半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用技术

本申请涉及一种半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用。该制备方法包括以下步骤：制备包括铟离子和水的前驱体A溶液；其中，前驱体A溶液还包括螯合剂和pH调节剂；将掺杂离子溶液与前驱体A溶液混合，制备得到前驱体混合溶液；其中，掺杂离子溶液含有掺杂离子和水，掺杂离子包括三价铁离子、四价锡离子和五价锑离子中的一种或多种；将前驱体混合溶液于120℃~150℃进行水热反应，进行包括固液分离、水洗和醇洗的步骤，干燥，制备得到中间体固态物；将中间体固态物于380℃~420℃进行煅烧处理，制备得到半导体氧化物材料。该制备方法操作简单、成本低廉，且过程仅使用去离子水和无水乙醇作为溶剂，环保无污染。环保无污染。环保无污染。

【技术实现步骤摘要】
半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及气体传感器
，特别是涉及半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用。

技术介绍

[0002]O3是光化学污染的产物，实时准确地监测大气环境中的O3浓度，对于保护生态系统和人类健康具有十分重要的意义。金属氧化物(MOSs)气体传感器具有价格低廉、体积小、工艺简单、灵敏度高等优势，但传统的MOSs敏感功能材料对O3的灵敏度较低、检测下限通常不能满足应用需求。

技术实现思路

[0003]基于此，本专利技术的目的包括提供一种半导体氧化物材料、O3传感器、制备方法及应用。
[0004]本申请的第一方面，提供一种半导体氧化物材料的制备方法，包括以下步骤：制备包括铟离子和水的前驱体A溶液；其中，所述前驱体A溶液还包括表面活性剂和pH调节剂；将掺杂离子溶液与所述前驱体A溶液混合，制备得到前驱体混合溶液；其中，所述掺杂离子溶液含有掺杂离子和水，所述掺杂离子包括三价铁离子、四价锡离子和五价锑离子中的一种或多种；将所述前驱体混合溶液于120℃~150℃进行水热反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体氧化物材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备包括铟离子和水的前驱体A溶液；其中，所述前驱体A溶液还包括表面活性剂和pH调节剂；将掺杂离子溶液与所述前驱体A溶液混合，制备得到前驱体混合溶液；其中，所述掺杂离子溶液含有掺杂离子和水，所述掺杂离子包括三价铁离子、四价锡离子和五价锑离子中的一种或多种；将所述前驱体混合溶液于120℃~150℃进行水热反应，进行包括固液分离、水洗和醇洗的步骤，干燥，制备得到中间体固态物；将所述中间体固态物于380℃~420℃进行煅烧处理，制备得到所述半导体氧化物材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，满足如下特征中的一个或多个：所述前驱体A溶液中的铟离子来自InCl3和InCl3水合物中的一种或两种；所述掺杂离子溶液含有三价铁离子，且所述三价铁离子来自FeCl3和FeCl3水合物中的一种或两种；所述掺杂离子溶液含有四价锡离子，且所述四价锡离子来自SnCl4和SnCl4水合物中的一种或两种；所述掺杂离子溶液含有五价锑离子，且所述五价锑离子来自SbCl5和SbCl5水合物中的一种或两种；所述表面活性剂选自柠檬酸钠；所述pH调节剂选自尿素。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，满足如下特征中的一个或多个：进行所述水热反应的温度为130℃~150℃；进行所述水热反应的时间为23h~25h；进行所述醇洗的溶剂为乙醇；进行所述煅烧处理的温度为390℃~410℃；进行所述煅烧处理的时间为1.8h~2.2h；将所述中间体固态物于380℃~420℃进行煅烧处理之前包括如下步骤：将所述中间体固态物升温至380℃~420℃，升温速率为3
°
C/min~6
°
C/min。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂离子溶液中掺杂离子的摩尔量相对于所述前驱体A溶液中的铟离子的摩尔量之比为（0.005~0.03）：1。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，满足如下特征中的一个或多个：所述掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊小鹏，李鹏，何毅，田兵，李立浧，王志明，徐振恒，谭则杰，刘胜荣，韦杰，
申请(专利权)人：南方电网数字电网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：