ＣＭＯＳ传感器及其制造方法技术

一种ＣＭＯＳ传感器及其制造方法，其中ＣＭＯＳ传感器包括：基底；位于基底上的第一金属层和电容器第一电极；位于基底上第一金属层间介质层；位于电容器第一电极上的Ｕ型介质层；位于Ｕ型介质层内的导电电极；位于导电电极和第一金属层间介质层上的电容器第二电极；位于第一金属层间介质层上的第二金属层；连接第一金属层和第二金属层的第一导电插塞；位于第一金属层间介质层上并覆盖电容器第二电极和第二金属层的第二金属层间介质层；位于第二金属层间介质层上的第三金属层；连接第二金属层和第三金属层的第二导电插塞。本发明专利技术降低了ＣＭＯＳ传感器的第一金属层间介质层和第二金属层间介质层的总厚度，提高ＣＭＯＳ图像传感器敏感度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种CMOS传感器及其制造方法。
技术介绍
CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor, CIS)是为了克服电荷耦合器件(CCD)制 造工艺复杂并且能耗较高而产生的，应用了 CMOS制造技术，采用数量与半导体衬底中单位 像素的数量对应的MOS晶体管。CIS由于采用了 CMOS技术，可以将像素单元阵列与外围电 路集成在同一芯片上，与CCD相比，CIS具有体积小、重量轻、功耗低、编程方便、易于控制以 及平均成本低的优点。在公开号为US2008/0265295A1的美国专利文献中可以发现一种现有图像传感器 的制造工艺。如图1所示，CMOS图像传感器包括衬底100，位于衬底100内的光电有源区 110、晶体管有源区120以及隔离光电有源区110和晶体管有源区120的浅沟道隔离区101 ； 位于晶体管有源区表面的栅极区102、位于栅极区102两边的侧墙103 ；位于衬底100表面 并覆盖栅极区102和侧墙103的层间介质层130 ；位于层间介质层130内的第一金属层105、 第二金属层107和第三金属层109 ；连接第一金属层105与栅极区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ传感器的制造方法，包括：提供基底；其特征在于，还包括：在所述基底表面形成第一金属层和电容器第一电极；在所述基底、所述第一金属层和电容器第一电极表面形成覆盖所述基底、所述第一金属层和电容器第一电极的第一金属层间介质层；在第一金属层间介质层内形成暴露电容器第一电极的沟槽；在所述沟槽侧壁和底部形成介质层；在第一金属层间介质层内形成与第一金属层对应的通孔；用导电物质填充所述沟槽和通孔；在沟槽上形成与电容器第一电极对应的电容器第二电极，在通孔上形成第二金属层；形成覆盖所述电容器第二电极和第二金属层的第二金属层间介质层；在第二金属层间介质层内形成与所述第二金属层对应的导电插塞，在第二金属层间介...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗飞，邹立，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]