一种高温度稳定性的射频功率放大器制造技术

本发明专利技术涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种高温度稳定性的射频功率放大器；通过在射频放大单元的基础上增设功率补偿单元补偿射频放大单元晶体管Q

【技术实现步骤摘要】
一种高温度稳定性的射频功率放大器


[0001]本专利技术涉及射频前端
，具体地说，涉及一种高温度稳定性的射频功率放大器。

技术介绍

[0002]随无线通信技术的发展日新月异，有力地推动着信息化时代的飞速前进，短短40年，移动通信发展从1G时代发展到现在的5G时代。
[0003]1G是移动通信发展的萌芽阶段，实现方式是以模拟调制技术为基础的蜂窝无线电话模式。2G人们只能进行打电话、收发邮件和浏览互联网等等非常简单的初级功能，实现了模拟通信到数字通信的重大改变，继而步入数字通信的时代。3G技术拥有更宽的带宽和更快的网络传输速度，在2G功能的基础上实现实时浏览网页、视频实时会议等多样丰富的多媒体功能。4G开启了智能时代，其融合3G与WLAN于一体并开始拥有移动宽带快速传输的能力，使通信更加可靠稳定。5G真正开启了万物互联的时代，其为了扩展了通信容量和提高传输速度和传输质量，采用更先进的调制技术和充分利用有限频谱资源。
[0004]5G通信采用同时同频全双工技术来提升运行效率，极大地提高在线用户数量，充分利用每一个时隙和频谱资源，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温度稳定性的射频功率放大器，包括射频放大单元；其特征在于，在所述射频放大单元的晶体管Q
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的基极处设置自适应偏置单元；所述自适应偏置单元包括功率补偿单元、第一温度补偿单元、第二温度补偿单元；所述第一温度补偿单元的输入端与电源连接，输出端与所述第二温度补偿单元的输入端连接；所述第二温度补偿单元的输出端与所述功率补偿单元的输入端连接；所述功率补偿单元的输入端与电源连接，输出端与所述晶体管Q
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的基极连接；所述功率补偿单元，首先将从所述射频放大单元泄露至所述自适应偏置单元的射频功率进行整流生成第一电流，然后根据所述第一电流调节所述晶体管Q
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的基极电流，最后通过调节所述功率补偿单元的电压，补偿所述晶体管Q
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的基极与所述晶体管Q
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的发射极之间的电压差，抑制所述射频功率放大器的线性度，实现跨导恒定；所述第一温度补偿单元，用于放大所述第二温度补偿单元的内部电压差，得到随温度增加的电压值，根据所述电压值补偿所述第二温度补偿单元在偏置条件下的功率输出特性，并生成补偿后的电流输出至所述第二温度补偿单元；所述第二温度补偿单元，用于放大所述补偿后的电流，生成第二电流并输出至所述功率补偿单元，然后根据所述第二电流生成第三电流并输出至所述晶体管Q
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的基极，最后根据所述第三电流调节所述晶体管Q
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的基极电流，抑制晶体管Q
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的基极电流增大。2.根据权利要求1所述的一种高温度稳定性的射频功率放大器，其特征在于，所述第一温度补偿单元包括电流源单元、电流镜单元；所述电流镜单元的输入端与电源连接，输出端与所述电流源单元的输入端连接、所述第二温度补偿单元的输入端连接；所述电流源单元的输出端与所述电流镜单元的输入端、所述第二温度补偿单元的输入端连接；所述电流源单元与所述电流镜单元相互偏置，通过形成正反馈环路达到稳定工作点。3.根据权利要求2所述的一种高温度稳定性的射频功率放大器，其特征在于，所述电流镜单元包括晶体管M
1b
、晶体管M
3b
、晶体管M
5b
；所述晶体管M
1b
的栅极与所述晶体管M
3b
的栅极和所述电流源的输入端连接，所述晶体管M
1b
的漏极与所述晶体管M
3b
的漏极和所述晶体管M
5b
的漏极和电源连接，所述晶体管M
1b
的源极与所述晶体管M
1b
的栅极和所述电流源单元的输入端连接；所述晶体管M
3b
的栅极与所述晶体管M
5b
的栅极、所述晶体管M
1b
的源极和所述电流源单元的输入端连接，所述晶体管M
3b
的漏极与电源连接，所述晶体管M
3b
的源极与所述电流源单元的输入端连接；所述晶体管M
5b
的漏极与电源连接，所述晶体管M
5b
的源极所述电流源单元的输出端和所述第二温度补偿单元的输入端连接。4.根据权利要求3所述的一种高温度稳定性的射频功率放大器，其特征在于，所述电流源单元包括晶体管M
2b
、晶体管M
4b
、电阻R
1b
、晶体管Q
1b
、晶体管Q
2b
；所述晶体管M
2b
的源极与所述晶体管M
1b
的栅极、晶体管M
1b
的源极和所述晶体管M
5b
的漏极连接，所述晶体管M
2b
的漏极与所述电阻R
1b
...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚静石，龚海波，苏黎明，
申请(专利权)人：成都明夷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：