本发明专利技术公开一种放大器电路、芯片和电子设备，设计集成电路技术领域，放大器包括第一放大器和第二放大器，其中第一放大器包括nmos差分对输入电路，且主极点在输出端口；第二放大器包括pmos差分对输入电路，且主极点在输出端口；第一放大器和第二放大器并联连接，具体为，第一放大器的正相输入端电连接第二放大器的正相输入端；第一放大器的反相输入端电连接第二放大器的反相输入端；第一放大器和第二放大器的两输出端口电连接，主极点在电连接的两输出端口。本发明专利技术在轨到轨的基础上结合主极点在输出端口的特征，实现大电流输出的技术效果，使得负载电容反向增加了放大器本身的稳定性，具有突破性。具有突破性。具有突破性。
【技术实现步骤摘要】
一种放大器驱动电路、芯片和电子设备
[0001]本专利技术涉及半导体及集成电路领域，尤其涉及一种放大器驱动电路、芯片和电子设备。
技术介绍
[0002]现有方案是使用互补差分对作为输入的折叠共源共栅两级放大器，互补差分对是利于轨到轨的输入，第二级电路的采用才能达到利于轨到轨的输出的效果。如图3所示，其中vbp1，vbp2，vbn1，vbn2是偏置电压；vp是正相输入，vn是反相输入；该种电路结构采用RC密勒补偿的放大器的主极点在第一级输出，于是当输出要驱动大的负载电容时，就可能出现稳定性的问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术针对现有技术中的缺点，提供了一种驱动大负载的，稳定性高的轨到轨放大器电路。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术通过下述技术方案得以解决：
[0005]一种放大器驱动电路，包括第一放大器和第二放大器，其中第一放大器包括nmos差分对输入电路，且主极点在输出端口；第二放大器包括pmos差分对输入电路，且主极点在输出端口；
[0006]第一放大器和第二放大器并联连接，具体为，第一放大器的正相输入端电连接第二放大器的正相输入端；第一放大器的反相输入端电连接第二放大器的反相输入端；第一放大器和第二放大器的两输出端口电连接，主极点在电连接的两输出端口。
[0007]作为一种优选项，第一放大器的电路结构包括：
[0008]第一放大器的输出驱动级包括第四pmos管和第五nmos管，第四pmos管电连接第五nmos管，连接节点为主极点输出端；
[0009]所述nmos差分对输入电路的正相输入侧包括第三nmos管、第二pmos管和第四pmos管；
[0010]第三nmos管电连接所述第二pmos管，所述第二pmos管电连接第四pmos管，且第二pmos管和第四pmos管形成电流镜关系；
[0011]所述nmos差分对输入电路的反相输入侧包括第二nmos管、第一pmos管、第三pmos管和第四nmos管；
[0012]所述第一pmos管电连接第二nmos管；第一pmos管电连接第三pmos管，且第一pmos管和第三pmos管形成电流镜关系；
[0013]所述第三pmos管电连接所述第四nmos管，所述第四nmos管电连接第五nmos管，且第四nmos管和第五nmos管形成电流镜关系；
[0014]第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管电连接驱动电源；第四nmos管和第五nmos管接地。
[0015]第一放大器中：
[0016]第二nmos管的源极和第三nmos管的源极电连接；
[0017]第二nmos管的栅极是反相输入端，第三nmos管的栅极是正相输入端；
[0018]第二放大器中：
[0019]第一pmos管的源极和第二pmos管的源极电连接；
[0020]第一pmos管的栅极是反相输入端，第二pmos管的栅极是正相输入端；
[0021]其中，第二放大器的第一pmos管的栅极连接第一放大器的第二nmos管的栅极，第二放大器的第二pmos管的栅极连接第一放大器的第三nmos管栅极。
[0022]其中，第一放大器中，
[0023]第二pmos管的漏极连接第三nmos管的漏极，第三nmos管的漏极电连接第四pmos管的栅极；第二pmos管的栅极连接第四pmos管的栅极；
[0024]第一pmos管的漏极连接第二nmos管的漏极，第一pmos管的栅极电连接第三pmos管的栅极，且第一pmos管的栅极电连接第二nmos管的漏极；第三pmos管的漏极电连接第四nmos管的漏极，第四nmos管的栅极电连接第五nmos管的栅极，且第四nmos管的栅极电连接第三nmos管的漏极；
[0025]所述第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管的源极电连接驱动电源。第四nmos管和第五nmos管的源极接地；
[0026]第四pmos管和第五nmos管的漏极相连，共漏极节点作为输出端，主极点输出。
[0027]作为一种优选项，第二放大器的电路结构包括：
[0028]第二放大器的输出驱动级包括第三nmos管和第四pmos管，第三nmos管电连接第四pmos管，连接节点为主极点输出端；
[0029]所述pmos差分对输入电路的正相输入侧包括第二pmos管、第一nmos管和第三nmos管；
[0030]第二pmos管点连接第一nmos管，第一nmos管电连接第三nmos管，且第一nmos管和第三nmos管形成电流镜关系；
[0031]所述pmos差分对输入电路的正相输入侧包括第一pmos管、第二nmos管、第四nmos管和第五pmos管；
