一种功率放大器偏压控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种功率放大器偏压控制电路，包括：状态控制电路和偏压调整电路；偏压驱动电路，所述偏压驱动电路通过连接线连接于所述状态控制电路的输出端，所述偏压驱动电路通过连接线连接功率放大器；偏压补偿电路，所述偏压补偿电路通过连接线连接于所述偏压调整电路的输出端。本实用新型专利技术提供的一种功率放大器偏压控制电路，解决了GaN类功率放大器的负电平栅极电压控制问题，实现功率放大器的收发状态控制、偏压电压调整控制、偏压高低温补偿控制、偏压驱动带载能力提升等设计改进，相对传统功率放大器偏压控制电路来说，本方案同时兼顾可调整性、温度补偿性、增强驱动能力以及较强的电磁兼容性等特点。及较强的电磁兼容性等特点。及较强的电磁兼容性等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大器偏压控制电路


[0001]本技术涉及功率放大器偏压控制
，尤其涉及一种功率放大器偏压控制电路。

技术介绍

[0002]无线通信
发展迅速，根据应用环境和通信数据传输的需求，通信频率不断的向高段频率提升，射频功率放大器由传统LDMOS型功率放大器升级到GaN型功率放大器。
[0003]传统LDMOS型功率放大器栅压为正电压控制方式，传统的控制电路方便实现正电压控制正电源的偏压控制功能，而GaN型功率放大器需要使用负电平进行栅级电压控制，需要实现正电平控制负电源的偏压控制功能，同时还要兼顾功率放大器使用过程中发热提升工作环境温度导致的输出线性度改变、批产功率放大器偏压一致性偏离、偏压控制电路驱动能力和高功率射频干扰的电磁兼容能力等方面的考虑。
[0004]因此，有必要提供一种功率放大器偏压控制电路解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种功率放大器偏压控制电路，解决了GaN类功率放大器的负电平栅极电压控制、功率放大器的收发状态控制、偏压电压调整控制、偏压高低温补偿控制、偏压驱动带载能力提升及电磁兼容性提升的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供的一种功率放大器偏压控制电路，包括：
[0007]状态控制电路和偏压调整电路；
[0008]偏压驱动电路，所述偏压驱动电路通过连接线连接于所述状态控制电路的输出端，所述偏压驱动电路通过连接线连接功率放大器；
[0009]偏压补偿电路，所述偏压补偿电路通过连接线连接于所述偏压调整电路的输出端，所述偏压补偿电路的输出端通过连接线连接所述偏压驱动电路。
[0010]优选的，所述状态控制电路包括肖特基二极管、P型MOS管、N型MOS管及电阻、电容组成，所述状态控制电路实现正电平控制负压电源功能。
[0011]优选的，所述偏压调整电路包括电阻和机械电位器或数字电位器组成，所述偏压调整电路实现所述功率放大器的偏置电压调整功能。
[0012]优选的，所述偏压补偿电路包括电阻和PNP型三极管组成。
[0013]优选的，所述偏压补偿电路实现所述功率放大器的偏置电压高低温补偿功能。
[0014]优选的，所述偏压补偿电路通过PN结的温度特性实现所述功率放大器的栅压补偿功能。
[0015]优选的，所述偏压驱动电路包括运算放大器、电阻和电容组成，所述偏压驱动电路实现提高所述功率放大器的偏置电压的驱动能力。
[0016]与相关技术相比较，本技术提供的一种功率放大器偏压控制电路具有如下有
益效果：
[0017]本技术提供一种功率放大器偏压控制电路，解决了GaN类功率放大器的负电平栅极电压控制问题，实现功率放大器的收发状态控制、偏压电压调整控制、偏压高低温补偿控制、偏压驱动带载能力提升等设计改进，相对传统功率放大器偏压控制电路来说，本方案同时兼顾可调整性、温度补偿性、增强驱动能力以及较强的电磁兼容性等特点。
附图说明
[0018]图1为本技术提供的一种功率放大器偏压控制电路的实施例的原理框图；
[0019]图2为图1所示的状态控制电路原理图；
[0020]图3为图1所示的偏压调整电路原理图；
[0021]图4为图1所示的偏压补偿电路原理图；
[0022]图5为图1所示的偏压驱动电路原理图；
[0023]图6为图1所示的控制电路整体原理图。
[0024]图中标号：1、状态控制电路，2、偏压驱动电路，3、功率放大器，4、偏压调整电路，5、偏压补偿电路。
