ＮＲＯＭ器件的制作方法技术

一种ＮＲＯＭ器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含有源区和位于有源区之间的隔离区，其中有源区形成有字线；在有源区的字线之间的半导体衬底内进行铟离子注入后，进行退火工艺；在半导体衬底上形成第一氧化层，且第一氧化层包围字线；向隔离区及隔离区与有源区的交界处注入离子；在半导体衬底上形成第二氧化层，且第二氧化层包围字线；刻蚀第二氧化层和第一氧化层，在字线两侧形成侧墙。本发明专利技术有效防止在隔离区产生漏电以及防止位线之间产生漏电，进而提高半导体器件的质量及成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制作领域，尤其涉及NR0M(非易失性存储器)器件的制 作方法。
技术介绍
用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储 器易于在电源中断时丢失其数据，而非易失性存储器即使在供电电源关闭后仍能保持片内 信息。与其它的非易失性存储技术(例如，磁盘驱动器)相比，非易失性半导体存储器具有 成本低、密度大的特点。因此，非易失性存储器已广泛地应用于各个领域，包括嵌入式系统， 如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新 兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理。近来，已经提出了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构的非易失 性存储器，包括NROM快闪存储器。NROM快闪存储器具有很薄的存储单元栅极，其便于制造 且容易结合至例如集成电路的外围区域和/或逻辑区域中。随着集成电路制作工艺中集成度的不断增加，提升快闪存储器的集成密度已成为 趋势，然而，随着存储单元的尺寸不断缩小，避免漏电流以使电荷保存在存储器单元中变得 相当重要，但是现有技术制作的快闪存储器有许多漏电会影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＮＲＯＭ器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含有源区和位于有源区之间的隔离区，其中有源区形成有字线；在有源区的字线之间的半导体衬底内进行铟离子注入后，进行退火工艺；在半导体衬底上形成第一氧化层，且第一氧化层包围字线；向隔离区及隔离区与有源区的交界处注入离子；在半导体衬底上形成第二氧化层，且第二氧化层包围字线；刻蚀第二氧化层和第一氧化层，在字线两侧形成侧墙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵敏局，司伟，吴俊徐，李润领，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]