二连接部与驱动机构连接。本实用新型专利技术通过驱动装置带动可活动筛网在碱液槽中上下移动进一步带动化腐盒在碱液中上下浮动，实现化腐盒的机械抛动，来满足硅片碱腐蚀时与碱液充分接出反应，无需人工上下提拉化腐盒，避免了操作过程中高温碱液溅出烧伤操作人员。过程中高温碱液溅出烧伤操作人员。过程中高温碱液溅出烧伤操作人员。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置


[0001]本技术涉及半导体晶圆加工领域，具体涉及一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置。

技术介绍

[0002]半导体晶圆的主要加工流程包括拉晶
→
滚磨
→
切片
→
清洗
→
倒角
→
研磨
→
清洗
→
腐蚀
→
清洗
→
抛光
→
清洗
→
包装，晶圆硅片在经过金刚线切割以及研磨等机械加工后，其表面因机械加工产生的应力而形成有一定深度的损伤层，通常采用化学腐蚀来消除表面的损伤层。化学腐蚀一般分为酸腐蚀和碱腐蚀，酸腐蚀通常是采用HF、HNO3、CH3COOH的一定比例混合酸液在一定温度下与单晶硅片发生化学反应，而碱腐蚀通常是采用一定浓度的KOH水溶液在高温条件下与单晶硅片发生化学反应，反应原理为：Si+2OH
‑
+H2O＝SiO
32
‑
+2H2,碱腐蚀相对酸腐蚀来说具有工艺简单，腐蚀液无需搅拌、腐蚀速率可控、环保处理容易、无毒、废液可回收利用，成片表面平坦等优点，现有碱腐蚀工艺为，硅片通过化腐盒承载，人工将化腐盒放入碱液槽内，并通过周期性提拉化腐盒来使硅片与碱液充分接触反应。
[0003]在碱腐蚀工艺流程中，硅片刚接触碱液时，由于表面缺陷损伤层较多，反应较为剧烈，伴随大量氢气生成，氢气泡附着在硅片表面带动硅片浮出化腐盒，因此在硅片刚放入碱液槽内时需要人工上下提拉化腐盒，防止硅片脱离化腐盒，硅片在化腐盒内稳定后仍需要每隔2～3分钟上下提拉化腐盒，以保证硅片与碱液充分接触反应。碱腐蚀液温度一般为95
±
5℃，高温碱液对人体具有强腐蚀性，尽管操作员穿戴个人防护设备，但仍存在较大操作风险及安全风险。

