一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用技术

本发明专利技术的一种Cu掺杂Ga2‑

【技术实现步骤摘要】
一种Cu掺杂Ga2‑
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In
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O3固溶体纳米材料的制备方法及应用


[0001]本专利技术属于纳米材料制备
，具体涉及了一种无机金属氧化物纳米材料的合成方法，以及将其应用于钙钛矿太阳电池。

技术介绍

[0002]低成本、环境友好、绿色可持续的太阳能光伏技术在未来愈发重要。钙钛矿太阳能电池自2009年问世以来，光电转换效率从初始的3.8％迅速提升到了25.7％，表现出巨大的商业化潜力。钙钛矿太阳电池通常由透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极组成。根据钙钛矿太阳电池结构的不同可以分为正置结构和倒置结构。
[0003]正置结构为nip型结构。目前高效率的正置结构型钙钛矿太阳电池通常使用有机空穴传输材料Spiro
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OMeTAD，但这种有机空穴传输材料的空穴迁移率较差。常使用Li
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TFSI和4
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叔丁基吡啶作为添加剂改善Spiro
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OMeTAD的空穴迁移能力。但这类添加剂在高温、高湿度条件下，容易破坏钙钛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Cu掺杂Ga2‑
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O3固溶体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：1)用去离子水配置浓度为0.05g/mL的聚醚P123溶液；2)用去离子水配置浓度为0.028g/mL的氢氧化钾溶液；3)将反应物硝酸镓、硝酸铟、硝酸铜混合放入烧杯，并加入步骤1)配置好的聚醚P123溶液，搅拌形成均匀混合溶液；其中，每1mmol硝酸镓使用3.42mL聚醚P123溶液，按摩尔比，硝酸镓:硝酸铟:硝酸铜＝1:(0.111～0.667):(0.034～0.051)；4)在搅拌条件下，向步骤3)得到的溶液缓慢加入乙二醇，继续搅拌形成均匀混合溶液；每1mmol硝酸镓使用2.92mL乙二醇；5)在搅拌条件下，向步骤4)得到的溶液缓慢加入步骤2)配置好的氢氧化钾溶液，继续搅拌形成均匀混合溶液；每1mmol硝酸镓使用6.25mL氢氧化钾溶液；6)搅拌结束后，将步骤5)得到的均匀混合溶液转移至反应釜，210摄氏度加热50分钟；7)待步骤6)中的水热反应结束且反应釜冷却后，依次用水、氨水、异丙醇清洗反应产物，离心去除上清液，得到Cu掺杂Ga2‑
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O3固溶体纳米颗粒。2.根据权利要求1所述的一种Cu掺杂Ga2‑
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O3固溶体纳米材料的制备方法，其特征在于，在步骤3)中，按摩尔比，硝酸镓:硝酸铟:硝酸铜＝1:0.25:0.038。3.一种权利要求1所述的Cu掺杂Ga2‑
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O3固溶体纳米材料的应用，是以所述固溶体纳米材料作为空穴传输层，制备钙钛矿太阳电池，包括以下步骤：...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘喜哲，张洁静，杨清云，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：