具体实施方式
[0025]下面结合附图和实施方式对本技术作进一步说明。
[0026]请结合参阅图1、图2、图3、图4、图5和图6，其中，图1为本技术提供的一种功率放大器偏压控制电路的实施例的原理框图；图2为图1所示的状态控制电路原理图；图3为图1所示的偏压调整电路原理图；图4为图1所示的偏压补偿电路原理图；图5为图1所示的偏压驱动电路原理图；
[0027]图6为图1所示的控制电路整体原理图。一种功率放大器偏压控制电路，包括：状态控制电路1和偏压调整电路4；
[0028]状态控制电路1包括肖特基二极管、P型MOS管、N型MOS管及电阻、电容组成，状态控制电路1实现正电平控制负压电源功能，由微处理器产生的控制信号通过肖特基二极管连接P型MOS管，然后P型MOS管再连接N型MOS管，N型MOS管的S级接负压电源(
‑
5V)，N型MOS管的D级为状态控制电路的输出端，通过微处理器的控制信号实现N型MOS管的D级输出负电源电压或断开输出功能，,状态控制电路1还包括接地电阻、分压电阻和滤波电容。
[0029]偏压调整电路4包括电阻和机械电位器或数字电位器组成，偏压调整电路4实现功率放大器3的偏置电压调整功能，负压电源通过电阻连接机械电位器或数字电位器，机械电位器或数字电位器另一端再通过电阻接地，机械电位器或数字电位器的中心抽头连接电阻作为偏压调整电路的输出端，通过改变机械电位器或数字电位器的中心抽头位置实现输出电压控制。
[0030]偏压驱动电路2，所述偏压驱动电路2通过连接线连接于所述状态控制电路1的输出端，所述偏压驱动电路2通过连接线连接功率放大器3；
[0031]偏压驱动电路2包括运算放大器、电阻和电容组成，偏压驱动电路2实现提高功率放大器3的偏置电压的驱动能力，由状态控制电路1、偏压调整电路4和偏压补偿电路5的输出连接到运算放大器的同向输入端、运算放大器的输出端和反向输入端通过电阻和电容网
络连接，实现运算放大器单位增益放大和滤波功能，运算放大器的输出端通过电阻连接到功率放大器的栅极，运算放大器采用单电源(负电源)工作模式避免输出正电压烧毁GaN类功率放大,3，通过运算放大器的接入实现驱动能力的提升功能。
[0032]偏压补偿电路5，所述偏压补偿电路通过连接线连接于所述偏压调整电路4的输出端，所述偏压补偿电路5的输出端通过连接线连接所述偏压驱动电路2。
[0033]偏压补偿电路5包括电阻和PNP型三极管组成，偏压补偿电路5实现功率放大器3的偏置电压高低温补偿功能，由偏压调整电路输出的偏置电压连接偏压补偿电路的其一电阻和PNP型三极管的C级，其一电阻另一端连接PNP型三极管的B级，同时PNP型三极管的B级通过另一电阻接地，PNP型三极管的E级直接接地，偏压补偿电路5通过PN结的温度特性实现功率放大器3的栅压补偿功能，同理，偏压补偿电路5的温度补偿器件PNP型三极管可以用具有负温度系数的热敏电阻进行替代。
[0034]所述状态控制电路1包括肖特基二极管、P型MOS管、N型MOS管及电阻、电容组成，所述状态控制电路1实现正电平控制负压电源功能。
[0035]所述偏压调整电路4包括电阻和机械电位器或数字电位器组成，所述偏压调整电路4实现所述功率放大器3的偏置电压调整功能。
[0036]所述偏压补偿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器偏压控制电路，其特征在于，包括：状态控制电路和偏压调整电路；偏压驱动电路，所述偏压驱动电路通过连接线连接于所述状态控制电路的输出端，所述偏压驱动电路通过连接线连接功率放大器；偏压补偿电路，所述偏压补偿电路通过连接线连接于所述偏压调整电路的输出端，所述偏压补偿电路的输出端通过连接线连接所述偏压驱动电路。2.根据权利要求1所述的一种功率放大器偏压控制电路，其特征在于，所述状态控制电路包括肖特基二极管、P型MOS管、N型MOS管及电阻、电容组成，所述状态控制电路实现正电平控制负压电源功能。3.根据权利要求1所述的一种功率放大器偏压控制电路，其特征在于，所述偏压调整电路包括电阻和机械电位器或数字电位...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁怀远，查加林，闫蕊娜，
申请(专利权)人：陕西烽火电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：