一种高效制备羟基氧化镓的方法技术

本发明专利技术属于有色金属冶金技术领域，具体涉及一种高效制备羟基氧化镓的方法，本发明专利技术提供的的羟基氧化镓制备方法设计科学合理，在常压条件下，将金属镓加入去离子水中，同时向体系中鼓入氧气或空气，在机械搅拌条件下使金属镓转化为羟基氧化镓。本发明专利技术技术方案能够克服现有羟基氧化镓制备工艺流程长、试剂消耗量大、对设备要求高、产品纯度和物理规格难以达标等问题，具有对设备要求低、操作简单、能耗低、流程短、效率高、成本低等特点，可以实现高纯羟基氧化镓粉体材料的高效短流程制备。氧化镓粉体材料的高效短流程制备。

【技术实现步骤摘要】
一种高效制备羟基氧化镓的方法


[0001]本专利技术属于有色金属冶金
，具体涉及一种高效制备羟基氧化镓的方法。

技术介绍

[0002]氧化镓(Ga2O3)是一种超宽禁带半导体，是目前最新型的第四代半导体材料，其禁带宽度高达4.9
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5.3eV。相比之下，碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等半导体的禁带宽度分别为3.25eV、3.4eV，而硅的禁带宽度仅为1.1eV。超高的禁带宽度使Ga2O3具有高抗辐照、抗高温能力以及高击穿场强，制备的器件可在高低温、强辐射等极端环境下保持稳定，而且其功率半导体性能数倍于Si、SiC和GaN，是制备高功率半导体电子器件的优选材料，在大功率电子器件、紫外透明导电、日盲探测、气体传感等方面具有十分重要的应用价值。
[0003]随着信息、能源、交通、国防等高新技术产业领域的快速发展，行业对氧化镓的需求与日俱增。生产高纯氧化镓，通常以高纯金属镓或镓盐为原料，首先制备纯度和尺寸形貌符合要求的羟基氧化镓前驱体，再进一步经高温煅烧获得高纯氧化镓。因此，制备合格的羟基氧化镓是生产氧化镓的必要条件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效制备羟基氧化镓的方法，其特征在于：在常压条件下，将金属镓加入去离子水中，同时向体系中鼓入氧气或空气，在机械搅拌条件下使金属镓转化为羟基氧化镓，实现高纯羟基氧化镓粉体材料的高效短流程制备。2.根据权利要求1所述的一种高效制备羟基氧化镓的方法，其特征在于：具体工艺操作为：1)将金属镓按比例加入去离子水中；2)在常压条件下，将体系加热至预定温度，同时向体系中鼓入氧气或空气，在机械搅拌条件下使金属镓转化为羟基氧化镓；3)反应结束后对所得混合料浆进行过滤，实现固液分离；4)对滤渣进行干燥，得到高纯羟基氧化镓粉体材料。3.根据权利要求2所述的一种高效制备羟基氧化镓的方法，其特征在于：步骤1)中，金属镓的纯度在4N以上，去离子水与金属镓的质量比控制在5
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50:1。4.根据权利要求2所述的一种高效制备羟基氧化镓的方法，其特征在于：步骤2)中，反应温度控制在2...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亮，赵卓，周晓伟，姚超，杨成，田勇攀，杨甜甜，王前程，
申请(专利权)人：安徽工业大学，
类型：发明
国别省市：