技术实现思路

[0004]针对上述技术问题，本技术的主要目的在于提供一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置。
[0005]为达到上述目的，本技术提供以下技术方案：一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，包括碱液槽、能够在碱液槽中上下移动的可活动筛网、设置在可活动筛网上的多个化腐盒、抛动架和驱动机构，所述抛动架包括第一连接部、第二连接部，第一连接部的底部与可活动筛网的一侧连接，第一连接部和第二连接部之间的腔室容纳碱液槽的一个侧壁且第二连接部与碱液槽的该侧壁构成沿竖直方向的滑动配合，第二连接部与驱动机构连接。
[0006]进一步的，可活动筛网上开设有能够对化腐盒底部进行卡嵌固定的卡槽。
[0007]进一步的，所述驱动机构包括偏心轮和与现场控制柜相连的电机，抛动架位于碱液槽外的第二连接部的底部与偏心轮的外缘抵接；与现场控制柜连接的电机的主轴固接在偏心轮远离碱液槽侧壁的一侧。
[0008]进一步的，抛动架位于碱液槽外的第二连接部的底部设有沿水平方向延伸的导向槽，导向槽与偏心轮的外缘嵌合。
[0009]进一步的，抛动架为U型。
[0010]进一步的，本技术还包括覆盖于化腐盒上端的防漂筛网。
[0011]优选地，防漂筛网上设有把手。
[0012]进一步的，防漂筛网的至少一个边缘设有导轮，碱液槽相应的内壁设有沿竖直方向延伸的导轮轨道。
[0013]与现有技术相比，本技术具有以下优点：
[0014]1.本技术通过电机带动可活动筛网在碱液槽中上下移动进一步带动化腐盒在碱液中上下浮动，实现化腐盒的机械抛动，来满足硅片碱腐蚀时与碱液充分接出反应，无需人工上下提拉化腐盒，避免了操作过程中高温碱液溅出烧伤操作人员。
[0015]2.本技术的系统设计简单，操作便捷，成本低廉。
[0016]3.本技术通过在化腐盒上端覆盖防漂筛网进一步固定化腐盒及硅片，能够防止硅片浮出，同时进一步提高化腐盒在腐蚀过程中的稳定性。
[0017]上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
[0018]图1为本技术一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置的抛动结构示意图。
[0019]图2为本技术一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置中防漂筛网的结构示意图。
[0020]图3为本技术一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置中碱液槽的结构示意图。
[0021]图中：1.可活动筛网 2.卡槽 3.抛动架 4.偏心轮 5.电机 6.导轮7.把手8.导轮轨道
具体实施方式
[0022]为进一步阐述本技术为达成预定目的所采用的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，其具体实施方式、结构、特征及其效果，详细说明如后。
[0023]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0024]如图1所示，一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，包括碱液槽、化腐盒和能够在碱液槽中上下移动的可活动筛网1，可活动筛网1上开设有能够对化腐盒底部进行卡嵌固定的卡槽2，用来对化腐盒进行卡位限制，提高化腐盒在碱液中浮动的稳定性；还包括U型抛动架3，U型抛动架3为不锈钢材质，U型抛动架包括位于碱液槽内的第一连接部(本实施例中为第一连接板)、位于碱液槽外的第二连接部(本实施例中为第二连接板)，U型抛动架的第一连接部的底部与可活动筛网1的一侧固接，第一连接部与第二连接部之间的腔室容纳碱液槽的一个侧壁且第二连接部与碱液槽的该侧壁构成沿竖直方向的滑动配合(具体，第二连接部侧壁上设置有滑块，碱液槽的侧壁上设置沿竖直方向延伸的滑轨)；所述第二连接部的底部设置沿水平方向延伸的导向槽；还包括设置于碱液槽外侧并与现场控制柜连接的驱动机
构(例如电机5)，电机5的主轴与偏心轮4连接，偏心轮顶部的外缘嵌入第二连接部底部的导向槽内，使得电机5能够带动偏心轮4转动进一步带动U型抛动架3和可活动筛网1在碱液槽内上下移动，进而实现化腐盒的上下浮动。
[0025]参阅图2，为了防止化腐盒中的硅片浮出，本技术进一步包括覆盖于化腐盒上端的防漂筛网，防漂筛网为PVDF材质；防漂筛网的筛孔主要用于化腐盒内气体和液体与外界的交换；防漂筛网上设有把手7，便于防漂筛网的取放。
[0026]参阅图3，为了进一步提高化腐盒在腐蚀过程中的稳定性，本技术的防漂筛网采用三边缘导轮结构，即在防漂筛网三条边的边缘设置导轮6，同时在碱液槽相应的三个内壁设置沿竖直方向延伸的导轮轨道8，导轮6能够在导轮轨道8中滚动，引本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，其特征在于，包括碱液槽、能够在碱液槽中上下移动的可活动筛网、设置在可活动筛网上的多个化腐盒、抛动架和驱动机构，所述抛动架包括第一连接部、第二连接部，第一连接部的底部与可活动筛网的一侧连接，第一连接部和第二连接部之间的腔室容纳碱液槽的一个侧壁且第二连接部与碱液槽的该侧壁构成沿竖直方向的滑动配合，第二连接部与驱动机构连接。2.如权利要求1所述的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，其特征在于，可活动筛网上开设有能够对化腐盒底部进行卡嵌固定的卡槽。3.如权利要求1所述的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，其特征在于，所述驱动机构包括偏心轮和与现场控制柜相连的电机，抛动架位于碱液槽外的第二连接部的底部与偏心轮的外缘抵...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚剑龙，周涛，赵娜，宋亚峰，
申请(专利权)人：洛阳鸿泰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：