[0032]第一pmos管电连接第二nmos管，第二nmos管电连接第四nmos管，且第二nmos管和第四nmos管形成电流镜关系；
[0033]第四nmos管电连接第五pmos管，第五pmos管电连接第四pmos管，且第五pmos管和第四pmos管形成电流镜关系；
[0034]第四nmos管和第五pmos管连接驱动电源，第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管和第四nmos管接地。
[0035]其中，第二放大器中，
[0036]第一nmos管的栅极电连接第二pmos管的漏极和第三nmos管的栅极；第一nmos管的漏极电连接第二pmos管的漏极；
[0037]第一pmos管的漏极电连接第二nmos管的漏极；第二nmos管的栅极电连接第四nmos管的栅极，第一pmos管的漏极电连接第二nmos管的栅极和第四nmos管的共栅极；
[0038]第四nmos管的漏极电连接第五pmos管的漏极，第五pmos管的栅极电连接第四pmos
管的栅极，且第四nmos管的漏极电连接第五pmos管和第四pmos管的共栅极；
[0039]第五pmos管、第四pmos管的源极电连接驱动电源，第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管和第四nmos管的源极接地；
[0040]第三nmos管的漏极电连接第四pmos管的漏极，共漏极节点为输出端，形成主极点输出。
[0041]作为一种优选项，第一放大器还包括第一偏置电路，第一偏置电路电连接nmos差分对输入电路；第二放大器还包括第二偏置电路，第二偏置电路电连接pmos差分对输入电路。
[0042]进一步提供一种芯片，包括所述放大器驱动电路。
[0043]进一步提供一种电子设备，包括所述放大器驱动电路；或包括所述一种芯片。
[0044]本专利技术在轨到轨的基础上结合主极点在输出端口的特征，实现大电流输出的技术效果，使得负载电容反向增加了放大器本身的稳定性，具有突破性。
附图说明
[0045]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种放大器驱动电路，其特征在于，包括第一放大器和第二放大器，其中第一放大器包括nmos差分对输入电路，且主极点在输出端口；第二放大器包括pmos差分对输入电路，且主极点在输出端口；第一放大器和第二放大器并联连接，具体为，第一放大器的正相输入端电连接第二放大器的正相输入端；第一放大器的反相输入端电连接第二放大器的反相输入端；第一放大器和第二放大器的两输出端口电连接，主极点在电连接的两输出端口。2.根据权利要求1所述的一种放大器驱动电路，其特征在于，第一放大器的电路结构包括：第一放大器的输出驱动级包括第四pmos管和第五nmos管，第四pmos管电连接第五nmos管，连接节点为主极点输出端；所述nmos差分对输入电路的正相输入侧包括第三nmos管、第二pmos管和第四pmos管；第三nmos管电连接所述第二pmos管，所述第二pmos管电连接第四pmos管，且第二pmos管和第四pmos管形成电流镜关系；所述nmos差分对输入电路的反相输入侧包括第二nmos管、第一pmos管、第三pmos管和第四nmos管；所述第一pmos管电连接第二nmos管；第一pmos管电连接第三pmos管，且第一pmos管和第三pmos管形成电流镜关系；所述第三pmos管电连接所述第四nmos管，所述第四nmos管电连接第五nmos管，且第四nmos管和第五nmos管形成电流镜关系；第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管电连接驱动电源；第四nmos管和第五nmos管接地。3.根据权利要求1所述的一种放大器驱动电路，其特征在于，第二放大器的电路结构包括：第二放大器的输出驱动级包括第三nmos管和第四pmos管，第三nmos管电连接第四pmos管，连接节点为主极点输出端；所述pmos差分对输入电路的正相输入侧包括第二pmos管、第一nmos管和第三nmos管；第二pmos管点连接第一nmos管，第一nmos管电连接第三nmos管，且第一nmos管和第三nmos管形成电流镜关系；所述pmos差分对输入电路的正相输入侧包括第一pmos管、第二nmos管、第四nmos管和第五pmos管；第一pmos管电连接第二nmos管，第二nmos管电连接第四nmos管，且第二nmos管和第四nmos管形成电流镜关系；第四nmos管电连接第五pmos管，第五pmos管电连接第四pmos管，且第五pmos管和第四pmos管形成电流镜关系；第四nmos管和第五pmos管连接驱动电源，第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管和第四nmos管接地。4.根据权利要求2所述的一种放大器驱动电路，其特征在于，第一放大器中：第二nmos管的源极和第三nmos管的源极电连接；
第二nmos管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘辉，
申请(专利权)人：杭州雄迈集成电路技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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