一种LaAlO3超导基片晶体及其生长方法技术

本发明专利技术涉及一种LaAlO3超导基片晶体及其生长方法，属于超导基片晶体技术领域，包括以下步骤：将多晶料置于坩埚中，升温至2100

【技术实现步骤摘要】
一种LaAlO3超导基片晶体及其生长方法


[0001]本专利技术属于超导基片晶体
，具体地，涉及一种LaAlO3超导基片晶体及其生长方法。

技术介绍

[0002]铝酸镧(LaAlO3)单晶是当前最重要的工业化、大尺寸高温超导薄膜基片单晶材料。LaAlO3晶体与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜的衬底材料。同时，铝酸镧晶体的介电常数较低且具有良好的微波介电性能，因此适用于低损耗微波放大器件和介电共振应用。
[0003]然而，LaAlO3晶体的应用，取决于大尺寸优质LaAlO3晶体的生长，尤其对高纯度、高质量的大尺寸的晶体需求呈迅速增长趋势，而现有的铝酸镧单体难以兼具大尺寸和高品质的优点，因此，有必要提供一种高品质、大尺寸的LaAlO3超导基片晶体及其生长方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种LaAlO3超导基片晶体及其生长方法，解决
技术介绍
中存在的技术问题。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0006]一种LaAlO3超导基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LaAlO3超导基片晶体的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：将预烧料置于氧化铝坩埚中，3h升温至1400
‑
1600℃，恒温处理5h，3h降至常温，得到多晶料，将多晶料置于铱金坩埚内，升温至2100
‑
2150℃，恒温至预烧料完全融化形成熔体，以80
‑
85℃/h降温速率降温至1900
‑
2090℃，恒温，将已固定在籽晶杆上的籽晶引入至熔体液面，实现接种，生长界面温度梯度控制在30
‑
50℃/cm的范围内，提拉速度0.4
‑
0.6mm/h，以10
‑
15rpm的旋转速率旋转籽晶杆，晶体开始生长，进行缩颈、放肩等径、收尾、脱离和降温操作后,经切割、抛光，得到LaAlO3超导基片晶体。2.根据权利要求1所述的一种LaAl O3超导基片晶体的生长方法，其特征在于，经过缩颈操作使等颈长度达到80
‑
9...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗毅，龚瑞，刘照俊，王玉，
申请(专利权)人：合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：