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一种CMOS传感器及其制造方法,其中CMOS传感器包括:基底;位于基底上的第一金属层和电容器第一电极;位于基底上第一金属层间介质层;位于电容器第一电极上的U型介质层;位于U型介质层内的导电电极;位于导电电极和第一金属层间介质层上的电容器第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种CMOS传感器及其制造方法,其中CMOS传感器包括:基底;位于基底上的第一金属层和电容器第一电极;位于基底上第一金属层间介质层;位于电容器第一电极上的U型介质层;位于U型介质层内的导电电极;位于导电电极和第一金属层间介质层上的电容器第二...